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一种有效降低LDNMOS截止电流并避免双峰特性的补偿注入方法及其应用

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一种有效降低LDNMOS截止电流并避免双峰特性的补偿注入方法，在常规的光刻和离子注入工艺之外，使用了光刻技术产生一个特定的区域，该区域跨越LDNMOS的栅极与浅沟隔离的交接线，在该区域中进行与沟道电性相反的离子注入，降低了LDNMOS器件的截止电流，有效避免了LDNMOS器件的双峰特性。

著录项

公开/公告号CN101106089A

专利类型发明专利
公开/公告日2008-01-16

原文格式PDF
申请/专利权人中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;
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申请/专利号CN200610028921.4
发明设计人梅奎;崔崟;郭兵;金起凖;程超;
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申请日2006-07-13
分类号H01L21/336;H01L21/266;
代理机构北京市金杜律师事务所;
代理人李勇
地址 201203 上海市浦东新区张江路18号
入库时间 2023-12-17 19:37:05

法律信息

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2009-07-29

发明专利申请公布后的驳回

发明专利申请公布后的驳回
2008-03-05

实质审查的生效

实质审查的生效
2008-01-16

公开

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1. 一种有效降低LDNMOS截止电流并避免双峰特性的补偿注入方法及其应用 [P] . 中国专利： CN101106089A . 2008-01-16
2. 一种有效降低高压LDNMOS截止电流并避免双峰特性的IMP方法及其应用 [P] . 中国专利： CN101106090A . 2008-01-16
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