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光抽运的表面发射半导体激光器件及其制造方法

摘要

本发明涉及一种光抽运的表面发射半导体激光器件,这种器件具有至少一个产生辐射的量子阱结构(1)和至少一个用于量子阱结构(11)的光抽运的抽运辐射源(20),而抽运辐射源(20)则具有一个边缘发射的半导体结构(21)。产生辐射的量子阱结构(11)和边缘发射的半导体结构(21)在一个共同的衬底(1)上外延生长。用这种单片制成的半导体激光器件有利于产生辐射的量子阱结构的很有效和均匀的光抽运。此外,本发明提出了这类半导体激光器件的制造方法。

著录项

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2009-07-01

    发明专利申请公布后的视为撤回

    发明专利申请公布后的视为撤回

  • 2007-04-11

    实质审查的生效

    实质审查的生效

  • 2007-01-31

    公开

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