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用于太阳能电池和组件制造的沉积半导体层的技术和装置

摘要

本发明以不同实施方案有利地提供了形成具有宏观尺度及微观尺度组成均匀性的高品质、致密、良好附着的IBIIIAVIA族化合物薄膜的低成本沉积技术。还提供了将在这些化合物薄膜上制作的太阳能电池单片集成以形成组件的方法。在一个实施方案中,提供了在基底上生长IBIIIAVIA族半导体层的方法,并且包括步骤:在基底上沉积成核层和/或籽晶层以及在该成核层和/或籽晶层上电镀包含IB族材料和至少一种IIIA族材料的前体膜,以及使电镀的前体膜与VIA族材料反应。还描述了其它实施方案。

著录项

  • 公开/公告号CN101331589A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2008-12-24

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 索洛动力公司;

    申请/专利号CN200680047567.8

  • 发明设计人 B·巴索尔;

    申请日2006-11-02

  • 分类号

  • 代理机构中国国际贸易促进委员会专利商标事务所;

  • 代理人李帆

  • 地址 美国加利福尼亚

  • 入库时间 2023-12-17 21:15:08

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2015-12-16

    未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L21/06 授权公告日:20120704 终止日期:20141102 申请日:20061102

    专利权的终止

  • 2012-07-04

    授权

    授权

  • 2009-02-18

    实质审查的生效

    实质审查的生效

  • 2008-12-24

    公开

    公开

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