公开/公告号CN101186505A
专利类型发明专利
公开/公告日2008-05-28
原文格式PDF
申请/专利权人 中国科学院上海硅酸盐研究所;
申请/专利号CN200710171917.8
申请日2007-12-07
分类号C04B35/58(20060101);C04B35/622(20060101);
代理机构31002 上海智信专利代理有限公司;
代理人潘振甦
地址 200050 上海市长宁区定西路1295号
入库时间 2023-12-17 20:11:07
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2011-09-28
发明专利申请公布后的视为撤回 IPC(主分类):C04B35/58 公开日:20080528 申请日:20071207
发明专利申请公布后的视为撤回
2008-07-23
实质审查的生效
实质审查的生效
2008-05-28
公开
公开
机译: 用于制造晶体管和n型oppervlaktedeel的方法,由第一和第二部分的第一束硼化硼与第二部分中的一束硼化硼形成第二半硼化硼的ap型基础,并植入到oppervlaktedeel和其中基极类型为发射极基元的是gewerkwijze,用于制造晶体管,n型基极是由第一束硼化物形成的半geleideriderlichaam ap型基基。
机译: 氧化锆/二硼化锆复合物的制备方法
机译: 氧化锆/二硼化锆复合物的制备方法