公开/公告号CN1902128A
专利类型发明专利
公开/公告日2007-01-24
原文格式PDF
申请/专利号CN200480039981.5
申请日2004-12-28
分类号C01B31/02;
代理机构北京三友知识产权代理有限公司;
代理人丁香兰
地址 日本京都府
入库时间 2023-12-17 18:12:30
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2009-12-30
发明专利申请公布后的视为撤回
发明专利申请公布后的视为撤回
2008-07-16
发明专利申请公开说明书更正 号:4 卷:23 页码:扉页 更正项目:申请人共同申请人 误:国立大学法人京都大学|日本电信电话株式会社|日本先锋公司|罗姆株式会社 正:国立大学法人京都大学|日本先锋公司|罗姆株式会社 申请日:20041228
发明专利申请公开说明书更正
2008-07-16
发明专利公报更正 号:4 卷:23 页码:731 更正项目:申请人共同申请人 误:国立大学法人京都大学|日本电信电话株式会社|日本先锋公司|罗姆株式会社 正:国立大学法人京都大学|日本先锋公司|罗姆株式会社 申请日:20041228
发明专利公报更正
2007-03-21
实质审查的生效
实质审查的生效
2007-01-24
公开
公开
机译: 金属碳纳米管的破坏方法,半导体碳纳米管的集合体的制造方法,半导体碳纳米管的薄膜的制造方法,半导体碳纳米管的破坏方法,金属碳纳米管的集合体的制造方法,制造方法碳纳米管薄膜的制造,电子器件的制造方法,碳纳米管集合体的制造方法,半导体碳纳米管的选择性反应的方法
机译: 金属单壁碳纳米管的破坏性如何,半导体单壁碳纳米管组件的制造方法,半导体单壁碳纳米管薄膜的制造方法,半导体单壁碳纳米管的破坏性方法,金属单壁碳纤维纳米管集合体的制造方法,金属单壁碳纳米管薄膜的制造方法以及碳纳米管FET电子器件的制造方法
机译: 金属碳纳米管的击穿方法,半导电碳纳米管的凝结和成膜的生产方法,半导电碳纳米管的击穿方法,金属碳纳米管的凝结和薄膜的制造方法,电子生产的制造方法碳纳米管聚集体以及金属和半导电碳纳米管的选择性反应方法