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浮法冶金熔融析出杂质提纯生产太阳能多晶带硅

摘要

一种浮法冶金融熔生长太阳能多晶带硅及杂质提纯方法,涉及光电产业及半导体产业的多晶硅制作。以高纯石墨坩埚为液槽,以Bi-Si融体为基本母液成分,采用真空电阻炉设备作为整个体系的升温装置,通过改变条件,调控调控微观硅晶体从母液中析出带硅,然后在惰性气体保护下采用激光退火、灯光退火、电子束退火、区熔退火等再结晶实验手段进行处理,改善晶体结构,促使晶粒长大。

著录项

  • 公开/公告号CN101328605A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2008-12-24

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 济南荣达电子有限公司;

    申请/专利号CN200710014959.0

  • 发明设计人 张金学;曹军;高新忠;

    申请日2007-06-20

  • 分类号C30B29/06;C30B28/04;C01B33/037;

  • 代理机构

  • 代理人

  • 地址 250101 山东省济南市高新区正丰路7号环保科技园B中4008号

  • 入库时间 2023-12-17 21:10:54

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2011-07-27

    发明专利申请公布后的视为撤回 IPC(主分类):C30B29/06 公开日:20081224 申请日:20070620

    发明专利申请公布后的视为撤回

  • 2009-04-22

    实质审查的生效

    实质审查的生效

  • 2008-12-24

    公开

    公开

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