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根据入射光选择光电流路径的图像传感器和图像感测方法

摘要

例子实施例可以涉及CMOS图像传感器和图像感测方法,根据入射光的数量或入射光量,选择用于光电流的路径。该CMOS图像传感器可以包括由多个像素对构成的像素阵列。像素对可以包括第一像素,包括第一光电二极管、第一晶体管对以及具有第一电容量的第一浮置扩散节点。该像素对还可以包括第二像素,包括第二光电二极管、第二晶体管对以及具有第二电容量的第二浮置扩散节点。第一晶体管对的第一晶体管可以被连接在第一光电二极管和第一浮置扩散节点之间。第一晶体管对的第二晶体管可以被连接在第一光电二极管和第二浮置扩散节点之间。第二晶体管对的第一晶体管可以被连接在第二光电二极管和第二浮置扩散节点之间。第二晶体管对的第二晶体管可以被连接在第二光电二极管和下一个像素对的第一浮置扩散节点之间。第一浮置扩散节点的第一电容量可以大于第二浮置扩散节点的第二电容量。

著录项

  • 公开/公告号CN101106658A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2008-01-16

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 三星电子株式会社;

    申请/专利号CN200710110170.5

  • 发明设计人 朴钟银;李容济;

    申请日2007-06-14

  • 分类号H04N5/335;H04N3/15;H01L27/148;

  • 代理机构中原信达知识产权代理有限责任公司;

  • 代理人黄启行

  • 地址 韩国京畿道水原市灵通区梅滩洞416番地

  • 入库时间 2023-12-17 19:37:05

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2010-05-05

    发明专利申请公布后的视为撤回 IPC(主分类):H04N5/335 申请公布日:20080116 申请日:20070614

    发明专利申请公布后的视为撤回

  • 2008-01-16

    公开

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