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用于n掺杂有机电子元件中电子传输层的材料

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摘要

本发明涉及基于空间位阻施主芳基硼烷并且用于改善有机电子元件中电子注入和电子传输的新型材料，所述有机电子元件例如为有机发光二极管(OLED)、有机场效应晶体管(OFET)和基于有机光电的元件，尤其是有机太阳能电池。

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2014-06-11

发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):C07F5/02 申请公布日:20080910 申请日:20060823

发明专利申请公布后的驳回
2008-10-29

实质审查的生效

实质审查的生效
2008-09-10

公开

公开

1. 用于n掺杂有机电子元件中电子传输层的材料 [P] . 中国专利： CN101263147A . 2008-09-10
2. 用于n型掺杂有机电子元件中电子传输层的新型材料 [P] . 中国专利： CN101268565A . 2008-09-17
3. Materials for N-doping the electron-transporting layers in organic electronic components [P] . 美国专利： US8481785B2 . 2013-07-09

机译：有机电子元件中N掺杂电子传输层的材料
4. MATERIALS FOR N-DOPING THE ELECTRON-TRANSPORTING LAYERS IN ORGANIC ELECTRONIC COMPONENTS [P] . 韩国专利： KR101350728B1 . 2014-01-13

机译：有机电子成分中的N掺杂电子传输层的材料
5. MATERIALS FOR N-DOPING THE ELECTRON-TRANSPORTING LAYERS IN ORGANIC ELECTRONIC COMPONENTS [P] . 欧洲知识产权局专利： EP1922322B1 . 2012-11-28

机译：有机电子成分中的N掺杂电子传输层的材料