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具有大压电常数和高电阻率的V掺杂ZnO薄膜材料

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摘要

本发明公开了属于新材料领域的一种具有大的压电常数和高电阻率的ZnO薄膜材料。具有压电常数d

1. 具有大压电常数和高电阻率的V掺杂ZnO薄膜材料 [P] . 中国专利： CN101118948A . 2008-02-06
2. 具有大压电常数和高电阻率的ZnO薄膜 [P] . 中国专利： CN101110463A . 2008-01-23
3. Bipolar integrated semiconductor memory device - has active layer on heavily doped substrate with thick high resistivity layer between them [P] . 法国专利： FR2527839B1 . 1984-11-23

机译：双极集成半导体存储器件-在重掺杂衬底上具有有源层，且有源层之间具有厚的高电阻率层
4. Bipolar integrated semiconductor memory device - has active layer on heavily doped substrate with thick high resistivity layer between them [P] . 法国专利： FR2527839A1 . 1983-12-02

机译：双极集成半导体存储器件-在重掺杂衬底上具有有源层，且有源层之间具有厚的高电阻率层
5. Producing a single crystal from silicon through zone-pulling, comprises doping the single crystal with a doping material and producing longitudinal sections of the single crystal, in which the single crystal has a constant resistivity [P] . 德国专利： DE102009037286A1 . 2011-02-24

机译：通过区域拉制从硅制造单晶包括：用掺杂材料掺杂单晶并产生单晶的纵向截面，其中单晶具有恒定的电阻率