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公开/公告号CN101154706A
专利类型发明专利
公开/公告日2008-04-02
原文格式PDF
申请/专利权人 株式会社东芝;TDK株式会社;
申请/专利号CN200710142716.5
发明设计人 福家广见;桥本进;高岸雅幸;岩崎仁志;
申请日2007-08-16
分类号H01L43/08;H01L43/10;H01F10/32;H01F10/12;G11B5/39;
代理机构上海市华诚律师事务所;
代理人徐申民
地址 日本国东京都港区芝浦一丁目1番1号
入库时间 2023-12-17 20:06:53
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2010-02-10
发明专利申请公布后的视为撤回
2008-05-28
实质审查的生效
2008-04-02
公开
机译: 制造交换耦合膜的方法,利用交换耦合膜制造磁致效应元件的方法,以及利用磁致电阻效应元件制造薄膜磁头的方法
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机译: 磁阻效应元件,磁阻效应元件的制造方法,磁头,磁记录/再现装置以及磁存储器
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机译:通过旋转扭矩振荡元件型磁头高密度磁记录
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