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公开/公告号CN1962940A
专利类型发明专利
公开/公告日2007-05-16
原文格式PDF
申请/专利权人 安徽工业大学;
申请/专利号CN200610097439.6
发明设计人 王世俊;王泉;赵琴;
申请日2006-11-09
分类号C23C22/34;C21C7/064;
代理机构马鞍山市金桥专利代理有限公司;
代理人周宗如
地址 243002 安徽省马鞍山市湖东中路59号
入库时间 2023-12-17 18:37:50
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2009-11-18
发明专利申请公布后的视为撤回
2007-12-19
实质审查的生效
2007-05-16
公开
机译: 镁钝化剂及使用该镁钝化剂制备镁合金的方法
机译: 镁钝化材料及使用该镁钝化材料制造镁合金的方法
机译: 用于形成半导体衬底的钝化膜的材料,用于半导体衬底的钝化膜,用于生产半导体衬底的钝化膜的方法,太阳能电池元件以及制造太阳能电池元件的方法
机译:用烷基三乙氧基硅烷直接修饰钝化的铁电极,以防止含0.1 M氯离子的硼酸盐缓冲液中钝化膜破裂
机译:三维镁镁层支架,用于降低非腐蚀性电解质中的高速镁金属阳极的钝化
机译:通过化学钝化的双面Si光电极,用于光电化学氢和氧气进化反应的化学钝化
机译:为超薄的钝化钝化层中纳米大小的接触开口,用于超薄的CIGS太阳能电池:一种成本和有效的方法
机译:晶体硅的基于钝化生长的天然氧化物的钝化:一种用于硅光伏的低温合成的新方法。
机译:镁基金属间化合物上不稳定的钝化层作为镁离子电池的潜在阳极活性材料
机译:三维镁镁层支架,用于降低非腐蚀性电解质中的高速镁金属阳极钝化的钝化
机译:用于钝化钢和其他金属的电化学方法以及用于同时生产杀生物剂以提供水性饮料的电化学方法