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一种用于制备铜铟硒纳米薄膜材料的旋涂法

摘要

一种用于制备铜铟硒纳米薄膜材料的旋涂法,涉及一种制备铜铟硒纳米薄膜材料的工艺流程。本方法选择N,N-二甲基甲酰胺(DMF)为分散溶剂,优选参数为:旋浮液浓度0.6mmol/L;低/高阶段旋涂转速与时间分别是500rpm/9s,5000rpm/30s;退火温度与时间为100度2小时。旋涂法不需要高温高真空,对仪器要求低,薄膜的生产成本低,有利于实现大规模的应用化生产。

著录项

  • 公开/公告号CN101114679A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2008-01-30

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 中国科学院福建物质结构研究所;

    申请/专利号CN200610107970.7

  • 申请日2006-07-25

  • 分类号H01L31/18;H01L21/208;C03C17/22;

  • 代理机构

  • 代理人

  • 地址 350002 福建省福州市杨桥西路155号中国科学院福建物质结构研究所

  • 入库时间 2023-12-17 19:41:21

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2011-07-06

    专利权的视为放弃 IPC(主分类):H01L31/18 放弃生效日:20080130 申请日:20060725

    专利权的视为放弃

  • 2009-08-12

    实质审查的生效

    实质审查的生效

  • 2008-01-30

    公开

    公开

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