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二硼化锆基梯度材料及其原位反应的制备方法

摘要

本发明涉及一种二硼化锆基梯度材料和原位反应的制备方法。所述的ZrB2基梯度材料一端为ZrB2/SiC复合材料;另一端为(Zr,Hf)B2/SiC或者HfB2/SiC复合材料它是以低成本的普通微米级商用粉体为原料,混合均匀后采用放电等离子烧结方法进行快速烧结,烧结温度为1400~1550℃;升温速率范围为80~200℃/min;烧结压力范围为10~100MPa;保温时间范围为3~10min。利用原料反应放热及反应合成得到的新生成相的高活性,无需添加烧结助剂,即可制备出致密且具有良好的高温性能的ZrB2基梯度材料。所制备的材料具有更高的热导率、更高的力学性能与更优的抗氧化性能。制备周期短、能耗低、环境友好,具有良好的产业化前景。

著录项

  • 公开/公告号CN101186505A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2008-05-28

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 中国科学院上海硅酸盐研究所;

    申请/专利号CN200710171917.8

  • 发明设计人 赵媛;江莞;王连军;陈立东;

    申请日2007-12-07

  • 分类号C04B35/58(20060101);C04B35/622(20060101);

  • 代理机构31002 上海智信专利代理有限公司;

  • 代理人潘振甦

  • 地址 200050 上海市长宁区定西路1295号

  • 入库时间 2023-12-17 20:11:07

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2011-09-28

    发明专利申请公布后的视为撤回 IPC(主分类):C04B35/58 公开日:20080528 申请日:20071207

    发明专利申请公布后的视为撤回

  • 2008-07-23

    实质审查的生效

    实质审查的生效

  • 2008-05-28

    公开

    公开

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