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一种InSb-NiSb磁敏电阻型振动传感器

摘要

本发明属于电气元件传感器领域,涉及一种利用InSb-NiSb磁敏电阻效应原理制造的振动传感器,广泛用于电力、石油、化工、冶金、交通、建筑、军事工业等行业中对仪器、设备的长期振动监测和保护,特别用于系统在线自动检测报警系统。该振动传感器由InSb-NiSb磁敏电阻片、永磁体、电子处理线路板、固定支架、外壳、弹性薄膜片、外出引线等构成。当被测体产生上下振动时,会引起传感器内部的磁性薄膜片上下运动,从而使磁铁与磁敏电阻片之间的距离随之变化,通过磁敏电阻的磁通量也同时变化,产生相应的电信号,再经电子线路处理,输出与振动幅度、频率相对应的电压波形信号,达到测量振动的目的。本传感器,频率特性好,灵敏度高,结构简单,原始信号大,失真度小,便于后续电路材料和计算机分析。

著录项

  • 公开/公告号CN101251409A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2008-08-27

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 北京通磁伟业传感技术有限公司;

    申请/专利号CN200810104024.6

  • 发明设计人 王元玮;郭斐云;

    申请日2008-04-14

  • 分类号G01H11/02(20060101);G01D5/16(20060101);

  • 代理机构11207 北京华谊知识产权代理有限公司;

  • 代理人吕中强

  • 地址 100083 北京市海淀区志新路15号中原大楼408室

  • 入库时间 2023-12-17 20:45:19

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2010-07-21

    发明专利申请公布后的视为撤回 IPC(主分类):G01H11/02 公开日:20080827 申请日:20080414

    发明专利申请公布后的视为撤回

  • 2008-10-22

    实质审查的生效

    实质审查的生效

  • 2008-08-27

    公开

    公开

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