法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2010-07-21
发明专利申请公布后的视为撤回 IPC(主分类):H01S3/067 公开日:20081001 申请日:20080505
发明专利申请公布后的视为撤回
2008-11-26
实质审查的生效
实质审查的生效
2008-10-01
公开
公开
机译: 从脉冲Nd:YAG激光器获得单纵模(SLM)辐射的方法和设备
机译: 一种通过使用具有一个或多个电子元件的复合结构的激光器进行切割的方法。
机译: 制备iii-v-复合半导体层结构中的脊形波导的方法和一种特别用于下串联电阻的半导体激光器。