具有自发光组件和非自发光组件的显示装置

摘要

一种包含自发光组件和非自发光组件的显示装置，包含：第一基板、第二基板以及像素数组。像素数组具有至少一像素，其中每一像素包含：一第一切换组件、由第一切换组件控制的一非自发光组件、一第二切换组件、以及由第二切换组件控制的一自发光组件。其中第一切换组件与第二切换组件可为主动组件。或者，第一和第二切换组件其中之一可为被动组件，而另一可为主动组件。而且，第一切换组件位于第一基板上，第二切换组件位于第二基板上。

说明书

技术领域

本发明是有关于一种显示装置，特别有关于一种具有自发光组件和非自发光组件的显示装置。

背景技术

随着科技的进步，各式数字行动装置如手机、PDA以及笔记型计算机等已经变成社会大众的必要配备。然而，因为数字行动装置的蓄电量通常不高，因此数字行动装置上的显示装置必须具有低耗电的功能。而且，随着数字行动装置的功能愈来愈强大，所搭载的显示装置也必须能够显示复杂的内容，如高分辨率全彩照片或动态影像等。一般而言，显示装置可分为自发光显示装置和非自发光显示装置，而非自发光显示装置中常用的液晶显示装置又可分为穿透式、反射式以及半反射半穿透式。

穿透式液晶显示装置具有较佳的影像品质，然而其背光源耗电量大，而且在强光下亮度不足，可视性差。

反射式液晶显示装置可以利用环境光作为光源，使得在强光下可视性佳，但在环境光不足时，需要有前光源来提供足够的亮度，然而前光源在大面积时光的亮度很难均匀，造成影像品质下降。

半反射半穿透式液晶显示装置同时具有穿透区及反射区，可以在外界环境光源不足时使用穿透区显示，而强光下使用反射区显示。然而反射区与穿透区的面积总和是固定的，所以反射品质佳时，穿透亮度必然不够；而穿透亮度够时，反射区的面积就相对比较小。

有机EL(电子冷光)是一种具有高发光效率的省电显示装置。然而，有机EL是一种自发光显示装置，在强光下与穿透式液晶显示装置一样，可视性差。如果要将亮度大幅提升至强光下可见，则发光效率及使用寿命将急剧的下降。

为了综合上述各种类型的显示装置的优点而避开其缺点，相关领域人士提出了包含自发光组件和非自发光组件的显示装置，但此类型的技术却有着下列缺点：要在同一基板上形成控制两种显示组件(自发光和非自发光)的TFT数组及其控制电极会使得制程相当困难。而且，利用同一组TFT控制两个不同的显示组件也会使电路的设计较为困难，降低产品的良率。

因此，需要一种新颖的显示装置改正上述的缺点。

发明内容

本发明的一目的为提供一种具有自发光组件和非自发光组件的显示装置，其具有分别控制自发光组件和非自发光组件的两主动切换组件，使得电路的设计更为容易。

本发明的另一目的为提供一种具有自发光组件和非自发光组件的显示装置，其具有一主动切换组件以及一被动切换组件以分别控制自发光组件和非自发光组件。而且，第一切换组件位于第一基板上，第二切换组件位于第二基板上。

本发明的又一目的为提供一种可运用在本发明的显示装置的第一基板和第二基板的配线方式。

因此，本发明提供一种包含自发光组件和非自发光组件的显示装置，包含：第一基板、第二基板以及像素数组。其中像素数组具有至少一像素，其中每一像素包含：一第一切换组件、由第一切换组件控制的一非自发光组件、一第二切换组件、以及由第二切换组件控制的一自发光组件，其中第一切换组件与第二切换组件皆为主动组件。而且，第一切换组件位于第一基板上，第二切换组件位于第二基板上。

其中此第一切换组件以及第二切换组件可为薄膜晶体管。而自发光组件可为EL组件，并包含第一电极层、第二电极层与介于第一电极层与该第二电极层之间的EL层。而非自发光组件是从电泳组件、电致表面张力改变组件、电致色变组件、电致相变组件、微机电反射组件以及液晶组件所组成的群组中至少择一。

若非自发光组件为液晶组件时，可更包含第三电极层、第四电极层、介于第三电极层与第四电极层之间的液晶层、介于第三电极层与液晶层之间的第一配向层与介于第四电极层与液晶层之间的第二配向层。

上述EL层介于第一电极层与第二电极层之间，液晶层介于第三电极层与第四电极层之间，且第二电极层可与第三电极层两者相邻。或者第二电极层与第三电极层之间有一可透光绝缘层。此绝缘层可为有机或无机材料或者形成凸面或凹面的非平坦架构。或者，第二电极层与第三电极层之间更包含一散光层。

其中第二电极层与第三电极层也可合并为一第五电极层，使得EL层介于第一电极层与第五电极层之间，而液晶层介于第五电极层与第四电极层之间。第一电极层与第四电极层可为可透光材料，而第五电极层可为高反射率材料。

其中上述的第三电极层与液晶层之间可具有第一配向层，而第四电极层与液晶层之间可具有第二配向层。而此第一配向层及第二配向层为具有碳或硅至少其一的无机层。其中无机层可为类钻碳膜(Diamond Like Carbon film)或氧化硅(SiO_x)。

其中上述的第二和第三电极之间可更包含一绝缘层。而绝缘层包含一可透光绝缘部份以及一散光部份。

上述的可透光材料可为ITO或IZO，而高反射率材料可为银或铝。

此态样的第一基板和第二基板其中之一可具有一第一主动矩阵、一第一接线区、一第二接线区以及一信号接收区，第一基板和第二基板中的另一基板具有一第二主动矩阵，其中第一接线区连接第一主动矩阵中的数据线以及信号接收区，第二接线区连接信号接收区，第一主动矩阵中的扫瞄线连接信号接收区，且第二主动矩阵中的数据线突出第二主动矩阵，当第一基板和第二基板实质上重合时，第二主动矩阵中的数据线的突出部与第二接线区连接，而第二主动矩阵中的扫瞄线与信号接收区连接。

更详细来说，第一主动矩阵中所述的扫瞄线突出第一主动矩阵，第二主动矩阵中的扫瞄线突出第二主动矩阵，当第一基板和第二基板实质上重合时，第一主动矩阵中的扫瞄线的突出部与第二主动矩阵中的扫瞄线的突出部相连接并一同连接至信号接收区。

或者，其中具有第一主动矩阵的基板更包含一第三接线区，第三接线区与该信号接收区连接并独立于第一主动矩阵中的扫瞄线，而第二主动矩阵的扫描线的至少一部份突出第二主动矩阵，当第一基板和第二基板实质上重合时，第二主动矩阵中的扫瞄线的突出部与第三接线区相连接。

本发明的另一态样为一种包含自发光组件和非自发光组件的显示装置，包含：第一基板、第二基板以及像素数组。其中像素数组具有至少一像素，其中每一像素包含：一第一切换组件、由第一切换组件控制的一非自发光组件、一第二切换组件、以及由第二切换组件控制的一自发光组件，其中第一切换组件与第二切换组件其中之一为被动组件，而另一为主动组件。而且，第一切换组件位于第一基板上，第二切换组件位于第二基板上。

在此态样中，第一基板和第二基板的配线方式可如下所述。第一基板和第二基板其中之一具有至少一扫瞄线、至少一数据线、至少一第一电极条、一第一接线区、一第二接线区以及一信号接收区，第一基板和第二基板中的另一基板具有至少一第二电极条，其中至少一第一电极条覆盖于扫瞄线以及数据线上，扫瞄线连接信号接收区，第一接线区连接数据线以及信号接收区，第二接线区连接信号接收区，第一基板和第二基板实质上重合时，第二电极条与第二接线区连接。

此态样的其它特征方面与上一态样相同，故在此不再赘述。

须注意的是，上述的实施例可根据不同的需求选择各电极的材料，也可在基板的外侧加上偏光膜以让影像更为完善。

附图说明

图1(a)绘示了根据本发明的显示装置的第一较佳实施例的示意图；

图1(b)绘示了根据本发明的显示装置的第一较佳实施例的剖面图；

图1(c)绘示了根据本发明的显示装置的第一较佳实施例的电路图；

图1(d)绘示了根据本发明的显示装置的第一较佳实施例的电路图；

图1(e)绘示了根据本发明的显示装置的第一较佳实施例的电路图；

图2(a)绘示了根据本发明的显示装置的第二较佳实施例的示意图；

图2(b)绘示了根据本发明的显示装置的第二较佳实施例的剖面图；

图2(c)绘示了根据本发明的显示装置的第二较佳实施例的剖面图；

图2(d)绘示了根据本发明的显示装置的第二较佳实施例的剖面图；

图3(a)绘示了根据本发明的显示装置的第三较佳实施例的示意图；

图3(b)绘示了根据本发明的显示装置的第三较佳实施例的剖面图；

图3(c)绘示了根据本发明的显示装置的第三较佳实施例的剖面图；

图4(a)绘示了根据本发明的显示装置的第四较佳实施例的示意图；

图4(b)绘示了根据本发明的显示装置的第四较佳实施例的剖面图；

图4(c)绘示了根据本发明的显示装置的第四较佳实施例的示意图；

图4(d)绘示了根据本发明的显示装置的第四较佳实施例的示意图；

图5(a)绘示了根据本发明的显示装置的第五较佳实施例的示意图；

图5(b)绘示了根据本发明的显示装置的第五较佳实施例的剖面图；

图5(c)绘示了根据本发明的显示装置的第五较佳实施例的电路图；

图5(d)绘示了根据本发明的显示装置的第五较佳实施例的示意图；

图5(e)绘示了根据本发明的显示装置的第五较佳实施例的剖面图；

图5(f)绘示了根据本发明的显示装置的第五较佳实施例的电路图；

图6(1)及图6(2)绘示了可运用于本发明的具有一主动矩阵和一被动矩阵的显示装置的基板配线方式的示意图；

图7(a)(1)及图7(a)(2)绘示了可运用于本发明的具有二主动矩阵的显示装置的基板配线方式的示意图；以及

图7(b)(1)及图7(b)(2)绘示了图7(a)的变化形态。

具体实施方式

底下将通过图示说明根据本发明的显示装置以及运用于此显示装置的基板板配线方式的较佳实施例。

本发明是利用两主动切换组件或是一主动切换组件以及一被动组件而控制自发光组件和非自发光组件。较佳的作法为，利用电极将自发光组件或非自发光组件夹于其中，且自发光组件或非自发光组件可分别使用不同的电极或共享至少一电极。底下将以各图详细说明本发明的较佳实施例，须注意的是，这些较佳实施例仅用以说明而非限制本发明的范围，任何基于本发明的技术精神的润饰和修改皆应在本发明的范围之内。

图1(a)至图1(e)分别绘示了根据本发明的显示装置的第一较佳实施例的示意图、剖面图以及像素电路图。请交叉比对图1(a)至图1(e)，当可更加了解本发明的技术精神。如图1(a)和1(b)所示，显示装置可分为非自发光显示组件11和自发光显示组件12。此显示装置具有两片基板101、102，基板102上具有一个TFT层104，其上方有一EL(electroluminescent、冷发光)层113，EL层113介于反射电极111与可透光电极112之间，形成俗称的底发光(Bottom Emission)EL组件。在EL与电极之间通常具有电洞传输层、电子传输层、注入层...等等，在此之后全部统称为EL层。EL层113可以为白光EL或是RGB三色的EL。如果使用白光EL又想要得到彩色影像，在基板102上的TFT层104上方必须要有滤光层106。如果使用RGB三色的EL则不需滤光层106。另外可以使用蓝光EL，并搭配将滤光层106改以色转换层取代，一样可以得到彩色的影像。

从基板102往基板101的方向观察，显示装置是一个EL显示装置，通过基板102上的TFT层104控制送到EL组件的电信号，进而控制自发光121的强度。

从基板101往基板102的方向观察，显示装置是一个反射式液晶显示装置。环境光131沿箭头方向入射面板，经过液晶层114后遇到反射电极110使光线反射。反射电极110通常是高反射率的金属如银或铝等。基板101具有一个TFT层103作为控制可透光电极109的开关，而液晶层114的状态可经由可透光电极109与反射电极110之间的电压差来改变，使得反射光132可以有亮度的变化。此一显示装置可以独立操作EL组件与液晶组件，以达到最佳的显示效果。散光层115是一个凸面或凹面的光阻材料，也就是在一般现有的反射式液晶显示装置中所称的反射板(Bump)，也可以在有机材料内散布微小粒子(SiO_x、TiO₂、MgO...等)来达到类似的效果。在基板101的TFT层103下可以有滤光层105，使得反射式液晶显示时具有色彩。利用现有的液晶显示技术，滤光层105可以开洞使反射式显示时的亮度提高，或甚至可省略滤光层105，使得反射式液晶只能做黑白显示。配向层107、108是用来控制液晶层114的液晶分子排列。液晶的排列方式可以是水平(homogeneous)排列、垂直(homotropic)排列、扭转(twist)排列或其它现有的任何液晶排列方式。由于配向层108的下方为自发光(EL)组件，所以最好选用低温有机配向膜(烧成温度低于摄式150度)或是无机配向材料(如SiO_x或类钻石薄膜Diamond Like Carbon film)，避免伤害到EL层113。另外，为了保护EL组件，可在EL组件上涂布保护层。保护层可以是单一层的有机或无机材料，如光阻、SiO_x、SiN_x、DLC等或是上述材料组合而成的多层膜，并可视需求调整其位置。以图1(a)为例，保护层可以摆在反射电极111与散光层115之间，也可省略保护层以节省成本。

另外一种可能的结构如图1(c)所示，可合并反射电极110、111，使得非自发光(反射式液晶)显示组件与自发光(EL)显示组件共享反射电极110&111，并将散光层115移至反射电极110&111的上方，以达到较佳的显示效果。为节省显示装置的制造成本，也可省略散光层115，只是此时非自发光显示组件的影像品质可能无法达到最佳。

此显示装置的制造方法与现有的液晶显示装置制造方法类似：

1.将基板101上的各层依顺序逐一制作完成，包含TFT层103、滤光层105、可透光电极109和配向层107。

2.将基板102上的各层依顺序逐一制作完成，包含TFT层104、滤光层106、可透光电极112、EL层113、反射电极111、散光层115、反射电极110和配向层108。

3.依现有的液晶制造技术，可任意选择基板101或基板102于其上涂布框胶、洒布间隙子(Spacer)，之后再将基板101、102组合后中间注入液晶或是先滴入液晶后再组合两基板(ODF-One Drop Fill process)。也可直接以有机材料将间隙子制作于基板上(Integrated Spacer or Photo Spacer)以增进显示装置的显示效果。

4.最后在基板101及基板102的外侧贴上偏光膜119、120，并完成外部信号线的连接。

偏光膜119、120可视需要的光学效果作适当的选择，可以选用线偏振偏光膜(Linear Polarizer)或圆偏振偏光膜(Circular Polarizer)或内建视角补偿膜的偏光膜，甚至可以不使用偏光膜来达到所需要的显示效果。

图1(d)为本发明在基板102的单一像素区中的电路图的一例。如图1(d)所示，单一像素电路结构主要包含有2个薄膜晶体管141和142、电容143以及与薄膜晶体管142连结的EL组件144。其中EL组件144连接到像素共同电压Pix_com(反射电极111)，结构则为现有的2T1C操作电路。在基板102的单一像素区中也可采用其它可控制EL组件的像素电路。

图1(e)为本发明在基板101的单一像素区中的电路图的一例。如图1(e)所示，单一像素电路结构主要包含有一薄膜晶体管151、电容152和液晶组件153。其中电容152连接至像素共同电压Pix_com；液晶组件153连接至液晶共同电压LC_com(反射电极110)，结构则为现有的1T1C操作电路。在基板101的单一像素区中也可采用其它可控制液晶组件的像素电路。

须注意的是，上述实施例中虽以EL和液晶作为自发光组件和非自发光组件，但可以其它的自发光组件和非自发光组件代替。且实施例中虽以薄膜晶体管控制EL和液晶，但可以其它切换组件如MOS、BJT等取代。

图2(a)至图2(d)绘示了根据本发明的显示装置的第二较佳实施例的示意图、剖面图。请交叉比对图2(a)至图2(d)，当可更加了解本发明的技术精神。如图2(a)和2(b)所示，显示装置可分为非自发光显示组件21和自发光显示组件22。此显示装置具有两片基板201、202，基板202上具有一个TFT层204，其上方有一EL层213，EL层213介于可透光电极211与反射电极212之间，形成俗称的上发光(Top Emission)EL组件。EL层213可以为白光EL或是RGB三色的EL。基板201具有一个TFT层203，其下方有一液晶层214，液晶层介于可透光电极209与可透光电极210之间，再利用反射电极212作为反射面形成一反射式液晶显示组件。

从基板201往基板202的方向观察，显示装置是一个反射式的液晶显示装置以及一个EL显示装置。不考虑环境光时，通过基板202上的TFT层204控制送到EL组件的电信号，进而控制自发光221的强度，为一个EL显示装置。考虑环境光时，环境光231沿箭头方向入射面板，经过液晶层214后遇到反射电极212使光线反射。反射电极212通常是高反射率的金属如银或铝。基板201具有一个TFT层203作为控制可透光电极209的开关，而液晶层214的状态可经由可透光电极209与可透光电极210之间的电压差来改变，使得反射光232可以有亮度的变化。所以当EL层213不发光时，利用环境光来看显示装置相当于是一个反射式液晶显示装置。此一显示装置可以独立操作EL组件与液晶组件，以达到最佳的显示效果。散光层215是一个凸面或凹面的光阻材料，也就是在一般现有的反射式液晶显示装置中所称的反射板(Bump)，也可以在有机材料内散布微小粒子(SiO_x、TiO₂、MgO...等)来达到类似的效果。在基板201的TFT层203下可以有滤光层205，使得反射式液晶显示时具有色彩。利用现有的液晶显示技术，滤光层205可以开洞使反射式显示或EL显示时的亮度提高，或甚至可省略滤光层205，使得反射式液晶只能做黑白显示。在此实施例中，由于反射光232与自发光221皆通过相同的滤光层205，此时EL层213可与滤光层205做各种的搭配以达到显示装置的要求。举例来说，可选择白光EL搭配滤光层205使得EL及反射式液晶皆为彩色显示；也可选用白光EL但省略滤光层205，使得EL及反射式液晶皆为黑白显示；再可选用RGB三色EL但省略滤光层205，使得EL为彩色显示而反射式液晶为黑白显示；也可选用RGB三色EL但仍搭配滤光层205使得EL及反射式液晶皆为彩色显示，并得到色彩较纯的自发光显示。配向层207、208是用来控制液晶层214的液晶分子排列。液晶的排列方式可以是水平(homogeneous)排列、垂直(homotropic)排列、扭转(twist)排列或其它现有的任何液晶排列方式。由于配向层208的下方为自发光(EL)显示组件，所以最好选用低温有机配向膜(烧成温度低于摄式150度)或是无机配向材料(如SiO_x或类钻石薄膜Diamond Like Carbon film)，避免伤害到EL层213。另外，为了保护EL组件，可在EL组件上涂布保护层。保护层可以是单一层的有机或无机材料，如光阻、SiO_x、SiN_x、DLC等或是上述材料组合而成的多层膜，并可视需求调整其位置。以图2(a)为例，保护层可以摆在可透光电极211与散光层215之间，也可省略保护层以节省成本。

另外两种可能的结构如图2(c)及2(d)所示，合并可透光电极210与可透光电极211，使得非自发光(反射式液晶)显示组件与自发光(EL)显示组件共享可透光电极210&211，并将散光层215移至可透光电极210&211的上方或是反射电极212的下方，以达到较佳的显示效果。为节省制造成本，也可省略散光层215，只是此时非自发光显示组件的影像品质可能无法达到最佳。

此显示装置的制造方法与现有的液晶显示装置制造方法类似：

1.将基板201上的各层依顺序逐一制作完成，包含TFT层203、滤光层205、可透光电极209和配向层207。

2.将基板102上的各层依顺序逐一制作完成，包含TFT层204、反射电极212、EL层213、可透光电极211、散光层215、可透光电极210和配向层208。

3.依现有的液晶制造技术，可任意选择基板201或基板202于其上涂布框胶、洒布间隙子(Spacer)，之后再将基板201、202组合后中间注入液晶或是先滴入液晶后再组合两基板(ODF-One Drop Fill process)。也可直接以有机材料将间隙子制作于基板上(Integrated Spacer or Photo Spacer)以增进显示装置的显示效果。

4.最后在基板201的外侧贴上偏光膜219，并完成外部信号线的连接。

偏光膜219可视需要的光学效果作适当的选择，可以选用线偏振偏光膜(Linear Polarizer)或圆偏振偏光膜(Cirular Polarizer)或内建视角补偿膜的偏光膜，甚至可以不使用偏光膜来达到所需要的显示效果。

本发明在基板202与基板201的单一像素区中的电路图的例子与图1(d)及图1(e)的电路结构相同，请参考实施例一的图1(d)及图1(e)。

图3(a)至图3(c)绘示了根据本发明的显示装置的第三较佳实施例的示意图、剖面图。请交叉比对图3(a)至图3(c)，当可更加了解本发明的技术精神。如图3(a)和3(b)所示，显示装置可分为非自发光显示组件31和自发光显示组件32。此显示装置具有两片基板301、302，基板302上具有一个TFT层304，其上方有一EL层313，EL层313介于可透光电极311与可透光电极312之间，形成俗称的双面发光(Dual-sided Emission)EL组件。此时下自发光321直接射出基板302达到观察者的眼睛，而上自发光322向基板301的方向射出经过反射电极309反射后成为反射自发光323，再向基板302射出显示装置达到观察者的眼睛。EL层313可以为白光EL或是RGB三色的EL。基板301具有一个TFT层303，其下方有一液晶层314，液晶层介于反射电极309与可透光电极310之间，形成一反射式液晶显示组件。

从基板302往基板301的方向观察，显示装置是一个反射式液晶显示装置以及一个EL显示装置。不考虑环境光时，通过基板302上的TFT层304控制送到EL组件的电信号，进而控制下自发光321及上自发光322的强度，为一个EL显示装置。考虑环境光时，环境光331沿箭头方向入射面板，经过液晶层314后遇到反射电极309使光线反射。反射电极309通常是高反射率的金属如银或铝。基板301具有一个TFT层303作为控制反射电极309的开关，而液晶层314的状态可经由反射电极309与可透光电极310之间的电压差来改变，使得反射光332可以有亮度的变化。所以当EL层313不发光时，利用环境光来看显示装置相当于是一个反射式液晶显示装置。此一显示装置可以独立操作EL组件或液晶组件，以达到最佳的显示效果。散光层315是一个凸面或凹面的光阻材料，也就是在一般现有的反射式液晶显示装置中所称的反射板(Bump)，也可以在有机材料内散布微小粒子(SiO_x、TiO₂、MgO...等)来达到类似的效果。可透光绝缘层316可以是常用的有机或无机材料，如光阻、SiO_x、SiN_x等。也可如图3(c)所示移除可透光绝缘层316，合并可透光电极310与可透光电极311，使得非自发光(反射式液晶)显示组件与自发光(EL)显示组件共享可透光电极310&311，以达到节省成本的目的。为节省制造成本，也可省略散光层315，只是此时非自发光显示组件的影像品质可能无法达到最佳。在基板302的TFT上可以有滤光层306，使得反射式液晶显示时具有色彩。利用现有的液晶显示技术，滤光层306可以开洞使反射式显示或EL显示时的亮度提高，或甚至可省略滤光层306，使得反射式液晶只能做黑白显示。在此实施例中，由于反射光332、下自发光321与反射自发光323皆通过相同的滤光层306，此时EL层313可与滤光层306做各种的搭配以达到显示装置的要求。举例来说，可选择白光EL搭配滤光层306使得EL及反射式液晶皆为彩色显示；也可选用白光EL但省略滤光层306，使得EL及反射式液晶皆为黑白显示；再可选用RGB三色EL但省略滤光层306，使得EL为彩色显示而反射式液晶为黑白显示；也可选用RGB三色EL但仍搭配滤光层306使得EL及反射式液晶皆为彩色显示，并得到色彩较纯的自发光显示。配向层307、308是用来控制液晶层314的液晶分子排列。液晶的排列方式可以是水平(homogeneous)排列、垂直(homotropic)排列、扭转(twist)排列或其它现有的任何液晶排列方式。由于配向层308的下方为自发光(EL)显示组件，所以最好选用低温有机配向膜(烧成温度低于摄式150度)或是无机配向材料(如SiO_x或类钻石薄膜Diamond Like Carbon film)，避免伤害到EL层313。另外，为了保护EL组件，可在EL组件上涂布保护层。保护层可以是单一层的有机或无机材料，如光阻、SiO_x、SiN_x、DLC等或是上述材料组合而成的多层膜，并可视需求调整其位置。以图3(a)为例，保护层可以摆在可透光电极311与可透光绝缘层316之间，也可省略保护层以节省成本。

此显示装置的制造方法与现有的液晶显示装置制造方法类似：

1.将基板301上的各层依顺序逐一制作完成，包含TFT层303、散光层315、反射电极309和配向层307。

2.将基板302上的各层依顺序逐一制作完成，包含TFT层304、滤光层306、可透光电极312、EL层313、可透光电极311、可透光绝缘层316、可透光电极310和配向层308。

3.依现有的液晶制造技术，可任意选择基板301或基板302于其上涂布框胶、洒布间隙子(Spacer)，之后再将基板301、302组合后中间注入液晶或是先滴入液晶后再组合两基板(ODF-One Drop Fill process)。也可直接以有机材料将间隙子制作于基板上(Integrated Spacer or Photo Spacer)以增进显示装置的显示效果。

4.最后在基板302的外侧贴上偏光膜320，并完成外部信号线的连接。

偏光膜320可视需要的光学效果作适当的选择，可以选用线偏振偏光膜(Linear Polarizer)或圆偏振偏光膜(Circular Polarizer)或内建视角补偿膜的偏光膜，甚至可以不使用偏光膜来达到所需要的显示效果。

本发明在基板302与基板301的单一像素区中的电路图的例子与图1(d)及图1(e)的电路结构相同，请参考实施例一的图1(d)及图1(e)。

图4(a)至图4(d)绘示了根据本发明的显示装置的第四较佳实施例的示意图、剖面图。请交叉比对图4(a)至图4(d)，当可更加了解本发明的技术精神。如图4(a)和4(b)所示，显示装置可分为非自发光显示组件41和自发光显示组件42。此显示装置具有两片基板401、402，基板402上具有一个TFT层404，其上方有一EL层413，EL层413介于反射电极411与可透光电极412之间，形成俗称的底发光(Bottom Emission)EL组件。EL层413可以为白光EL或是RGB三色的EL。选用三色EL时，EL层413可以配合反射电极411与可透光电极412做图案化镀膜；选用自光EL时可整面镀膜以节省制造成本。基板401具有一个TFT层403，其下方有一液晶层414，液晶层介于反射电极409与可透光电极410之间，形成一反射式液晶显示组件。

从基板402往基板401的方向观察，显示装置是一个反射式液晶显示装置以及一个EL显示装置。不考虑环境光时，通过基板402上的TFT层404控制送到EL组件的电信号，进而控制自发光421的强度，为一个EL显示装置。考虑环境光时，环境光431沿箭头方向入射面板，经过液晶层414后遇到反射电极409使光线反射。反射电极409通常是高反射率的金属如银或铝。基板401具有一个TFT层403作为控制反射电极409的开关，而液晶层414的状态可经由反射电极409与可透光电极410之间的电压差来改变，使得反射光432可以有亮度的变化。所以当EL层413不发光时，利用环境光来看显示装置相当于是一个反射式液晶显示装置。此一显示装置可以独立操作EL组件或液晶组件，但在此实施例中EL组件与液晶组件各占了一部份的像素区，可以视显示装置的应用调整两者占像素区的比例以达到最佳的显示效果。散光层415是一个凸面或凹面的光阻材料，也就是在一般现有的反射式液晶显示装置中所称的反射板(Bump)，也可以在有机材料内散布微小粒子(SiO_x、TiO₂、MgO...等)来达到类似的效果。可透光绝缘层416可以是常用的有机或无机材料，如光阻、SiO_x、SiN_x等。也可移除可透光绝缘层416，合并可透光电极410、417与反射电极411，使得非自发光(反射式液晶)显示组件与自发光(EL)显示组件共享此电极，以达到节省成本的目的。为节省制造成本，也可省略散光层415，只是此时非自发光显示组件的影像品质可能无法达到最佳。在基板402的TFT上可以有滤光层406，使得反射式液晶显示时具有色彩。利用现有的液晶显示技术，滤光层406可以开洞使反射式显示与EL显示时的亮度提高，或甚至可省略滤光层406，使得反射式液晶只能做黑白显示。在此实施例中，由于反射光432与自发光421皆通过相同的滤光层406，此时EL层413可与滤光层406做各种的搭配以达到显示装置的要求。举例来说，可选择白光EL搭配滤光层406使得EL及反射式液晶皆为彩色显示；也可选用白光EL但省略滤光层406，使得EL及反射式液晶皆为黑白显示；再可选用三色EL但省略滤光层406，使得EL为彩色显示而反射式液晶为黑白显示；最后，可选用三色EL但仍搭配滤光层406使得EL及反射式液晶皆为彩色显示，并得到色彩较纯的自发光显示。配向层407、408是用来控制液晶层414的液晶分子排列。液晶的排列方式可以是水平(homogeneous)排列、垂直(homotropic)排列、扭转(twist)排列或其它现有的任何液晶排列方式。由于配向层408的下方为自发光(EL)显示组件，所以最好选用低温有机配向膜(烧成温度低于摄式150度)或是无机配向材料(如SiO_x或类钻石薄膜Diamond Like Carbon film)，避免伤害到EL层413。

另外几种可能的变化结构如图4(c)及4(d)所示，将反射电极409和散光层415图案化，并增加可透光电极418。如此一来，当观察者从基板401往基板402的方向观察时，显示装置是一个反射式液晶显示装置，环境光433沿箭头方向入射面板，经过液晶层414后遇到反射电极411使光线反射。反射电极411通常是高反射率的金属如银或铝。基板401具有一个TFT层403作为控制电极418及409的开关，而液晶层414的状态可经由电极418、409与可透光电极410之间的电压差来改变，使得反射光432、434可以有亮度的变化。而观察者从基板402往基板401的方向观察时，显示装置则是一个反射式液晶显示装置以及一个EL显示装置。为了提升从基板401往基板402的方向观察时的反射式液晶显示装置的显示效果，可以在图案化的反射电极411的上方增加散光层425，如图4(c)所示。也可如图4(d)所示，省略散光层425与可透光绝缘层416，合并可透光电极410、417与反射电极411以节省制造成本。偏光膜419及420可视需要的光学效果作适当的选择，可以选用线偏振偏光膜(Linear Polarizer)或圆偏振偏光膜(Circular Polarizer)或内建视角补偿膜的偏光膜，甚至可以不使用偏光膜来达到所需要的显示效果。

此显示装置的制造方法与前几个实施例类似，请参考之前的实施例。

本发明在基板402与基板401的单一像素区中的电路图的实施例与图1(d)及图1(e)的电路结构相同，请参考实施例一的图1(d)及图1(e)。

实施例一至实施例四共同的特点是其第一基板(101、201、301、401)与第二基板(102、202、302、402)皆有TFT层，在第一、第二基板都有主动式TFT数组(Active Matrix TFT Array)。第五实施例的概念是将上述各实施例中的任意一组主动式TFT数组(Active Matrix TFT Array)换成以被动式矩阵(Passive Matrix)取代，以节省显示装置的制造成本。

图5(a)至图5(c)绘示了省略第一较佳实施例的TFT层103的第五较佳实施例的示意图、剖面图以及像素电路图。请交叉比对图5(a)至图5(c)，当可更加了解本实施例的技术精神。若将第一实施例的基板101下的TFT层103移除改以被动式矩阵取代，则其示意图如图5(a)所示。此时，非自发光(液晶)显示组件51为被动驱动，而自发光(EL)显示组件52则为主动驱动。图5(b)与图1(b)不同之处除了图5(b)在基板501下没有TFT层之外，原来在图1(b)上的可透光电极109是图案化成像素区的大小，而图5(b)上的可透光电极509则是图案化成直条状电极；而原来在图1(b)上的反射电极110在像素区并没有图案化，而图5(b)上的反射电极510则是图案化成横条状电极。

本发明在基板502的单一像素区中的电路图的实施例与图1(d)的电路结构相同，请参考实施例一的图1(d)。

图5(c)为本发明的非自发光显示组件的单一像素区中的电路图的实施例。如图5(c)所示，单一像素电路结构主要包含有直条状电极509、横条状电极510和液晶组件553，结构则为现有的passive matrix液晶操作电路，此时液晶层514可以选用超扭转向列液晶(Super Twist Nematic LC)以符合被动驱动的特性。

图5(d)至图5(f)绘示了省略第一较佳实施例的TFT层104的第五较佳实施例的示意图、剖面图以及像素电路图。请交叉比对图5(d)至图5(f)，当可更加了解本实施例的技术精神。若将第一实施例的基板102上的TFT层104移除改以被动式矩阵取代，则其示意图如图5(d)所示。此时，非自发光(液晶)显示组件51为主动驱动，而自发光(EL)显示组件52则为被动驱动。图5(e)与图1(b)不同之处除了图5(e)在基板502上没有TFT层之外，原来在图1(b)上的可透光电极112是图案化成像素区的大小，而图5(e)上的可透光电极512则是图案化成直条状电极；而原来在图1(b)上的反射电极111在像素区并没有图案化，而图5(e)上的反射电极511则是图案化成横条状电极。

本发明在基板501的单一像素区中的电路图的实施例与图1(e)的电路结构相同，请参考实施例一的图1(e)。

图5(f)为本发明的自发光显示组件的单一像素区中的电路图的实施例。如图5(f)所示，单一像素电路结构主要包含有直条状电极512、横条状电极511和EL组件544，结构则为现有的passive matrix EL操作电路。

本发明也可如第一较佳实施例所述，合并反射电极510、511，使得非自发光(反射式液晶)显示组件与自发光(EL)显示组件共享反射电极510&511。只是原本在第一较佳实施中，反射电极110与反射电极111在像素区皆没有图案化，故合并之后的电极在像素区也没有图案化；然而，在本实施例中反射电极510与反射电极511其中之一已图案化为条状电极，为了顾及被动组件的驱动特性，合并之后的电极也必须图案化成条状电极。

本发明其它关于各层的材料选用、滤光层的搭配以及显示装置的制造方法...等，皆与第一较佳实施例类似，请参考第一较佳实施例的说明。

其它的实施例也可依循实施例5将显示装置中的任意一组主动式TFT数组(Active Matrix TFT Array)换成以被动式矩阵(Passive Matrix)取代，故在此不再赘述。请参考各实施例的说明搭配上述说明。

本发明也提出一种经过特殊设计的基板配线方式，以运用在一主动式驱动以及一被动式驱动的显示装置中。

图6(1)及图6(2)即绘示了此种配线方式。其中第一基板601具有至少一扫瞄线、至少一数据线(皆未绘示)、至少一第一电极条602、一第一接线区603、一第二接线区604、一信号接收区605以及框胶区609。第二基板606具有至少一第二电极条607、突出部608以及框胶区609。其中第一电极条602覆盖于扫瞄线以及数据线上，第一接线区603连接数据线以及信号接收区605，第二接线区604连接信号接收区605。可以在任意一个基板上的框胶区609上涂布异方性(anisotropic)导电胶，用以接合第一基板601和第二基板606并导通两基板上对应的电极。第一基板601和第二基板606实质上重合时，突出部608与第二接线区604连接使得第二电极条607和第二接线区604产生连接关系。须注意的是，本实施例虽以突出部608使第二电极条607与第二接线区604连接，但熟知此项技艺者当可经过简单的修改而得到相同的功能，其皆应在本发明的范围之内。须注意的是，在图6中第一接线区603和第二接线区604的导线是分别且独立的连接于信号接收区605的各pin脚上。

本发明也揭示了可运用于上述的具有双TFT层的各项实施例的基板配线方式。底下将通过图标说明此装置的构成及运作原理。

如图7(a)(1)(2)和7(b)(1)(2)所示，此装置具有一第一基板701以及一第二基板702。第一基板701上具有一信号接收区703、一第一主动矩阵704、一第一接线区705、一第二接线区706以及框胶区709。其中第一主动矩阵704的扫瞄线连接信号接收区703，第一接线区705连接第一主动矩阵中704的数据线(横向)以及信号接收区703，而第二接线区706连接信号接收区703。第二基板702具有框胶区709以及一第二主动矩阵707，其数据线突出第二主动矩阵707。可以在任意一个基板上的框胶区709上涂布异方性导电胶，用以接合第一基板701和第二基板702并导通两基板上对应的电极。当第一基板701和第二基板702实质上重合时，第二主动矩阵707中的数据线(横向)的突出部与第二接线区706连接，而第二主动矩阵707中的扫瞄线(纵向)与信号接收区703连接。

第二主动矩阵707中的扫瞄线与信号接收区703连接的方式可为如图7(a)所示般，第一主动矩阵704的扫瞄线和第二主动矩阵707中的扫瞄线共享连接线或者如图7(b)所示般，分别使用不同的连接线。

在图7(a)所示的第七较佳实施例中，第一主动矩阵704中的扫瞄线突出第一主动矩阵704，第二主动矩阵707中的扫瞄线突出第二主动矩阵707，当第一基板701和第二基板702实质上重合时，第一主动矩阵704中的扫瞄线的突出部与第二主动矩阵707中的扫瞄线的该突出部相连接并一同连接至信号接收区703。

图7(b)则绘示了根据本发明的第七较佳实施例的变化型态。在此型态中，第一基板701的扫描线并未突出第一主动矩阵701的上半部，且第一基板701更包含一第三接线区708，第三接线区708与信号接收区703连接并独立于第一主动矩阵701中的扫瞄线。而第二主动矩阵707的扫描线并未突出第二主动矩阵707的上半部，但至少一部份突出第二主动矩阵707的下半部。当第一基板701和第二基板702实质上重合时，第二主动矩阵707中的扫瞄线的突出部与第三接线区708相连接。由图7(b)可看出，在此实施例中，第一主动矩阵704和第二主动矩阵707的扫瞄线是使用不同的连接线而连接到信号接收区703。须注意的是，虽然在本实施例中，第二主动矩阵707的突出部呈现某种形态，但并不表示本发明的范围受此种形态的限制，熟知此项技艺者当可经过简单的修改而得到相同的功能。须注意的是，在图7(a)和7(b)中第一接线区705和第二接线区706的导线是分别且独立的连接于信号接收区703的各pin脚上。

虽然本发明已就一些较佳实施例来说明，但熟悉此技艺者借着前述的说明与附图，当可对其进行修改、增加、及等效的变更。因此任何未脱离本发明的精神与范围，而对其进行修改、增加、及等效的变更，均应包含于本发明之中。