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用于使用EM仿真来补偿RFIC的性能退化的方法

摘要

提供了一种用于使用EM仿真来补偿射频集成电路(RFIC)的性能退化的方法。该方法包括以下步骤:(a)提取RFIC的设计规范以设计和仿真电路;(b)设计所设计和仿真的电路的布局,并通过使用所设计的布局来提取布局参数;(c)简化布局并执行EM仿真以提取性能参数;(d)通过使用所提取的布局参数和性能参数来执行电路仿真,并判断电路仿真的结果是否满足RFIC的设计规范;(e)当判断电路仿真的结果满足RFIC的设计规范时,执行电路制造处理;以及(f)当判断电路仿真的结果不满足RFIC的设计规范时,部分地去除布局并执行EM仿真,从而分析并补偿性能退化区域。

著录项

  • 公开/公告号CN101187954A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2008-05-28

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 三星电机株式会社;

    申请/专利号CN200710166493.6

  • 申请日2007-11-20

  • 分类号G06F17/50;

  • 代理机构北京康信知识产权代理有限责任公司;

  • 代理人章社杲

  • 地址 韩国京畿道

  • 入库时间 2023-12-17 20:15:19

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2017-01-04

    未缴年费专利权终止 IPC(主分类):G06F17/50 授权公告日:20120808 终止日期:20151120 申请日:20071120

    专利权的终止

  • 2012-08-08

    授权

    授权

  • 2008-07-23

    实质审查的生效

    实质审查的生效

  • 2008-05-28

    公开

    公开

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