集成电路一次可程序化内存的程序化方法

摘要

本发明公开了集成电路一次可程序化内存的程序化方法，系统内存能够以两种写入模式，分别写入指令集或标准参数，使集成电路的内部结构简化；且标准参数写入于系统内存内，充分利用了系统内存的有效空间；使集成电路厂商无需针对不同应用提前写入各种校正参数；集成电路厂商可以藉以提高生产效率，降低生产成本。本发明的测量电路不需要额外外接存储组件，节省最终系统产品的组件，降低最终的电子测量装置的成本。由于本发明提供的测量电路具有自我烧录校正参数的功能，可在最终系统产品制造完成后，直接进行自我校正，使其校正程序简化，对于应用厂商或集成电路厂商均可以藉以降低生产成本。

说明书

【技术领域】

本发明涉及一种集成电路，特别涉及其中的一次可程序化内存(OTPMemory)的程序化方法。

【背景技术】

目前，公知的测量用集成电路结构包括模数转换器(ADC)、微处理器(MCU)和系统内存等。而MCU则包含有随机存储器(RAM)、中央计算单元(CPU)、程序化接口等。

集成电路在应用于测量装置时，将压力、重量等传感器(sensor)与待测信号接触，传感器将待测信号的物理量转换成电信号(电压量或是电流量)，该电信号被集成电路的模数转换器转换成数字信号，被MCU计算、处理或是进一步转换，并显示在外接的显示器上。然而促使MCU计算、处理或是进一步转换的根源，就是来自于系统内存内所储存的指令集，指令的总和及顺序便成为程序。

但是，上述应用中，很多包含有ADC的集成电路在能够正确显示测量值之前，都必须经过校正手续，如此ADC及MCU方可正确无误地将该待测信号的物理量转换成相对应的数字结果显示出来。在电子测量装置之校正程序中，使用具有标准物理量之标准量测物，传感器接触标准量测物后发出一标准量测讯号，经转换成数字讯号后成为标准参数并储存于内存之中，当微处理器执行一般量测程序时，从内存中取出校正用的标准参数，并根据量测讯号计算实际量测值。因此，经过校正之后，会产生相对应的校正系数，这些校正系数需要被储存下来，同时必须能够被MCU读取，如此，MCU方可正确地运行计算或转换的功能并呈现精确的数值。因此，大多数电子组件都需要外接的电可擦除可编程只读存储器(EEPROM)以提供储存这些校正参数的能力。

然而，若要将校正系数储存放于EEPROM中，尚需另外的烧录器，方可将系数烧录进入EEPROM中储存。烧录完成后，再将该EEPROM取出烧录器并且连接于最终系统产品电子测量装置上，才算完成校正手续。

一般而言，以外部存储器储存标准参数时，微处理器经由程序化接口将标准参数存放于外部存储器中。使用一个专门存放标准参数的外部存储器，会使得集成电路的制造成本较高，再者，集成电路必须使用较为复杂的架构，如增加串行接口，才能够将标准参数存放到外部存储器。另一方面，集成电路的微处理器使用的指令集，必须储存于一系统内存中，由微处理器直接读取指令并加以执行。通常系统内存的容量在储存指令集之后，会有很大的空白区域，在正常操作模式下，这些空白区域都不会被使用到而被浪费。

【发明内容】

本发明的目的就是为了解决以上技术问题，提供一种校正程序简化、应用成本降低、可自我程序化的集成电路一次可程序化内存的程序化方法。

为实现上述目的，本发明提出一种集成电路一次可程序化内存的程序化方法，至少包含步骤：

经由第一程序化接口写入指令集至该一次可程序化内存；

运行该指令集中的自我程序化指令，经由第二程序化接口写入该集成电路之校正参数至该一次可程序化内存。

上述之程序化方法，其中写入该指令集至该一次可程序化内存系由外部设备经由该第一程序化接口写入至该一次可程序化内存。其中该校正参数的写入系由集成电路之微处理器经由该第二程序化接口，将该校正参数写入至该一次可程序化内存，该第二程序化接口系内建于该微处理器之中。其中该第一程序化接口与该第二程序化接口经由一多工器耦接至该一次可程序化内存，以该多工器切换该第一程序化接口与该第二程序化接口至该可一次可程序化内存的连接。其中该微处理器写入该校正参数至该一次可程序化内存所需的时间长度，系根据该一次可程序化内存的规格而定。其中该微处理器写入该校正参数至该一次可程序化内存所需的时间长度，被记录于该指令集之中。

一种集成电路一次可程序化内存的程序化方法，至少包含：

写入一指令集至该集成电路的一次可程序化内存；

该集成电路之微处理器执行该指令集的程序化程序；

该微处理器根据该程序化程序之写入指令，写入校正参数至该一次可程序化内存。

上述之程序化方法，其中该写入指令之写入持续时间系根据该一次可程序化内存的规格而定。其中该指令集系由外部设备经由集成电路的一程序化接口写入至该一次可程序化内存。其中该校正参数之写入系经由集成电路内微处理器之程序化接口，写入该校正参数至该一次可程序化内存。其中该微处理器系根据该写入指令，决定对该一次可程序化内存的写入时间。

一种集成电路一次可程序化内存的程序化方法，至少包含：

从该一次可程序化内存读取一自我程序化指令；

将该一次可程序化内存转为自我程序化模式；

执行该程序化指令，在写入时间内写入该集成电路之校正参数至该一次可程序化内存。

上述之程序化方法，其中系由该集成电路之一微处理器写入该校正参数至该一次可程序化内存。其中该写入时间系根据该一次可程序化内存的规格而定。其中该写入时间系记录于该自我程序化指令之中。其中将该一次可程序化内存转为该自我程序化模式之后，与写入该校正参数至该一次可程序化内存之间，具有一时间延迟，使得集成电路内部电压在提高后趋于稳定，再开始数据写入动作。其中结束该自我程序化模式之前，设定一段时间延迟，使得集成电路的电压趋于稳定。

由于采用了以上的方案，至少带来了如下的有益效果：

由于采用了本发明的方法，系统内存能够以两种写入模式，分别写入指令集或标准参数，使集成电路的内部结构简化；且标准参数写入于系统内存内，充分利用了系统内存的有效空间；使集成电路厂商无需针对不同应用提前写入各种校正参数；集成电路厂商可以藉以提高生产效率，降低生产成本。

对于应用厂商而言，应用本发明的集成电路时，其校正程序简化，也可以藉以提高生产效率，降低生产成本。

由于集成电路可利用本发明方法进行自我程序化，具有自我烧录校正参数的功能，可在最终系统产品制造完成后，直接进行自我校正。由于直接利用集成电路固有的系统内存储存校正参数，无需测量电路的应用厂商在生产最终系统产品前先利用外接存储器写入校正参数，本发明的测量电路在应用时，不需要额外的外接EEPROM等存储组件，节省最终系统产品的组件，降低最终的电子测量装置的成本。

【附图说明】

图1是应用本发明实施例的集成电路的架构示意图。

图2是应用本发明实施例的程序化流程图。

符号说明：100-集成电路，101-微处理器，103-程序化接口，105-周期产生器，107-串行程序化接口，109-多工器，111-系统内存

【具体实施方式】

下面通过具体的实施例并结合附图对本发明作进一步详细的描述。

请参照第1图，根据本发明之具体实施例，说明集成电路100的架构图。集成电路100包括微处理器101、周期产生器105、串行程序化接口107、多工器109与系统内存111，其中微处理器101包括一程序化接口103。微处理器101经由程序化接口103与多工器109连接系统内存111，串行程序化接口107经由多工器109连接系统内存111，而且微处理器101更连接一周期产生器105，在微处理器101必须依照周期产生器105所产生之频率周期来执行指令。系统内存111采用一次可程序化(OTP)内存，如EPROM等。

集成电路100在执行各种功能时，系由微处理器101从系统内存111取出所需之指令，然后加以执行，而集成电路100以标准物理量执行校正程序后，所得之校正参数系存放于系统内存111之中，当微处理器101执行量测程序时，从系统内存111取出校正参数，根据校正参数及传感器所传来的量测讯号，计算出此量测讯号所代表的实际物理量。因此，系统内存111同时具有微处理器所需的指令集与校正参数，但是，储存指令集与校正参数至系统内存是使用不同的方式。

请再参阅第1图，微处理器101的功能运行都是根据指令集中的指令，在运行集成电路100的所有功能之前，必须先将指令集存入系统内存111之中，然后微处理器101根据所选择之功能来取用指令集中的指令并加以执行。指令集系由外部输入至集成电路100，外部设备经由串行程序化接口107与多工器109输入指令集至系统内存111。由于微处理器101在集成电路100尚未正常运作之前无法被操作，因此，指令集系从串行程序化接口107输入至系统内存111。在完成指令集的储存之后，开始进行集成电路100的校正程序，在微处理器101从传感器(图中未显示)接收到标准物理量之标准量测讯号后，计算出校正参数，经由程序化接口103与多工器109储存至系统内存111之中，而微处理器101执行指令的动作系根据周期产生器105所产生之频率周期。

根据本发明之具体实施例，写入指令集与校正参数至系统内存111，系分别经由串行程序化接口107与程序化接口103至多工器109，再经由多工器109至系统内存111，而写入程序是先写入指令集至系统内存111，微处理器101使用指令集之程序化指令，将校正参数经由程序化接口103写入系统内存111之中。

根据本发明之具体实施例，系统内存111有两种程序化方法，先由外部设备经由串行程序化接口107输入指令集，然后使用指令集中的程序化指令，写入校正参数至系统内存111。换言之，系先使用外部设备来程序化系统内存111，然后使用已储存之指令集中的程序化指令，由微处理器101执行程序化指令，对系统内存111作自我程序化动作。

根据本发明之具体实施例，微处理器101在执行一般指令时，系经由程序化接口103连接至系统内存111，读取流程为微处理器101经由程序化接口103送出读取地址、频率周期至系统内存111，然后系统内存111直接送回指令集或校正参数至微处理器101。

请参阅第2图，系根据本发明之具体实施例说明集成电路的自我程序化流程图。步骤201，微处理器101开始执行程序；步骤203，微处理器101从系统内存111读取指令；步骤205，微处理器101判断所读之指令是否为自我程序化指令，若是则执行步骤207，若否则执行步骤217，直接执行指令内容，并在执行指令之后回到步骤203；步骤207，系统内存111转为程序化模式，开始写入校正参数的动作；步骤209，微处理器101在执行程序化指令时，根据周期产生器105的频率周期执行程序化指令，而且锁定频率周期的上升沿，因系统内存的写入电压高于一般的操作电压，微处理器101必须设定一段时间的时间延迟，使得集成电路101内部的电压在提高后趋于稳定，再开始数据写入动作；步骤211，在固定时间内程序化系统内存111，写入校正参数至系统内存111之中，此固定的写入时间系根据系统内存111的规格而定，系统内存111具有固定的写入时间时，微处理器101根据频率周期来执行程序化指令，微处理器101根据写入时间计算出需要多少个频率周期，来控制校正参数的写入时间。根据本发明之具体实施例，系统内存111系为可抹除程序化只读存储器(EPROM)，或者，系统内存111为其他一次可程序化内存(One Time Programmable Memory；OTP memory)，其写入时间系有关于内存的规格，当集成电路100使用不同规格之可擦除可编程只读存储器或其他一次可程序化内存时，所需的写入时间会随之更改，此时仅需更改指令集之程序化指令的写入时间参数，即可达到更改写入时间长度的目的。

请继续参阅第2图，在完成步骤211之后，执行步骤213，微处理器锁定频率周期之下降沿设定时间延迟，由于系统内存111之写入电压高于一般操作电压，在结束程序化指令之前，必须设定一段时间延迟，使得集成电路100的电压趋于稳定，然后执行步骤215，切换系统内存111的操作模式回到读取模式，在回到读取模式之后，回到步骤203，微处理器203根据系统需求重新读取指令。

虽然本发明已以较佳实施例揭露如上，然其并非用以限定本发明，任何熟习此技艺者，在不脱离本发明之精神和范围内，当可作些许之更动与润饰，因此本发明之保护范围当视申请专利权利要求范围所界定者为准。