制备DRAM结构中的测试键结构的方法及相应结构

摘要

一种在集成电路晶圆上制备测试结构的方法。该方法包括提供半导体衬底(例如硅晶圆)。该方法包括在半导体衬底上形成多个集成电路芯片结构，并且同时在形成多个集成电路芯片结构期间使用一个或多个相似工艺，在形成于第一组集成电路芯片结构和第二组集成电路芯片结构之间的位置线上形成多个MOS器件。该方法包括形成第一接触结构和第二接触结构。第一接触结构耦合到多个MOS器件中的第一MOS器件，而第二接触结构耦合到多个MOS器件中的第N MOS器件，其中N是大于1的整数。