首页> 中国专利> 薄膜体声谐振器(FBAR)的频率调谐

薄膜体声谐振器(FBAR)的频率调谐

摘要

可在单晶圆上制造多个FBAR,以后再进行切割。理想情况下,在晶圆中形成的所有器件具有相同的谐振频率。然而,由于制造偏差,FBAR器件的频率响应在晶圆上可能略微改变。可产生RF分布图以便确定晶圆上的区域(50,52),其中那个区域中的FBAR全都与目标频率相差相似的程度。可将调谐层(40)沉积在晶圆之上。基于RF分布图所标识的区域对调谐层光刻形成图案的特征可用于将FBAR校正到目标谐振频率,而FBAR在晶圆上仍保持原样。

著录项

  • 公开/公告号CN101361266A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2009-02-04

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 英特尔公司;

    申请/专利号CN200680047721.1

  • 申请日2006-12-06

  • 分类号H03H3/04(20060101);H03H9/58(20060101);H03H9/17(20060101);H03H9/02(20060101);

  • 代理机构72001 中国专利代理(香港)有限公司;

  • 代理人柯广华;王忠忠

  • 地址 美国加利福尼亚州

  • 入库时间 2023-12-17 21:23:40

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2013-12-18

    发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):H03H3/04 申请公布日:20090204 申请日:20061206

    发明专利申请公布后的驳回

  • 2009-04-01

    实质审查的生效

    实质审查的生效

  • 2009-02-04

    公开

    公开

相似文献

  • 专利
  • 中文文献
  • 外文文献
获取专利

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号