一种可避免被顶层金属腐蚀的金属垫制作方法

摘要

本发明提供了一种可避免被顶层金属腐蚀的金属垫制作方法，该金属垫制作在已制成顶层金属的半导体器件上。现有技术中制作完扩散阻挡层后并无致密步骤致使顶层金属易穿过该扩散阻挡层而进入金属垫，从而使金属垫流电效率降低并被腐蚀。本发明的可避免被顶层金属腐蚀的金属垫制作方法首先在该顶层金属上制作扩散阻挡层；然后致密该扩散阻挡层；接着通过物理气相沉积工艺沉积金属层；最后依据金属垫图形进行光刻和刻蚀以形成金属垫。采用本发明的可避免被顶层金属腐蚀的金属垫制作方法可制成致密的扩散阻挡层，有效避免了顶层金属向金属垫中的扩散，从而可大大提高半导体器件的性能。