多层反射镜光谱纯滤光片、光刻设备以及装置制造方法

摘要

多层反射镜包括位于多层反射镜顶部的光谱纯度增强层，其比如可用于EUV光刻设备。这个光谱纯度增强层包括第一光谱纯度增强层，但是介于多层反射镜和第一光谱纯度增强层之间可存在有中间层或者第二光谱纯度增强层和中间层。因此，具有下列配置的多层反射镜是可能的：多层反射镜/第一光谱纯度增强层；多层反射镜/中间层/第一光谱纯度增强层；以及多层反射镜/第二光谱纯度增强层/中间层/第一光谱纯度增强层。可提高正入射辐射的光谱纯度，以使DUV辐射的减少相对EUV辐射更强。

说明书

技术领域

本发明涉及用于多层反射镜的光谱纯滤光片、包括这样的多层反射镜的光刻设备、用于放大想要的辐射与不想要的辐射的比率的方法、以及使用这样的多层反射镜的装置的制造方法。

背景技术

光刻设备是一种将想要的图案施加到衬底(通常为衬底的目标部分)上的机器。光刻设备可用于比如集成电路(IC)的制造。在那种情形下，可利用另外被称为掩模或分划板的图案形成装置生成将在IC的单个层上形成的电路图案。该图案可被转移到衬底(如硅片)上的目标部分(如包括一个或若干管芯的部分)。图案的转移通常借助于在衬底上设置的辐射敏感材料层(光刻胶)上的成像。一般地，单个衬底将包含被连续图案化的相邻目标部分的网络。已知的光刻设备包括分档器和扫描器，在分档器中，通过同时使整个图案曝光到目标部分上而使每个目标部分被照射；在扫描器中，通过辐射束沿着给定方向(“扫描方向”)扫描图案并同时沿着与这个方向平行或反平行的方向扫描衬底而使每个目标部分被照射。通过在衬底上压印图案也能将图案从图案形成装置转移至衬底。

在光刻设备中，能够在衬底上成像的特征的尺寸受限于投射辐射的波长。为了制造具有更高装置密度以及因此具有更高的操作速度的集成电路，希望能够对更小的特征进行成像。虽然目前大部分光刻投影设备使用由水银灯或受激准分子激光器生成的紫外光，但是已经建议使用更短波长的辐射。这样的辐射被称作极远紫外(EUV)或软x射线，并且可能的光源包括比如激光产生的等离子体光源、放电等离子体光源、或来自电子储存环的同步辐射。

EUV辐射的光源通常为等离子体光源，比如激光产生的等离子体或放电光源。在某些情形下，EUV光源可发射若干不同波长的光束，其中的一些可能是不想要的辐射，比如深紫外辐射(DUV)。这种非-EUV辐射在某些情形下对EUV光刻系统可能是有害的，因为它可导致对比度损失。因此，可以期望通过光谱纯滤光片(SPF)将这种不想要的辐射去掉。

本光谱纯滤光片是基于炫耀光栅的。这些光栅常常难以制造，因为三角形形状的图案的表面质量应当是较高的。例如，对某些光栅来说，表面的粗糙度应当低于1nm RMS。除了这点以外，目前的光谱纯滤光片折叠了光路，这意味着不能将其从系统中取下，除非另一个反射镜被用来代替光谱纯滤光片，因而导致了损失。为了保持灵活性，可期望能够随意地将光谱纯滤光片从系统中取下，以便规避由光谱纯滤光片造成的损失。

发明内容

本发明的一个方面是提供了用于放大EUV辐射和DUV辐射比率的多层反射镜，例如可用于光刻设备。本发明的另一个方面是提供了包括这种多层反射镜或包括许多这样的多层反射镜的光刻设备。本发明的又一个方面是提供了一种用于放大EUV辐射和DUV辐射比率的方法，以及一种其中应用这样的方法的装置制造方法。

本发明提供了包括在多层反射镜顶部的光谱纯度增强层的多层反射镜，尤其可用于EUV光刻设备。这个光谱纯度增强层至少包括第一光谱纯度增强层，但是在多层反射镜和第一光谱纯度增强层之间还可存在有中间层或者第二光谱纯度增强层和中间层。因此，在本发明的实施例当中，存在具有下列配置的多层反射镜：多层反射镜/第一光谱纯度增强层；多层反射镜/中间层/第一光谱纯度增强层；以及多层反射镜/第二光谱纯度增强层/中间层/第一光谱纯度增强层。这些和其它的实施例可增强正入射辐射的光谱纯度，以使DUV辐射的减少相对强于EUV辐射。

附图说明

现在将通过举例的方式并参考所附的示意图对本发明的实施例进行描述，其中相应的标记符号表示相应的部分，开且其中：

图1示意性地描述了按照本发明实施例的光刻设备；

图2示意性地描述了按照图1的光刻投影设备的EUV照明系统和投影光学的侧视图；

图3示意性地描述了按照本发明的多层反射镜；

图4a-c示意性地描述了按照本发明的多层反射镜的实施例；

图5示意性地描述了按照本发明实施例的多层反射镜；

图6描述了按照本发明实施例的光谱纯度增强层的层厚度对反射率的影响；

图7描述了用于按照本发明实施例的光谱纯度增强层的多种材料的选择对反射率的影响；

图8描述了在使用按照本发明实施例的Si₃N₄的光谱纯度增强层时该层厚度对反射率的影响；

图9描述了按照本发明实施例的光谱纯度增强层的反射率的模型研究；

图10描述了在按照本发明实施例的光谱纯度增强层上的覆盖层对反射率的影响；

图11描述了按照本发明实施例的多个光谱纯度增强层对DUV和EUV损失的比率的影响。

具体实施方式

图1示意性地描述了按照本发明实施例的光刻设备1。设备1包括照明系统(照明器)IL，其被配置成可调节辐射束B(如UV辐射或EUV辐射)。支持体(如掩模工作台)MT被配置成可支持图案形成装置(如掩模)MA，并且与被配置成可依照某些参数将图案形成装置精确定位的第一定位装置PM相连。衬底工作台(如晶片工作台)WT被配置成可支持衬底(如光刻胶涂敷的晶片)W，并且与被配置成可依照某些参数将衬底精确定位的第二定位装置PW相连。投影系统(如折射式投影透镜系统)PS被配置成可通过图案形成装置MA将传递给辐射束B的图案投射到衬底W的目标部分C(例如包括一个或多个管芯)上。

照明系统可包括对辐射进行定向、成形和/或控制的各种类型的光学元件，比如折射的、反射的、磁的、电磁的、静电的或其它类型的光学元件、或者其中的任何组合。

支持体支撑着图案形成装置(比如承载其重量)。支持体以依赖于图案形成装置的方位、光刻设备的设计以及其它条件(例如，图案形成装置是否被保持在真空环境中)的方式支撑着图案形成装置。支持体可使用机械的、真空的、静电的或其它的箝位技术来支撑图案形成装置。支持体可以是比如根据需要而被固定或可移动的框架或者工作台。支持体可确保图案形成装置位于比如相对投影系统来说所期望的位置。在这里，术语“分划板”或“掩模”的任何用法可被认为与更通用的术语“图案形成装置”是同义的。

这里所使用的术语“图案形成装置”应当被广义地解释为指可用来将图案传递到辐射束的横截面上以致在衬底的目标部分产生图案的任何装置。应当注意的是：比如如果图案包括相移特征或所谓的辅助特征，则被传递给辐射束的图案可以不是与衬底的目标部分中想要的图案精确对应的。一般地，被传递给辐射束的图案将与正在目标部分中被生成的、装置中的特定功能层(如集成电路)相对应。

图案形成装置可以是透射式的或反射式的。图案形成装置的示例包括掩模、可编程反射镜阵列和可编程LCD面板。掩模在光刻术领域中是众所周知的并包括如二进制、交替的相移和被衰减的相移这样的掩模类型以及各种混合掩模类型。可编程反射镜阵列的示例使用小反射镜的矩阵布置，其中的每个反射镜可以是独立倾斜的，以便以不同的方向反射入射辐射束。倾斜的反射镜在被反射镜矩阵反射的辐射束中传递图案。

这里所使用的术语“投影系统”应当被广义地解释为：包含任何类型的投影系统，包括折射的、反射的、反射折射的、磁的、电磁的和静电的光学系统、或者其中任何的组合，适于正被使用的曝光辐射或者适于其它因素(如浸液的使用或真空的使用)。在这里，术语“投影透镜”的任何用法可被认为与更通用的术语“投影系统”是同义的。

正如这里所描述的，设备是反射类型的(如使用反射掩模)。另一方面，设备可以是透射类型的(如使用透射掩模)。

光刻设备可以是具有两个(双台)或多个衬底工作台(和/或两个或多个掩模工作台)的类型的。在这种“多个台”的机器中，附加的工作台可被并行使用，或者可以在一个或多个工作台上实施预备步骤而一个或多个另外的工作台被用于曝光。

光刻设备还可以是下列类型的：其中至少部分衬底可被折射指数相对较高的液体(如水)所覆盖，以便填充投影系统和衬底之间的空间。浸液还可以用于光刻设备的其它空间(例如掩模和投影系统之间的空间)。浸没技术在增加投影系统的数值孔径的领域中是众所周知的。这里所使用的术语“浸没”不意味着结构(如衬底)必须被浸没在液体中而是仅仅意味着在曝光期间液体位于比如投影系统和衬底之间。

参考图1，照明器IL接收来自辐射源SO的辐射。该源和光刻设备可以是独立的实体(比如，当辐射源是一个受激准分子激光器时)。在这样的情形下，不认为源是构成光刻设备的一部分，并且借助于包括有比如适当的定向反射镜和/或光束扩展器的光束输送系统，将辐射从源SO传递至照明器IL。在其它情形下，源可以是光刻设备的整体部分(比如，当辐射源是水银灯时)。源SO和照明器IL(如果需要的话，可连同光束输送系统)可被称为辐射系统。

照明器IL可包括调节装置，该调节装置被配置成可调节辐射束的角强度分布。一般地，在照明器的光瞳平面内强度分布的至少外部和/或内部径向范围(通常分别被称为σ-外部和σ-内部)可被调节。另外，照明器IL可包括各种其它的元件，如积分器和聚光器。照明器可用来调节辐射束，在其横截面内拥有希望得到的均一性和强度分布。

辐射束B入射到被支持体(如掩模工作台MT)支撑的图案形成装置(如掩模MA)上并且通过图案形成装置被图案化。已经穿过掩模MA的辐射束B穿过将辐射束投影到衬底W的目标部分C的投影系统PS。借助于第二定位装置PW和位置传感器IF2(如干涉装置、线性编码器或电容传感器)，衬底工作台WT可被精确地移动，比如以便在辐射束B的路径中使不同的目标部分C定位。类似地，第一定位装置PM和另一个位置传感器IF1(如干涉装置、线性编码器或电容传感器)可用来使掩模MA相对于辐射束B的路径被精确定位，比如从掩模库机械检索之后或在扫描期间。一般地，借助于构成第一定位装置PM的部分的长行程模块(粗糙定位)和短行程模块(精细定位)可实现掩模工作台MT的移动。类似地，利用构成第二定位装置PW的部分的长行程模块和短行程模块可实现衬底工作台WT的移动。在分档器的情形中，与扫描仪相反，掩模工作台MT可以只和短行程致动器相连接或者可以被固定。使用掩模对准标记M1、M2和衬底对准标记P1、p2，掩模MA和衬底W可以被调准。尽管如图所示的衬底对准标记占据了专用的目标部分，但是可使它们位于目标部分之间的空间(这些被称为是划线巷道对准标记)。类似地，在不止一个的管芯被设置在掩模MA上的情形下，可使掩模对准标记位于管芯之间。

所描述的设备可用于下列模式中的至少一种：

1.在分档模式中，掩模工作台MT和衬底工作台WT基本上保持不动，而被传递给辐射束的整个图案被同时投射在目标部分C上(即单个静态曝光)。接着，衬底工作台WT在X和/或Y方向上被移动，以使不同的目标部分C可被曝光。在分档模式中，曝光场的最大尺寸限制了在单个静态曝光中成像的目标部分C的尺寸。

2.在扫描模式中，掩模工作台MT和衬底工作台WT被同时扫描，而被传递给辐射束的图案被投射在目标部分C上(即单个动态曝光)。衬底工作台WT相对于掩模工作台MT的速度和方向可通过投影系统PS的(缩小)放大和图像反转特征来确定。在扫描模式中，曝光场的最大尺寸限制了在单个动态曝光中目标部分的宽度(在非扫描方向上)，而扫描移动的长度确定了目标部分的高度(在扫描方向上)。

3.在另一个模式中，支撑可编程图案形成装置的掩模工作台MT基本上保持不动，衬底工作台WT被移动或被扫描，而被传递给辐射束的图案被投射在目标部分C上。在这种模式中，一般地，在扫描期间，使用脉冲辐射源并且在衬底工作台WT每次移动之后或者在连续辐射脉冲之间根据需要对可编程图案形成装置进行更新。可以很容易地将这种操作模式应用于利用可编程图案形成装置(如上面提到的可编程反射镜阵列的类型)的无掩模光刻术。

还可以使用上述模式的组合和/或变化或者是完全不同的模式。

在上下文中所提及的术语“透镜”可指各种类型的光学元件的任何一个或组合，包括折射的、反射的、磁的、电磁的和静电的光学元件。

正如本领域技术人员已知的，这里所使用的术语“层”可描述具有一个或多个边界表面的层，这些一个或多个边界表面具有其它层和/或其它像真空这样的介质(使用中)。然而，应当了解“层”还可意味着结构的部分。术语“层”还可表示许多层。这些层可以是比如彼此紧邻的或者是一个位于另一个上方，等等。它们还可包括一种材料或多种材料的组合。还应当注意的是，这里所使用的术语“层”可描述连续的或不连续的。在本发明中，这里所使用的术语“材料”还可被解释成材料的组合。

这里所使用的术语“辐射”和“射束”包含所有类型的电磁辐射，包括紫外(UV)辐射(如具有365、248、193、157或126nm的波长λ)和极远紫外(EUV或软x射线)辐射(如具有范围为5-20nm的波长)，以及粒子束(如离子射束或电子射束)。一般地，具有介于大约780-3000nm之间(或更大)的波长的辐射被看作是IR辐射。UV指具有约为100-400nm的波长的辐射。在光刻技术内，它通常还适用于可由水银放电灯产生的波长：G-线436nm；H-线405nm；和/或I-线365nm。VUV为真空UV(即被空气吸收的UV)并且指约为100-200nm的波长。DUV为深UV，并且通常在由受激准分子激光器产生的如126nm-248nm的波长的光刻术中使用。本领域的技术人员理解，具有范围为比如5-20nm的波长的辐射涉及某一波带的辐射，其中至少部分被发现处于5-20nm的范围内。

这里的折射率指在辐射波长处或者在辐射波长范围内的折射率，所述的辐射波长范围选自100-400nm的范围，比如介于100和200nm之间。

图2更详细地示出了投影设备1，其包括辐射系统42、照明光学单元44、以及投影光学系统PS。辐射系统42包括辐射源SO，其可通过放电等离子体而构成。EUV辐射可由气体或蒸汽(如Xe气体、Li蒸汽或Sn蒸汽)产生，其中生成非常热的等离子体，以便在电磁光谱的EUV范围内发射辐射。如本领域的技术人员已知的，通过比如放电而促成至少部分离子化的等离子体从而产生非常热的等离子体。辐射的有效生成需要Xe、Li、Sn蒸汽或任何其它适当的气体或蒸汽的例如010Pa的分压。由辐射源SO发射的辐射经由气体阻挡层或污染物陷阱(contamination trap)49从源室47进入集光器室48，气体阻挡层或污染物陷阱49位于源室47中的开口内或后面。比如在美国专利6,614,505、6,359,969和WO 04/104707中详细描述过，气体阻挡层49包括通道结构，在这里通过引用而将其内容结合在此。

集光器室48包括辐射集光器50，辐射集光器50可由比如掠入射集光器构成。集光器50可包括若干反射器142、143、146。反射器142被称为内反射器，反射器146被称为外反射器。辐射集光器50对现有技术来说是已知的。可用于本发明的辐射集光器的一个示例在美国专利申请公布2004/0094274 A1(例如在图3和4中)被描述过，在这里通过引用而将其内容结合在此。

经过集光器50的辐射被反射，从光栅光谱滤光片51离开而被聚焦于集光器室48内的孔径处的虚源点52。离开集光器室48后，辐射束56在照明光学单元44中借助于正入射反射器53、54被反射到位于分划板或掩模工作台MT上的分划板或掩模上。形成图案化的辐射束57，图案化的辐射束57借助于反射元件58、59在投影系统PS内被成像于晶片台或衬底工作台WT上。在照明光学单元44和投影系统PS中存在有比所示出的更多的元件。取决于光刻设备的类型，可提供光栅光谱滤光片51。另外，如本领域的技术人员将了解的，可存在有比图中所示的还要多的反射镜，如存在有比58、59多出1-4个反射元件，这在比如美国专利6,556,648中被描述的，在这里通过引用而将其结合在此。

如图1和2所示的光刻设备可以是下列光刻设备，比如EUV光刻设备，包括被配置成可调节辐射束的照明系统；被配置成可支持图案形成装置的支持体，图案形成装置被配置成可在其横截面上将图案传递给辐射束以形成图案化的辐射束；被配置成可支持衬底的衬底工作台；被配置成可将图案化的辐射束投射到衬底的目标部分的投影系统；辐射源；以及集光器反射镜。

在一个实施例中，由集光器反射镜50收集的、用于本发明光刻设备和方法的辐射包括EUV辐射，该辐射具有选自5-20nm范围的波长，如13.5nm。

图3示意性地描述了按照本发明的多层反射镜100。多层反射镜100包括多层反射镜叠层102，比如包括许多交替的Mo/Si、或W/Si、或WRe/Si层。多层反射镜100可以是正入射反射镜。对本领域的技术人员来说，多层反射镜和正入射反射镜是已知的。这样的反射镜在下列文献中被描述，比如J.H.Underwood和T.W.Barbee、Jr.的“Layered synthetic microstructures as Bragg diffractorsfor X rays and extreme ultraviolet：theory and predictedperformance”，Applied Optics 20，3027(1981)；K.M.Skulina、C.S.Alford、R.M.Bionta、D.M.Makowieki、E.M.Gullikson、R.Soufli、J.B.Kortright和J.H.Underwood的“Molybdenum/BerylliumMultilayer Mirrors for Normal Incidence in the ExtremeUltraviolet”，Applied Optics34，3727(1995)；以及EberhardSpiller的“Soft X-ray Optics”，SPIE，Bellingham Washington(1994)，通过引用而将其全部结合在此。多层叠层102具有顶部层103，其可以是Mo或Si(即属于多层叠层102的若干层之一)。在这个多层叠层顶部层103的顶部，设有光谱纯度增强层104并且可选地设有附加的覆盖层105。按照本发明的多层反射镜的许多实施例在图4a-c中被示意性地详细描述。

图4a示意性地描述了按照本发明实施例的多层反射镜，其包括a)多层叠层102，多层叠层102包括具有多层叠层顶部层103的多个交替层，以及b)被布置在多层叠层上的光谱滤光片顶部层104。光谱滤光片顶部层104可包括具有层厚为d1的第一光谱纯度增强层110；具有层厚为d2的中间层111；以及具有层厚为d3的第二光谱纯度增强层112，第二光谱纯度增强层被布置在多层叠层顶部层103上。可设置覆盖层105。

图4b示意性地描述了按照本发明的多层反射镜100的另一个实施例，其包括a)多层叠层102，多层叠层102包括具有多层叠层顶部层103的多个交替层，以及b)被布置在多层叠层上的光谱滤光片顶部层104。光谱滤光片顶部层104可包括具有层厚为d1的第一光谱纯度增强层110；以及具有层厚为d2的中间层111；中间层111被布置在多层叠层顶部层103上。

图4c示意性地描述了按照本发明的多层反射镜100的另一个实施例，其包括a)多层叠层102，多层叠层102包括具有多层叠层顶部层103的多个交替层，以及b)被布置在多层叠层上的光谱滤光片顶部层104。光谱滤光片顶部层104可包括具有层厚为d1的第一光谱纯度增强层110；第一光谱纯度增强层110被布置在多层叠层顶部层103上。

使用这些光谱滤光片顶部层104，可滤出特定的辐射频带。这提供了灵活性，因为通过改变包括在光谱纯度增强层104中的相应层的一种或多种被选择的材料(分别为m1、m2和m3)、被选择的层厚(分别为d1、d2和d3)，以及通过选择接受这样的光谱滤光片顶部层104的多层反射镜的数目可调整抑制量。如此，可使用不想要辐射(如DUV)的所需要的抑制，同时最小化的EUV损失。不同的光谱滤光片顶部层104可在不同的反射镜上使用以便使抑制更宽或更强。

这将被详细解释，首先参见只包括第一光谱纯度增强层110的光谱滤光片顶部层104，例如如图4c所示。随后，讨论两个其它实施例，前者针对包括了两个被中间层隔开的光谱纯度增强层的光谱滤光片顶部层104，后者针对包括了第一光谱纯度增强层和中间层的光谱滤光片顶部层104。

图5示意性地描述了如图4c所描述的按照本发明实施例的多层反射镜100，其包括多层叠层102和光谱滤光片顶部层104，光谱滤光片顶部层104只包括层厚为d1的第一光谱纯度增强层110。图5实际上示出的是3-层系统，其中第一“层”是在多层反射镜100上方的空气，例如在处理条件下的真空。第二层是第一光谱纯度增强层110；以及系统的第三层是多层叠层102。考虑未达到正入射的辐射(例如之间相差多达15°)，因为多层叠层102还可用于正入射光。因此，结果不是偏振相关的，即横向电模(TE)与横向磁模(TM)相同。

在光束从层1(周围环境；多层反射镜1上方的空气)进入系统时，在其顶部具有第一光谱纯度增强层110的多层叠层102的强度反射R的方程是：

R＝|r|²

r＝r₁₂+t₂₁·b

$>>b>=>>>>r>23>>·>>t>12>>·>exp>>(>i>·>2>·>>K>2>>·>t>)>>>>1>->>r>23>>·>>r>21>>·>exp>>(>i>·>2>·>>K>2>>·>t>)>>>>->->->>(>1>)>>>s>$

$>>>K>2>>=>>>2>\pi >>\lambda >>·>>N>2>>>s>$

其中：

r_pq是从层p进入并在p和q之间的界面处反射的正入射平面波的反射的菲涅耳振幅反射系数。在这里r₂₃是在第一光谱纯度增强层110内、在第一光谱纯度增强层110和多层叠层102之间的界面处的光反射；

t_pq是从层p进入层q的平面波透射的菲涅耳振幅透射系数；

λ是光的波长；

t是第一光谱纯度增强层110的厚度(即d1)；

K₂是介质p中的波数；

N_p＝n_p+j*k_p为介质p的复折射率。

对本领域的技术人员来说，菲涅耳反射是公知的并且实际上可在任何有关光学的书上找到(参见，比如E.Hecht的“Optics”第二版，Addison Wesley，1997，在这里通过引用而将其结合在此)。对于正入射光，来自介质p的光在介质p和介质q之间的界面处的菲涅耳反射是与偏振无关的，并通过下式给出：r_pq＝(N_p-N_q)/(N_p+N_q)。在多层的情形中，应当计算来自层2、在第一光谱纯度增强层110和多层叠层102之间的界面处的射束的反射r₂₃。

第一光谱纯度增强层110的厚度可以尽可能地小，以避免EUV损失。在另一个实施例中，第一光谱纯度增强层110包括选自Si₃N₄、SiO₂、ZnS、Te、金刚石、CsI、Se、SiC、非晶碳、MgF₂、CaF₂、TiO₂、Ge、PbF₂、ZrO₂、BaTiO₃、LiF或NaF的材料m1。在又一个实施例中，材料m1选自Si₃N₄、SiO₂、ZnS、Te、金刚石、CsI、Se、SiC、非晶碳。光谱滤光片顶部层104(在这个实施例中为第一光谱纯度增强层110)具有的层厚d1介于大约0.5和30nm之间。按照本发明的实施例在下面的表1中给出。

表1  单层光谱纯度增强层104的实施例的示例

  光谱纯度增强层104(即第一  光谱纯度增强层110)的材料  波长范围  (nm)  d1的厚度  (nm)  d1厚度的另外一  个实施例(nm)  a-C  100-150  1-10  3-7  SiC  200-300  3-17  5-15  SiC  300-400  17-30  19-28  Si₃N₄  130-200  5-10  6-9  Si₃N₄  200-250  10-15  11-14  d-C  130-180  3-5  3.5-4.5  d-C  100-200  0.5-10  2-8  d-C  200-300  7-20  9-19  SiO₂  100-140  3-5  3.5-4.5

当将射束PB的射线r投射到多层反射镜1时，尽可能低的反射要求在被直接反射的不想要辐射和已经在第一光谱纯度增强层110中传播了至少一个往返的不想要辐射之间的相消干涉。

为了导出第一光谱纯度增强层110的厚度的方程，将直接反射的复振幅(r₁₂)和对已经在第一光谱纯度增强层110中传播了一个往返的反射的影响(r₁)相比较：

r₁＝t₁₂·t₂₁·r₂₃·exp(i·2·K₂·t)            (2)

对于直接反射和已经在第一光谱纯度增强层110中传播了一个往返的影响之间的相消干涉，比率Q≡r₁/r₂的自变量应当是π：

r₁＝t₁₂·t₂₁·r₂₃·exp(i·2·K₂·t)

$>>Q>=>>>>t>12>>·>>t>21>>·>>r>23>>·>exp>>(>i>·>2>·>>K>2>>·>t>)>>>>t>12>>>->->->>(>3>)>>>s>$

相消干涉：arg(Q)＝π

按照N＝n+j*k，其中N＝复折射率，n＝复折射率的实部，以及k＝复折射率的虚部，例如，对于上述的以及在图5中所描述的系统，在将a-Si(而不是Si/Mo多层叠层)作为多层叠层102的顶部层103以及将Si₃N₄作为第一光谱纯度增强层110时，波长为198.4nm的折射率为：

空气       N1＝1

Si₃N₄    N2＝2.62+j*0.174

a-Si      N3＝1.028+j*2.1716981

i)利用IMD软件计算Si₃N₄对Si/Mo多层叠层102的影响以及ii)利用方程(1)计算Si₃N₄对a-Si衬底(作为模型，而不是多层叠层102)的影响，得到如图6所描述的结果。在这个图形中，描述了使用IMD软件计算的具有a-Si/Mo多层叠层102的模型的结果和使用方程(1)计算的a-Si衬底(作为模型，而不是多层叠层102)的结果并，且看来似乎在计算的Si₃N₄对多层叠层的影响和计算的Si₃N₄对a-Si衬底的影响之间有一个明显的重叠。这表明了在Si₃N₄/a-Si界面处的高反射。当使用方程(3)计算直接反射和已经在光谱纯度增强层104(在这里指第一光谱纯度增强层110(Si₃N₄)涂层)中传播了单个往返的影响之间相位差(提供图6中重复急降的曲线(注意右侧的垂直轴)，该曲线还用标记数字120表示)时，可以看到在其中直接反射和已经在第一光谱纯度增强层110中传播了一次的影响之间相位差是π的Si₃N₄层的厚度(X-轴)与空气/Si₃N₄/a-Si三层模型的反射的最小值之间只有较小的差别。所以判据(3)的确看来对于厚度是一个很好的判据。在相位差为π的地方，i)和ii)都具有其最小的相消干涉，并且在相位差为2π的地方，i)和ii)都具有其最大的相消干涉。因为层厚d(在这里为d1)为尽可能的小，所以相位差为π之处的第一最小值将被选择，导致了针对这个波长(198.4nm)的、约为4-11nm(比如约9±1nm)的这个实施例的层厚d1将被减少。考虑界面处的振幅反射和透射：

表2：针对198.4nm辐射的在图4c和5的模型中的界面处的反射和透射

  界面  反射  透射  空气/Si₃N₄  量值：0.45  相位：0.019*π  量值：0.552  相位：-0.015*π  Si₃N₄/(a-Si)  量值：0.589  相位：0.532*π  量值：1.211  相位：-0.161*π  Si₃N₄/空气  量值：0.45  相位：-0.981*π  量值：1.449  相位：0.006*π

与直接反射和已经在第一光谱纯度增强层110中传播了一次的影响之间相位差相关的反射和透射为斜体字。表2示出了由于在Si₃N₄/a-Si界面处的反射引起的0.532*π的较大相移。在界面处的其它相移都相当小并且直接反射和已经在第一光谱纯度增强层110中传播了一次的影响之间的总相位差为0.52*π。由于Si₃N₄层较高的实折射率，在假定不想要的辐射具有198.4nm的波长的情形下，只有约4-11nm(比如约9nm)的厚度对额外的0.48*π相移以及为π的总相位差来说已足够。

因此，本发明还提供了包括多层反射镜1的实施例，其中包括在光谱滤光片顶部层104中的层110的材料m1和层110的层厚d1被设计成比如可满足下列判据：

r₁＝t₁₂·t₂₁·r₂₃·exp(i·2·K₂·t)

$>>Q>=>>>>t>12>>·>>t>21>>·>>r>23>>·>exp>>(>i>·>2>·>>K>2>>·>t>)>>>>r>12>>>->->->>(>3>)>>>s>$

相消干涉：arg(Q)＝π

其中：

r₁₂是从层1(即多层反射镜1上方的大气)进入并在层1和层2(即第一光谱纯度增强层110)之间的界面处反射的正入射平面波的反射的菲涅耳振幅反射系数，其中层1和层2分别为多层反射镜上方的大气和光谱滤光片顶部层104(即第一光谱纯度增强层110)；

r₂₃是从层2进入并在层2和层3之间的界面处反射的正入射平面波的反射的菲涅耳振幅反射系数，其中层2和层3分别为光谱滤光片顶部层104(即第一光谱纯度增强层110)和多层叠层顶部层103；

t_pq是从层p进入层q的平面波的透射的菲涅耳振幅透射系数；

λ是辐射的波长；以及

t是光谱滤光片顶部层104(即第一光谱纯度增强层110；因此在这些实施例中t＝d＝d1)的厚度。

因此，厚度的初始值应当被选择成以使服从关系(3)。如果有必要，通过使具有多层叠层的系统的反射最小可实施另外的实验。对于第一光谱纯度增强层110的尽可能小的厚度d1(在这个实施例中d＝d1)，在一个实施例中，选择第一光谱纯度增强层110的折射率以使在第一光谱纯度增强层110和多层叠层102的多层叠层顶部层103之间的界面处的反射的量值较大，并且由于在这个界面处的反射引起的相移也较大。在一个实施例中，层110被选择成以使Q(如在方程(3)中所定义的)的量值尽可能接近1，在另一个实施例中，范围为1±0.05，并且arg(Q)＝((1±0.05)*π+s*2π)(其中s是≥0的整数)。对于多重反射，这可能不再是完全正确的，但是其仍然是一个很好的选择。在一个实施例中，这可以通过选择第一光谱纯度增强层110的材料m1而获得，其折射率的实部(n)尽可能大并且虚部(k)尽可能小，或者对于给定第一光谱纯度增强层110的厚度d1来说，由于通过第一光谱纯度增强层110的传播而使往返相移(arg(Q)＝π、3*π、5*π等)尽可能大，层110需要该层材料具有较大的折射率的实部。

因此，按照本发明的实施例，提供了多层反射镜100，其中第一光谱纯度增强层110具有的复折射率的虚部k≤0.25*n+1.07，其中n为复折射率的实部。按照本发明实施例的另一个实施例，复折射率的实部等于或大于1.5，以及复折射率的虚部等于或小于2。在又一个实施例中，第一光谱纯度增强层110具有的复折射率的实部等于或大于2，以及复折射率的虚部等于或小于1.6。在这里折射率指辐射波长的或者选自100-400nm(如介于100和200nm之间的)范围的辐射波长范围内的折射率。例如，当期望减少190nm波长或者130-190nm波长范围内的辐射时，材料和层厚被选择成满足这里所描述的判据。

按照本发明的另一个实施例，提供了多层反射镜100，其包括a)多层叠层102，多层叠层102包括具有多层叠层顶部层103的多个交替层，以及b)被布置在多层叠层102上的光谱滤光片顶部层104，光谱滤光片顶部层104包括：被布置在多层叠层顶部层103上的第一光谱纯度增强层110，第一光谱纯度增强层110包括材料m1并具有层厚d1，其中第一光谱纯度增强层110包括具有复折射率的虚部k≤0.25*n+1.07的材料m1，其中n是复折射率的实部并且光谱滤光片顶部层110具有介于0.5和30nm之间的层厚d1。

按照又一个实施例，提供了多层反射镜100，其包括a)多层叠层102，多层叠层102包括具有多层叠层顶部层103的多个交替层，以及b)被布置在多层叠层102上的光谱滤光片顶部层104，光谱滤光片顶部层104包括被布置在多层叠层顶部层103上的第一光谱纯度增强层110，第一光谱纯度增强层110包括材料m1并具有层厚d1，其中第一光谱纯度增强层110包括具有复折射率的实部等于或大于2以及复折射率的虚部等于或小于1.6的材料m1，并且光谱滤光片顶部层110具有介于0.5和30nm之间的层厚d1。

这些实施例可以组合。

按照本发明的又一个实施例，提供了多层反射镜100，其中包括在光谱滤光片顶部层104中的层的材料以及层的层厚d(即第一光谱纯度增强层110的材料m1以及层厚d1)被设计成比如：可使具有选自5-20nm第一波长范围的波长的辐射的吸收和/或相消干涉最小，以及使具有选自100-400nm第二波长范围的波长的辐射的吸收和/或相消干涉最大。

按照另一个实施例，提供了多层反射镜100，其包括a)多层叠层102，多层叠层102包括具有多层叠层顶部层103的多个交替层，以及b)被布置在多层叠层102上的光谱滤光片顶部层104，光谱滤光片顶部层104包括被布置在多层叠层顶部层103上的第一光谱纯度增强层110，第一光谱纯度增强层110包括材料m1并具有层厚d1，其中第一光谱纯度增强层110包括的材料m1选自Si₃N₄、SiO₂、ZnS、Te、金刚石、CsI、Se、SiC、非晶碳、MgF₂、CaF₂、TiO₂、Ge、PbF₂、ZrO₂、BaTiO₃、LiF或NaF，并且光谱滤光片顶部层110具有介于0.5和30nm之间的层厚d1。

图7和8示出的是这个实施例的进一步的变化，它们分别描述了光谱纯度增强层104(即110)的多种材料m1的选择对反射率的影响，以及Si₃N₄的光谱纯度增强层110的厚度(即d1)对反射率的影响。这些实施例都针对具有某一材料(如Si)的顶部层103的标准50层Si/Mo多层反射镜100。在图例中列示的百分数给出了13.5nm EUV辐射的反射率；y轴上的值表示反射率(*100％)。图7示出了针对100-200nm范围的、在多层反射镜1上的第一光谱纯度增强层110的某些理论示例。第一光谱纯度增强层110的适合的候选材料m1的实施例是非晶碳、金刚石、SiC和Si₃N₄。模拟表明在目标波长时的高折射率和EUV的低吸收的组合是期望的(还是参见上面)。由此得到的反射率曲线是多层反射镜100(即多层叠层102)和光谱纯度增强层104(即在这些实施例中是第一光谱纯度增强层110)的反射率曲线的组合。除此之外，第一光谱纯度增强层110的反射率曲线还根据厚度发生改变(也是参见上面；以及图6)。由此，具有最小反射率的波长取决于第一光谱纯度增强层110的厚度。图8示出的是利用Si₃N₄作为第一光谱纯度增强层110以及具有变化的厚度d1的Si/Mo多层叠层102的另一个实施例。因此，在一个实施例，提供了具有光谱纯度增强层104的多层反射镜100，光谱纯度增强层104只包括第一光谱纯度增强层110，第一光谱纯度增强层110包括Si₃N₄，第一光谱纯度增强层110具有的层厚d1介于4和11nm之间。

为了提供光谱纯度增强层104，例如光谱纯度增强层1-4只包括第一光谱纯度增强层110，可使用LP-CVD、PE-CVD或其它技术。通过在硅片上沉积Si₃N₄层进行了模型研究，以便实际测试SPE-层的原理。选择了15nm的层厚d1。针对这个厚度，最低的理论反射率约为10％，因此第一光谱纯度增强层110在这个范围内工作得不是非常好，但是反射率的损失足够验证原理。利用椭偏测量术，沉积的Si₃N₄层110的厚度d1被确定为13.5nm(LP-CVD沉积时间是1分45秒)，其具有大约0.5nm的估计的RMS表面粗糙度。

图9示出的是与裸露的硅片的测量的反射率曲线相比较的、被涂敷了Si₃N₄的硅晶片的测量的反射率曲线。还示出了来自IMD的理论曲线。很明显，实验的第一光谱纯度增强层110与计算的值之间具有非常好的一致性，这证明了光谱纯度增强层104(在这个实施例中仅为第一光谱纯度增强层110)的原理如所期望地那样工作。

如图8所示，在光谱纯度增强层104的顶部存在有覆盖层105。因此，按照本发明的又一个实施例，提供了多层反射镜100，其中光谱滤光片顶部层104还包括位于第一光谱纯度增强层110顶部的覆盖层105，其包括Ru并具有介于0.5和2.5nm之间的层厚d4。另外，在一个实施例中，还使用其它的材料作为覆盖层105，例如材料m4选取自BN、B₄C、B、C(如类似金刚石的碳)、TiN、Pd、Rh、Au或C₂F₄。在又一个可选用的实施例中，第一光谱纯度增强层110还被用作覆盖层105。用作覆盖层105(即第一光谱纯度增强层110同时是覆盖层105)的适当的材料m4可选自Si₃N₄、SiC、MgF₂或LiF。覆盖层可提供进一步的保护以抵抗来自比如其中按照本发明的多层反射镜100被使用的光刻设备中提供的源或其它粒子或气体的粒子的物理侵袭、化学氧化。因此，在另一个实施例中，提供了多层反射镜，其中光谱滤光片顶部层104还包括位于第一光谱纯度增强层110顶部的覆盖层105，覆盖层105包括选自Ru、BN、B₄C、B、C(如类似金刚石的碳)、TiN、Pd、Rh、Au、C₂F₄、Si₃N₄、SiC、MgF₂或LiF的材料m4，并且具有介于0.5和11nm之间的层厚d4。在一种变化中，第一光谱纯度增强层110的材料m1包括不同于覆盖层105的材料m4的材料，比如m1是Si₃N₄而m4是Ru。

图10示出的是作为辐射波长的函数的、具有覆盖层105的实施例的示范反射(y轴*100％)，其描述了在第一光谱纯度增强层110上包括了Ru的覆盖层105对反射率的影响。

在一个实施例中，假定借助于传统多层反射镜100的正常光抑制在介于130和190nm之间的DUV范围内是不足的，并且假定当前的DUV强度需要被减小到其当前功率(current power)的10％。这些是对EUV光刻工具所能期望的典型值。EUV光刻系统通常包含11个Si/Mo多层反射镜。按照上述实施例的第一光谱纯度增强层110将被放置在这些反射镜100的某些上面，如在多层叠层顶部层103上，以便取得在DUV范围内足够的抑制。使用第一光谱纯度增强层110在选择EUV光的抑制和由此产生的损失方面提供了灵活性。利用标准的光谱纯滤光片，损失总是约为50％，但是在这种情形下，它们可能更低。因为介于130和190nm之间的DUV范围需要被抑制，在一个实施例中，选择5nm的Si₃N₄第一光谱纯度增强层110。

图11示出的是针对第一光谱纯度增强层110的增加数目(1-5)(即包括这样的第一光谱纯度增强层110的多层反射镜100的增加数目)的DUV光的抑制，并且还示出了在DUV范围内10％反射率的目标(水平虚线)。从图11可以看到，具有覆盖了Ru的5nm Si₃N₄第一光谱纯度增强层110的两个多层反射镜足以达到想要的DUV抑制。事实上，利用两个第一光谱纯度增强层110，针对130-190nm范围内的任何波长，DUV被减至低于15％并且平均减少降至7％。由此引起的EUV损失可通过将两个标准的覆盖了Ru的多层反射镜100的反射率(每个反射镜的R～75％、总R_tot～56％)和两个覆盖了Ru的、具有5nm Si₃N₄第一光谱纯度增强层110(每个反射镜的R～63％、R_tot～40％)进行比较来计算，结果产生了由于第一光谱纯度增强层110而造成的EUV光的16％的损失。作为比较，标准光谱纯滤光片有50％的损失。在将这里给定的EUV损失和经过2×5＝10nm的Si₃N₄层的吸收进行比较时，损失为每个多层反射镜1是6％，这意味着多层反射镜1的反射率应是69％而不是计算的63％。这个额外的EUV损失是EUV波长发生的干涉效应造成的。为了避开这个，可将Si₃N₄层分成两部分，并包括一层比如Mo在其间。在这么做时，计算的反射镜的EUV反射率是68％，完全与在第一光谱纯度增强层110中的EUV吸收一致。这将在下面本发明的另一个方面中进行说明。

能够计算第一光谱纯度增强层110的数目，其具有与标准光谱纯滤光片(NOSPE)相同的损失(50％)：

$>{}^{}$

这意味着利用四个标准第一光谱纯度增强层110，EUV的总损失为50％，平均DUV减少降至0.7％(大致为两个数量级)。如果在标准的第一光谱纯度增强层110顶部上没有使用Ru覆盖层105，比如因为第一光谱纯度增强层110可充当覆盖层本身，则6个第一光谱纯度增强层110合计可用于50％的相同损失，并给出平均DUV抑制降至0.012％(大致为四个数量级)。

在一个实施例中，按照本发明的多层反射镜100是正入射反射镜，其被配置成可反射具有选自5-20nm第一波长范围的波长的辐射。在又一个实施例中，按照本发明的多层反射镜100是一个正入射Si/Mo多层反射镜，其被配置成可反射具有选自12-15nm波长范围的波长的辐射，例如13.5nm的EUV辐射。

按照本发明的又一个实施例，提供了如上所述的光刻设备，其包括一个或多个如上所述的并且在图4c和5中被示意性描述的多层反射镜100。因此，在另一个方面，本发明还提供了一种在两个波长范围内发射辐射的源的辐射束中，通过在反射镜上反射至少部分的该源的辐射束，放大具有选自5-20nm第一波长范围的波长的辐射和具有选自100-400nm第二波长范围的波长的辐射之间的比率的方法。

如上所述，在另一个实施例中，光刻设备包括按照本发明的两个或多个多层反射镜100，其作为正入射反射镜被放置在由源SO产生的辐射束中。因此，在一个实施例中，提供了一种光刻设备和/或方法，其中使用了按照本发明的多个多层反射镜100，例如，在另一个实施例中，使用了两个或多个多层反射镜100，并且其中在由源产生的辐射束中最接近源的多层反射镜的反射的辐射分别在一个或多个紧邻的多层反射镜100上被反射。

按照又一个实施例，提供了一种光刻设备和/或方法，其中光刻设备包括多个如上所述的多层反射镜100，并且其中层104的材料m1(即第一光谱纯度增强层110)和包括在不同多层反射镜100的光谱滤光片顶部层104内的层110的层厚d(即d1)分别被设计成比如：可使具有选自5-20nm第一波长范围内的波长的辐射的吸收和/或相消干涉最小，以及使具有选自100-400nm第二波长范围基本部分的波长的辐射的吸收和/或相消干涉最大。

通过使用多个按照本发明的多层反射镜100，其中多层反射镜在第一光谱纯度增强层110的厚度d1或材料m1或两者上分别发生变化，对过滤掉不想要的波长可进行调节以使想要的波长(比如介于5和20nm之间的)基本上未被减少(例如，相对于不具有这样的第一光谱纯度增强层110的相同多层反射镜，少于约50％的减少)，而DUV辐射基本上被减少(相对于不具有这样的第一光谱纯度增强层110的相同多层反射镜，90％、或约95％、乃至约99％或以上的减少)。在一个实施例中，这样的减少可应用于100-400nm波长范围的基本部分，例如介于100-400nm之间的波长范围的15％，即对于该波长范围的至少约15％来说，在这个波长范围的至少约15％部分辐射减少至少约为总辐射的90％。在一个实施例中，至少在介于约130和190nm之间的波长的辐射被减少约90％，或更多。

在一个实施例中，一个或多个多层反射镜100装有光谱纯度增强层104，其被设计用于使具有100-200nm范围内的波长的辐射减少，并且一个或多个多层反射镜100装有光谱纯度增强层104，其被设计用于使具有200-300nm范围内的波长的辐射减少。

按照本发明的又一个方面，提供了装置制造方法，包括提供辐射束；将辐射束图案化；将图案化的辐射束投射到衬底的目标部分；在两个波长范围内发射辐射的源的辐射束中，通过在按照如上所述实施例的反射镜上反射至少部分的该源的辐射束，放大具有选自5-20nm第一波长范围的波长的辐射和具有选自100-400nm第二波长范围的波长的辐射之间的比率。

如上所述，可使用具有第一光谱纯度增强层110的多个多层反射镜100。另外，按照本发明的又一个方面以及如图4a中示意性描述的，提供了多层反射镜100，其包括a)多层叠层102，多层叠层102包括具有多层叠层顶部层103的多个交替层，以及b)被布置在多层叠层103上的光谱滤光片顶部层104。光谱滤光片顶部层104包括第一光谱纯度增强层110，第一光谱纯度增强层110包括材料m1并具有层厚d1；中间层111包括材料m2并具有层厚d2；第二光谱纯度增强层112包括材料m3并具有层厚d3，第二光谱纯度增强层112被布置在多层叠层顶部层103上。

如上面所提到的在具有单个光谱纯度增强层110的实施例中，存在有由发生在EUV波长时的干涉效应造成的一些额外的EUV损失。第一光谱纯度增强层110的厚度可被确定，为此EUV中的干涉不会给出负效应(参见上面只包括第一光谱纯度增强层110的光谱纯度增强层104的实施例)，例如在EUV区域内干涉的厚度不会发生(例如7nm的Si₃N₄层不可能具有由EUV干涉造成的损失)，或者选择额外层111位于其间，其在本实施例中被描述(光谱滤光片顶部层104包括第一光谱纯度增强层110和第二光谱纯度增强层112以及中间层111)。

因此，为了避开或尽可能将EUV干涉损失减至最小，按照本发明的本实施例，第一光谱纯度增强层110(如Si₃N₄)被“分”成两部分，即第一光谱纯度增强层110和第二光谱纯度增强层112，并包括中间层111(比如Mo)在其间。这可导致干涉损失的减少。在这么做时，计算的反射镜100的EUV反射率是68％，在假定是Si₃N₄的情形下，完全与在第一光谱纯度增强层110中的EUV吸收一致。

参见图11，虚曲线表示如下：130：2个具有分离的光谱纯度增强层的反射镜；131：3个具有分离的光谱纯度增强层的反射镜；132：4个具有分离的光谱纯度增强层的反射镜；133：5个具有分离的光谱纯度增强层的反射镜。因此，分离的光谱纯度增强层指如图4a所描述的实施例：一个第一光谱纯度增强层110、中间层111和第二光谱纯度增强层112。图11示出了与用实曲线所示的相同的计算(即一个或多个多层反射镜100，每一个具有只包括第一光谱纯度增强层110的光谱纯度增强层104)，但在这种情形下，接着2.5nm的Si₃N₄第一光谱纯度增强层110的是2nm的Mo的中间层，接着是2.5nm的Si₃N₄第二光谱纯度增强层112，接着是是2.5nm的Ru覆盖层105。这些曲线看上去非常相似，但是虚曲线具有稍小的EUV抑制并且被稍微移向更短的波长。在这种情形下，可能需要三个具有这个实施例的光谱纯度增强层(分离层)的多层反射镜100以便达到低于10％的抑制，但是总损失更低，即11％EUV损失并伴随平均DUV抑制降至3.4％(三个覆盖了Ru的反射镜R_tot～42％；3个Mo-分离的光谱纯度增强层110和112的覆盖了Ru的反射镜R_tot～31％)。

如上所述，当使用四个标准的第一光谱纯度增强层110时，EUV的总损失是50％，平均DUV减少降至0.7％。(大致为两个数量级)。然而，对于本发明的Mo-分离的第一光谱纯度增强层来说，可使用最大七个光谱纯度增强层110+112(即七个光谱纯度增强层104、每一个包括层110、111和112，并且每一个分别被布置在不同的多层反射镜100上)，同时平均DUV抑制降至0.06％(大致为三个数量级)。在另一个实施例中，d1+d2的厚度近似与如上述实施例中给定的并在表1的实施例中表示的d1的厚度相同。

本实施例可使用Ru覆盖层105。

按照本发明的另一个实施例，提供了多层反射镜100，其包括a)多层叠层102，多层叠层102包括具有多层叠层顶部层103的多个交替层，以及b)被布置在多层叠层102上的光谱滤光片顶部层104，光谱滤光片顶部层104包括第一光谱纯度增强层110，第一光谱纯度增强层110包括材料m1并具有层厚d1；中间层111包括材料m2并具有层厚d2；第二光谱纯度增强层112包括材料m3并具有层厚d3，第二光谱纯度增强层112被布置在多层叠层顶部层103上，其中第一光谱纯度增强层110和第二光谱纯度增强层112独自包括选自Si₃N₄、SiO₂、ZnS、Te、金刚石、CsI、Se、SiC、非晶碳、MgF₂、CaF₂、TiO₂、Ge、PbF₂、ZrO₂、BaTiO₃、LiF或NaF的材料(分别为m1和m3)，以及中间层111包括与来自第一光谱纯度增强层110和第二光谱纯度增强层112的材料m1和m2不同的材料m3，并且光谱滤光片顶部层104具有介于2.5和40nm的层厚d＝d1+d2+d3。

在一个实施例中，多层反射镜100还可选地包括位于第一光谱纯度增强层10顶部上的覆盖层105，其包括Ru并具有介于0.5和2.5nm之间的层厚d4。

在另一个实施例中，本发明提供了多层反射镜100，其中中间层包括金属。在又一个实施例中，提供了多层反射镜100，其中中间层包括选自Be、B、C、Si、P、S、K、Ca、Sc、Br、Rb、Sr、Y、Zr、Nb、Mo、Ba、La、Ce、Pr、Pa或U的材料m2。

按照本发明的实施例，提供了多层反射镜100，其中第一光谱纯度增强层110和第二光谱纯度增强层112具有的复折射率的虚部k≤0.25*n+1.07，其中n为复折射率的实部。按照本发明实施例的另一个实施例，复折射率的实部等于或大于1.5以及复折射率的虚部等于或小于2。在又一个实施例中，第一光谱纯度增强层110和第二光谱纯度增强层112具有的复折射率的实部等于或大于2以及复折射率的虚部等于或小于1.6。在这里折射率指辐射波长的或者选自100-400nm范围的辐射波长范围(如介于100和200nm之间的)内的折射率。例如，当期望减少190nm波长或者130-190nm波长范围内的辐射时，各对应层的材料和层厚被选择成以满足这里所描述的判据。

因此，按照本发明的一个可选用的实施例，提供了多层反射镜100，其包括a)多层叠层102，多层叠层102包括具有多层叠层顶部层103的多个交替层，以及b)被布置在多层叠层102上的光谱滤光片顶部层104，光谱滤光片顶部层104包括第一光谱纯度增强层110，第一光谱纯度增强层110包括材料m1并具有层厚d1；中间层111包括材料m2并具有层厚d2；第二光谱纯度增强层112包括材料m3并具有层厚d3，第二光谱纯度增强层112被布置在多层叠层顶部层103上，其中第一光谱纯度增强层110和第二光谱纯度增强层112独自包括具有复折射率的虚部k≤0.25*n+1.07的材料(分别为m1和m3)，其中n是复折射率的实部，中间层111包括与来自第一光谱纯度增强层110和第二光谱纯度增强层112的材料m1和m2不同的材料m3，并且光谱滤光片顶部层104具有介于2.5和40nm的层厚d＝d1+d2+d3。

因此，按照本发明的另一个实施例，提供了多层反射镜100，其包括a)多层叠层102，多层叠层102包括具有多层叠层顶部层103的多个交替层，以及b)被布置在多层叠层102上的光谱滤光片顶部层104，光谱滤光片顶部层104包括第一光谱纯度增强层110，第一光谱纯度增强层110包括材料m1并具有层厚d1；中间层111包括材料m2并具有层厚d2；第二光谱纯度增强层112包括材料m3并具有层厚d3，第二光谱纯度增强层112被布置在多层叠层顶部层103上，其中第一光谱纯度增强层110和第二光谱纯度增强层112独自包括具有复折射率的实部等于或大于2以及复折射率的虚部等于或小于1.6的材料(分别为m1和m3)，中间层111包括与来自第一光谱纯度增强层110和第二光谱纯度增强层112的材料m1和m2不同的材料m3，并且光谱滤光片顶部层104具有介于2.5和40nm的层厚d＝d1+d2+d3

上述实施例可以组合。

在另一个实施例中，提供了多层反射镜100，其中包括在光谱滤光片顶部层中的层的材料(分别为m1、m2和m3)以及层的层厚(分别为d1、d2和d3)被设计成比如：可使具有选自5-20nm第一波长范围内的波长的辐射的吸收和/或相消干涉最小，以及使具有选自100-400nm第二波长范围内的波长的辐射的吸收和/或相消干涉最大。

在一个实施例中，提供了多层反射镜100，其中第一光谱纯度增强层110和第二光谱纯度增强层112包括Si₃N₄，每一层独自具有分别介于1.5和3.5nm之间的层厚d1和d3，并且其中中间层111包括Mo并具有介于1和3nm之间的层厚d2。可选用的实施例具有相同的尺寸但同时m1和m2各自独立地选自Si₃N₄、SiO₂、ZnS、Te、金刚石、CsI、Se、SiC、非晶碳、MgF₂、CaF₂、TiO₂、Ge、PbF₂、ZrO₂、BaTiO₃、LiF或NaF。

在一个实施例中，按照本发明的多层反射镜100是正入射反射镜，其被配置成可反射具有选自5-20nm第一波长范围的波长的辐射。在又一个实施例中，按照本发明的多层反射镜100是一个正入射Si/Mo多层反射镜，其被配置成可反射具有选自12-15nm波长范围的波长的辐射，例如13.5nm的EUV辐射。

按照本发明的另一个实施例，提供了如上所述的光刻设备，其包括一个或多个如上所述的并在图4a中被示意性描述的多层反射镜100。因此，在另一个方面，本发明还提供了一种在两个波长范围内发射辐射的源的辐射束中，通过在按照这个实施例的反射镜上反射至少部分的该源的辐射束，放大具有选自5-20nm第一波长范围的波长的辐射和具有选自100-400nm第二波长范围的波长的辐射之间的比率的方法。

如上所述，在又一个实施例中，光刻设备包括按照本发明的两个或多个多层反射镜100，其作为正入射反射镜被放置在由源SO产生的辐射中。因此，在一个实施例中，提供了光刻设备和/或方法，其中使用按照本发明的多个多层反射镜100，例如，在另一个实施例中，使用了两个或多个多层反射镜100，并且其中在由源产生的辐射中最接近源的多层反射镜的反射的辐射分别在一个或多个紧邻的多层反射镜100上被反射。

按照又一个实施例，提供了光刻设备和/或方法，其中光刻设备包括多个如上所述的多层反射镜100，并且其中包括在光谱纯度增强层104中的第一光谱纯度增强层110、中间层111和第二光谱纯度增强层112各自的材料m1、m2和m3以及包括在不同多层反射镜100中的光谱滤光片顶部层104中的层110、111和112的各自的层厚d1、d2和d3分别被设计成，可使具有选自5-20nm第一波长范围的波长的辐射的吸收和/或相消干涉最小，以及使具有选自100-400nm波长范围基本部分的波长的辐射的吸收和/或相消干涉最大。

通过使用多个按照本发明的多层反射镜100，其中多层反射镜在第一光谱纯度增强层110和第二光谱纯度增强层112以及中间层111的厚度d1、d2、d3或材料m1、m2、m3或者层厚和材料两者上分别发生变化，对过滤掉不想要的波长可进行调节以使想要的辐射(比如具有介于5和20nm之间波长的)基本上未被减少(例如，相对于不具有第一光谱纯度增强层110和第二光谱纯度增强层112以及被中间层111分离的相同多层反射镜少于约50％的减少；即相对于不具有如图4a所示的这样的光谱纯度增强层104的相同多层反射镜)，而DUV辐射基本上被减少(相对于不具有如图4a所示的这样的光谱纯度增强层104的相同多层反射镜，90％、或约95％、乃至约99％或以上的减少)。在一个实施例中，这样的减少优选地应用于100-400nm波长范围的基本部分，例如介于100-400nm之间的波长范围的15％。在一个实施例中，至少在介于约130和190nm之间的波长内的辐射被减少约90％，或更多。

在一个实施例中，一个或多个多层反射镜100装有光谱纯度增强层104，其被设计用于使具有100-200nm范围的波长的辐射减少，并且一个或多个多层反射镜100装有光谱纯度增强层104，其被设计用于使具有200-300nm范围的波长的辐射减少。

按照本发明的又一个方面，提供了装置制造方法，包括提供辐射束；将辐射束图案化；将图案化的辐射束投射到衬底的目标部分；在两个波长范围内发射辐射的源的辐射束中，通过在按照如上所述实施例的反射镜上反射至少部分的该源的辐射束，放大具有选自5-20nm第一波长范围的波长的辐射和具有选自100-400nm第二波长范围的波长的辐射之间的比率。

参考上述实施例，存在有另一个“中间”实施例，其中光谱纯度增强层104只包括第一光谱纯度增强层110和中间层111，其中后者被放置于多层叠层顶部层103上。因此，按照本发明的另一个方面以及如图4a示意性描述的，提供了多层反射镜100，其包括a)多层叠层102，多层叠层102包括具有多层叠层顶部层103的多个交替层，以及b)被布置在多层叠层103上的光谱滤光片顶部层104，光谱滤光片顶部层104包括第一光谱纯度增强层110，第一光谱纯度增强层110包括材料m1并具有层厚d1；中间层111包括材料m2并具有层厚d2，中间层111被布置在多层叠层顶部层103上。

本实施例可与可选的覆盖层105(比如具有介于0.5和2.5nm之间的层厚d4的Ru)组合。因此，在一个实施例中，多层反射镜100还可选地包括位于第一光谱纯度增强层104顶部上的覆盖层105，其包括Ru并具有介于0.5和2.5nm层厚d4。

按照本发明的另一个实施例，提供了多层反射镜100，包括a)多层叠层102，多层叠层102包括具有多层叠层顶部层103的多个交替层，以及b)被布置在多层叠层102上的光谱滤光片顶部层104，光谱滤光片顶部层104包括第一光谱纯度增强层110，第一光谱纯度增强层110包括材料m1并具有层厚d1；中间层111包括材料m2并具有层厚d2，中间层111被布置在多层叠层顶部层103上，其中第一光谱纯度增强层110包括选自Si₃N₄、SiO₂、ZnS、Te、金刚石、CsI、Se、SiC、非晶碳、MgF₂、CaF₂、TiO₂、Ge、PbF₂、ZrO₂、BaTiO₃、LiF或NaF的材料m1，中间层111包括与第一光谱纯度增强层110的材料m1不同的材料m2，并且光谱滤光片顶部层104具有介于2.5和40nm的层厚d＝d1+d2。

在另一个实施例中，本发明提供了多层反射镜100，其中中间层111包括金属。在又一个实施例中，提供了多层反射镜100，其中中间层包括选自Be、B、C、Si、P、S、K、Ca、Sc、Br、Rb、Sr、Y、Zr、Nb、Mo、Ba、La、Ce、Pr、Pa或U的材料m2。

按照本发明的实施例，提供了多层反射镜100，其中第一光谱纯度增强层110具有的复折射率的虚部k≤0.25*n+1.07，其中n为复折射率的实部。按照本发明实施例的另一个实施例，复折射率的实部等于或大于1.5以及复折射率的虚部等于或小于2。在又一个实施例中，第一光谱纯度增强层110具有的复折射率的实部等于或大于2以及复折射率的虚部等于或小于1.6。在这里折射率指辐射波长的或者选自100-400nm范围的辐射波长范围(在本实施例中介于100和200nm之间)内的折射率。例如，当期望减少190nm波长的或者130-190nm波长范围内的辐射时，各对应层的材料和层厚被选择以满足这里所描述的判据。

因此，按照本发明的一个可选的实施例，提供了多层反射镜100，其包括a)多层叠层102，多层叠层102包括具有多层叠层顶部层103的多个交替层，以及b)被布置在多层叠层102上的光谱滤光片顶部层104，光谱滤光片顶部层104包括第一光谱纯度增强层110，第一光谱纯度增强层110包括材料m1并具有层厚d1；中间层111包括材料m2并具有层厚d2，中间层111被布置在多层叠层顶部层103上，其中第一光谱纯度增强层110包括具有复折射率的k≤0.25*n+1.07的材料m1，n是复折射率的实部，中间层111包括与第一光谱纯度增强层110的材料m1不同的材料m2，并且光谱滤光片顶部层104具有介于2.5和40nm的层厚d＝d1+d2。

因此，按照本发明的又一个实施例，提供了多层反射镜100，其包括a)多层叠层102，多层叠层102包括具有多层叠层顶部层103的多个交替层，以及b)被布置在多层叠层102上的光谱滤光片顶部层104，光谱滤光片顶部层104包括第一光谱纯度增强层110，第一光谱纯度增强层110包括材料m1并具有层厚d1；中间层111包括材料m2并具有层厚d2，中间层111被布置在多层叠层顶部层103上，其中第一光谱纯度增强层110包括具有复折射率的实部等于或大于2以及复折射率的虚部等于或小于1.6的材料m1，其中中间层111包括与第一光谱纯度增强层110的材料m1不同的材料m2，并且光谱滤光片顶部层104具有介于2.5和40nm的层厚d＝d1+d2

上述实施例可以组合。

在另一个实施例中，提供了多层反射镜100，其中包括在光谱滤光片顶部层中的层的材料(分别为m1和m2)以及层的层厚(分别为d1和d2)被设计成可使具有选自5-20nm第一波长范围内的波长的辐射的吸收和/或相消干涉最小，以及使具有选自100-400nm第二波长范围的波长的辐射的吸收和/或相消干涉最大。

在一个实施例中，提供了多层反射镜100，其中第一光谱纯度增强层110包括Si₃N₄，并具有介于4和1nm之间的层厚d1，并且其中中间层111包括Mo并具有介于1和3nm之间的层厚d2。

在一个实施例中，按照本发明的多层反射镜100是正入射反射镜，其被配置成可反射具有选自5-20nm第一波长范围的波长的辐射。在又一个实施例中，按照本发明的多层反射镜100是正入射Si/Mo多层反射镜，其被配置成可反射具有选自12-15nm波长范围的波长的辐射，例如13.5nm的EUV辐射。

按照本发明的另一个实施例，提供了如上所述的光刻设备，其包括一个或多个如上所述的并在图4b中被示意性描述的多层反射镜100。因此，在另一个方面，本发明还提供了一种在两个波长范围内发射辐射的源的辐射束中，通过在反射镜上反射至少部分的该源的辐射束，放大具有选自5-20nm第一波长范围的波长的辐射和具有选自100-400nm第二波长范围的波长的辐射之间的比率的方法。

如上所述，在另一个实施例中，光刻设备包括按照本发明的两个或多个多层反射镜100，其作为正入射反射镜被放置在由源SO产生的辐射中。因此，提供了光刻设备和/或方法，其中使用按照本发明的多个多层反射镜100，例如，在另一个实施例中，使用了两个或多个多层反射镜100，并且其中在由源产生的辐射中最接近该源的多层反射镜的反射的辐射分别在一个或多个紧邻的多层反射镜100上被反射。

按照又一个实施例，提供了光刻设备和/或方法，其中光刻设备包括多个如上所述的多层反射镜100，并且其中包括在光谱纯度增强层104中的第一光谱纯度增强层110和中间层111各自的层的材料m1和m2、以及包括在不同多层反射镜100的光谱滤光片顶部层104中的层110和111各自的层厚d1和d2，分别被设计成可使具有选自5-20nm第一波长范围的波长的辐射的吸收和/或相消干涉最小，以及使具有选自100-400nm波长范围基本部分的波长的辐射的吸收和/或相消干涉最大。

通过使用多个按照本发明的多层反射镜100，其中多层反射镜在第一光谱纯度增强层110和中间层111的厚度d1、d2或材料m1、m2或者层厚和材料两者上分别发生变化，对过滤掉不想要的波长可进行调节以使想要的波长(比如介于5和20nm之间的)基本上未被减少(例如，相对于不具有这样的第一光谱纯度增强层110的相同多层反射镜，少于约50％的减少)，而DUV辐射基本上被减少(相对于不具有如图4a所示的这样的光谱纯度增强层104的相同多层反射镜，90％、或约95％、乃至约99％或以上的减少)。在一个实施例中，这样的减少可应用于100-400nm波长范围的基本部分，例如介于100和400nm之间的波长范围的约15％。在一个实施例中，至少在介于约130和190nm之间的波长的辐射被减少约90％，或更多。

在一个实施例中，一个或多个多层反射镜100装有光谱纯度增强层104，其被设计成用于使具有100-200nm范围的波长的辐射减少，并且一个或多个多层反射镜100装有光谱纯度增强层104，其被设计成用于使具有200-300nm范围的波长的辐射减少。

按照本发明的又一个方面，提供了装置制造方法，包括使用照明系统提供辐射束；将辐射束图案化；将图案化的辐射束投射到衬底的目标部分；在两个波长范围内发射辐射的源的辐射中，通过在按照如上所述的实施例的反射镜上反射至少部分的该源的辐射，放大具有选自5-20nm第一波长范围的波长的辐射和具有选自100-400nm第二波长范围的波长的辐射之间的比率。

按照本发明的另一个方面，提供了光刻设备、用于放大想要的(EUV)与不想要的(DUV)辐射的比率的方法和/或装置制造方法，其中使用选自上述三个实施例的两个或多个多层反射镜100。在一个实施例中，一个或多个多层反射镜100可装有光谱纯度增强层104，其被设计成用于使具有100-200nm范围的波长的辐射减少，并且一个或多个多层反射镜100装有光谱纯度增强层104，其被设计成用于使具有200-300nm范围的波长的辐射减少。

除了上述的实施例外，还可应用第一光谱纯度增强层110、中间层111和第二光谱纯度增强层112的叠层。例如，这可以是包括多层叠层102的多层反射镜100，多层叠层102具有位于多层叠层顶部层103的顶部上的、从下列层的叠层中选择的一个或多个叠层(其中第一个(最左侧)数字表示被布置在多层叠层顶部层103上的层，并且其中符号n表示重复层组合的数目)：(110/111)_n、(111/110)_n、(110/111)_n/110和(111/110)_n/110。另外，覆盖层105可设在最后层(最后(最右侧)数字)上，比如示意为：102/(110/111)_n/110/105。

如上所述，多层反射镜100包括多层(反射镜)叠层102，比如包括许多交替的Mo/Si、或W/Si、或WRe/Si、或其它类型的多层叠层，其中多层叠层顶部层103可包括比如Mo、Si、W或WRe等。在这个多层叠层顶部层103的顶部，布置按照本发明的光谱滤光片顶部层104，其还可被覆盖层105可选地覆盖住，覆盖层105包括选自Ru、BN、B₄C、B、C(如类似金刚石的碳)、TiN、Pd、Rh、Au、C₂F₄、Si₃N₄、SiC、MgF₂或LiF的材料m4，其具有介于0.5和11nm之间的层厚。在一个实施例中，覆盖层105的材料m4不同于第一光谱纯度增强层110的材料m1。在另一个实施例中，材料m4选自Ru、BN、B₄C、B、C(如类似金刚石的碳)、TiN、Pd、Rh、Au、C₂F₄、Si₃N₄、SiC、MgF₂或LiF或合金，或这些材料的两种或更多种所组成的多层。在上述的变化中，覆盖层105包括Ru，其具有介于0.5和2.5nm之间的层厚d4。

然而，在一个可选用的实施例中，这个多层叠层顶部层103不代表多层叠层102的若干层中的一层，而是代表覆盖层，其包括选自Ru、BN、B₄C、B、C(如类似金刚石的碳)、TiN、Pd、Rh、Au、C₂F₄、Si₃N₄、SiC、MgF₂或LiF的材料m5，并具有介于0.5和11nm之间的层厚d5。例如参见图3、4a-4c和5，多层反射镜100包括a)多层反射镜叠层102，多层叠层102包括具有多层叠层顶部层103的多个交替层，其中多层叠层顶部层103代表覆盖层(具有层厚d5)，以及b)被布置在多层叠层102上的光谱滤光片顶部层104，其中这个光谱滤光片顶部层104是按照上述实施例之一的光谱滤光片顶部层104。在一个实施例中，覆盖层/多层叠层顶部层103的材料m5不同于第一光谱纯度增强层110的材料m1。

在一种变化中，提供了多层反射镜100，其包括a)多层叠层102，多层叠层102包括具有多层叠层顶部层103的多个交替层，其中多层叠层顶部层103代表覆盖层，以及b)被布置在多层叠层102上的光谱滤光片顶部层104，光谱滤光片顶部层104包括被布置在多层叠层顶部层103上的、包括材料m1和具有层厚d1的第一光谱纯度增强层110，其中第一光谱纯度增强层110包括选自Si₃N₄、SiO₂、ZnS、Te、金刚石、CsI、Se、SiC、非晶碳、MgF₂、CaF₂、TiO₂、Ge、PbF₂、ZrO₂、BaTiO₃、LiF或NaF的材料m1，光谱滤光片顶部层110具有介于0.5和30nm之间的层厚d1，并且覆盖层包括选自Ru、BN、B₄C、B、C(如类似金刚石的碳)、TiN、Pd、Rh、Au、C₂F₄、Si₃N₄、SiC、MgF₂或LiF的材料m5，并具有介于0.5和11nm之间的层厚。

在一种变化中，多层叠层顶部层103包括Ru并具有介于0.5和2.5nm之间的层厚d5。在一个实施例中，光谱滤光片顶部层110包括4-11nm Si₃N₄(m5)的层厚d1，并且在一种变化中，为5-7nm Si₃N₄(m5)。

在一个实施例中，可提供第二覆盖层105，其被布置在光谱滤光片顶部层104上(如图3和4a所示)。

光谱纯度增强层104适合于抑制某一目标波长范围的光，如介于130和190nm之间的DUV范围。

使用具有光谱纯度增强层104、包括比如Ru的覆盖层105的两个反射镜，可在130-190nm的DUV范围内获得不止1个量级的典型抑制。不包括Ru覆盖层105时，可获得更好的抑制同时更低的损失。

如上所述并如图4a中示意性描述的，通过将光谱纯度增强层104分成两部分，可减少EUV损失。

光谱纯度增强层104还可充当覆盖层以保护多层反射镜100免受氧化。

不同材料可用于不同波长。

不同光谱纯度增强层104可在不同的反射镜上使用以便获得更广泛的吸收范围(借助于不同材料)，或更强的抑制(借助于与光谱纯度增强层相同的材料)。

对于除了目标波长范围之外的波长，光谱纯度增强层104通常不会导致额外的反射率。

光谱纯度增强层104的使用具有高度灵活性的优点，因为取决于所需要的抑制，可以选择光谱纯度增强层104的数目(以及因此可选择损失)。

在EUV光刻系统中，其被设计成不具有光谱纯滤光片，可在任何时间添加光谱纯度增强层104。

尽管在这个说明中具体提到了在IC制造中使用光刻设备，但是应当理解：这里所描述的光刻设备还具有其它的应用，例如，集成光学系统、磁畴存储器的制导和检测图案、平板显示器、液晶显示器(LCD)和薄膜磁头等的制造。应当意识到：在这种可选用的应用范围中，这里的术语“晶片”或“管芯”的任何用法可被认为分别与更通用的术语“衬底”或“目标部分”是同义的。这里提到的衬底可在曝光以前或之后通过比如导向装置(track)(一种通常将光刻胶层施加于衬底并显影已曝光的光刻胶的工具)、测量工具和/或检视工具而被处理。在可适用的地方，这里所公开的内容可适用于这种和其它的衬底处理工具。另外，例如为了制造多层IC，衬底可经过不止一次地处理，以使这里所使用的术语衬底还可指已经包含有多个已处理层的衬底。

尽管上面具体提到了本发明的实施例在光学光刻术的范围中的使用，但是应当意识到：本发明可用于其它的应用(如压印光刻术)，并且在范围允许的地方，本发明不限于光学光刻术。在压印光刻术中，图案形成装置中的图像限定在衬底上生成的图案。图案形成装置的图像可被压入提供给衬底的光刻胶层，随后通过应用电磁辐射、加热、加压或其中的组合使光刻胶固化。在光刻胶被固化后，使图案留在光刻胶上而将图案形成装置移离光刻胶。

虽然在上面对本发明的具体实施例已经进行了描述，但是将会意识到：可以与所述的不同的方式实施本发明。例如，本发明可采用描述上面公开的方法的包含有一个或多个机器可读指令序列的计算机程序的形式，或者是将这样的计算机程序存储在其中的数据存储介质(如半导体存储器、磁盘或光盘)。

上面的描述是用来说明的而不是限制的。因而，对本领域的技术人员来说显而易见的是：只要未背离下面所陈述的权利要求的范围，可对所述的本发明进行更改。另外，应当了解，上述实施例可以组合。

对于材料m1(以及可使用材料m3之处)来说，比如当第一光谱纯度增强层110(以及还可使用第二光谱纯度增强层112之处)具有复折射率的虚部k≤0.25*n+1.07、其中n是复折射率的实部时，或者当按照本发明的另一个实施例、复折射率的实部等于或大于1.5以及复折射率的虚部等于或小于2时，可选择除了选自Si₃N₄、SiO₂、ZnS、Te、金刚石、CsI、Se、SiC、非晶碳、MgF₂、CaF₂、TiO₂、Ge、PbF₂、ZrO₂、BaTiO₃、LiF或NaF的材料以外的其它材料。在另一个实施例中，材料m1(以及可使用材料m3之处)被选择成以满足这些判据。在又一个实施例中，第一光谱纯度增强层110的材料m1(以及在可使用第二光谱纯度增强层112的材料m3之处)具有的复折射率的实部等于或大于2以及复折射率的虚部等于或小于1.6。

在本说明中，氮化硅被认为是Si₃N₄。然而，这应当被解释为包括所有的Si-N化合物，如SiN。

本发明不限于光刻设备的应用或如实施例中所述的光刻设备的使用。另外，附图通常只包括了理解本发明所必需的部件和特征。除此之外，光刻设备的附图是示意性的而非按比例绘制的。本发明不限于在示意图中所示的这些部件(如示意图中绘制的反射镜数目)。另外，本发明不受限于图1和2所描述的光刻设备。