基板处理装置、历史信息记录方法、记录程序及记录系统

摘要

本发明公开了一种基板处理装置，其包括多个用于处理基板的处理室以及将基板从多个处理室运入运出的输送部，包括输送历史记录部、处理历史记录部以及报警历史记录部。输送历史记录部将关于输送部输送基板的历史信息与每一基板相关联，并记录该历史信息作为第一历史信息。处理历史记录部将关于多个处理室中的每一个内的基板的处理状态的历史信息与每一被处理的基板目标相关联，并记录该历史信息作为第二历史信息。报警历史记录部将关于在输送部和处理室至少一个之内发生的报警的历史信息与每一基板相关联，并记录该历史信息作为第三历史信息。

说明书

技术领域

本发明通常涉及基板处理装置、历史信息记录方法、历史信息记录程序以及历史信息记录系统，尤其是涉及包括处理基板的多个处理室以及将基板运入运出的输送部的基板处理装置，历史信息记录方法，用于基板处理装置以执行历史信息记录方法的历史信息记录程序，以及历史信息记录系统。

背景技术

为了确定计算机系统发生问题时的起因，通常计算机系统会记录关于计算机系统执行的处理的日志。类似地，比如半导体制造装置等的基板处理装置也会记录关于半导体制造处理的各种日志。然而，当产生残品时，操作者通过考查各种不同的日志追查故障成因。

可是，按照惯例，基板处理装置着眼于处理基板的各个不同方面(也就是，运载臂、处理室等)来记录各种日志。也就是，基板处理装置按时间顺序记录关于多个基板并且以混合方式表示在处理室内所进行的操作或者进行的处理的信息。

然而，在产生残品的情况下，即使对于有经验的操作者来说，检查出对于特定基板导致产生残品是进行的什么输送或者处理，以及发生什么报警都是相当复杂的。

此外，各种日志的每个都是被独立产生并管理的。这种情况进一步导致检查残品成因更加困难。

发明内容

本发明的主要目的是提供一种基板处理装置、历史信息记录方法、历史信息记录程序以及历史信息记录系统，在其中消除了上述问题。

本发明更具体的目的是提供一种基板处理装置、历史信息记录方法、历史信息记录程序以及历史信息记录系统，其能够减少关于造成残品的问题的原因调查工作的工作量。

本发明的上述目的通过包含有多个处理基板的处理室以及将基板从多个处理室运入运出的输送部的基板处理装置来实现，所述基板处理包括：将关于输送部输送基板的历史信息与每一基板相关联，并将关于基板输送的历史信息作为第一历史信息记录的输送历史记录部；将关于多个处理室中的每一个内的基板的处理状态的历史信息与每一要受到处理的基板相关联，并将关于处理状态的历史信息作为第二历史信息记录的处理历史记录部；以及将关于在输送部和处理室至少一个之内发生的报警的历史信息与每一基板相关联，并将关于报警的历史信息作为第三历史信息记录的报警历史记录部。

在根据本发明的基板处理装置中，有可能通过与每一基板相关联来累计各种日志信息。因此，有可能减少关于差错原因追踪等的工作量。

能够通过由基板处理装置执行的历史信息记录方法、使得基板处理装置进行历史信息记录方法的历史信息记录程序以及用于控制基板处理装置的历史信息记录系统来实现本发明的上述目的。

附图说明

联系附图阅读下面的具体说明，本发明的其它目的、特征和有益效果将变得更加显著，其中：

图1是表示根据本发明实施例的基板处理装置的配置实例的示意图；

图2是表示根据本发明实施例的系统控制器的配置实例的示意图；

图3是用于说明根据本发明实施例的在EC内关于日志处理功能的功能性配置实例的示意图；

图4是用于说明根据本发明实施例的日志信息的记录处理的处理程序的流程图；

图5是部分地示出根据本发明实施例的参数实例的示意图；

图6是部分地示出根据本发明实施例的清单(recipe)实例的示意图；

图7是部分地示出根据本发明实施例的机器日志实例的示意图；

图8是部分地示出根据本发明实施例的处理日志实例的示意图；

图9是部分地示出根据本发明实施例的报警日志实例的示意图；

图10是用于说明根据本发明实施例日志信息的显示处理的处理程序的流程图；

图11是表示根据本发明实施例的机器日志的显示屏实例的示意图；

图12是表示根据本发明实施例的第二基板处理装置的配置实例的示意图；

图13是表示根据本发明实施例的第三基板处理装置的配置实例的示意图；

图14A是沿图13中第二处理单元的II-II线得到的横截面图，以及图14B是图14A中第二处理单元的A部分的放大图；

图15是表示根据本发明实施例的第二处理晶舟(ship)的示意性配置的透视图；

图16是表示根据本发明实施例的用于驱动第二装载锁定单元的干空气供应系统的配置的示意图；以及

图17是表示根据本发明实施例的第三基板处理装置内系统控制器的配置实例的示意图。

具体实施例

现在将参照图1到5给出对本发明实施例的说明。

[第一实施例]

图1是表示根据本发明实施例的基板处理装置的第一种配置的示意图。在图1中，基板处理装置2主要包括处理系统5和输送系统6，处理系统5用于进行关于被运送通过各种处理的半导体晶片(基板)W的各种处理，比如涂膜处理、扩散处理、蚀刻处理等等，并且输送系统6用于将晶片W关于处理系统5运入运出。处理系统5包括能够被抽成真空的输送室8和通过闸门阀10A到10D连接的处理室12A到12D。处理系统5在每一处理室12A到12D内关于晶片W进行相同或者不同类型的加热处理。在每一处理室12A到12D中，分别配置基座14A到14D用于安放晶片W。此外，在输送室8内，设置输送臂部16，且输送臂部16能够弹性弯曲、伸展和旋转，并在处理室12A到12D中以及在装载锁定室中将晶片W运入和运出，这将在后面进行说明。

另一方面，输送系统6包括用于装载盒式容器的盒式载物台(cassette stage)18，和用于运送晶片W并移动运载臂部20来输送并接收晶片W的输送载物台22。在盒式载物台18内，配置容器装载台24，该装载台24能够装载多个盒式容器，例如，图1中最多为4个盒式容器26A到26D。每一个盒式容器26A到26D能够在多个载物台上以一定节距(pitch)装载并容纳晶片W，例如，最多为25个晶片W。在输送载物台22内，设置了在纵向方向上沿着输送载物台22的中心部延伸的导轨28。支撑运载臂部20被支撑为能够在导轨28上滑动。

此外，在输送载物台22的另一边缘，设置定向器36作为用于将晶片定向的方位确定装置。而且，在输送载物台22的中部，为了与输送室8相连接，设置了能够被排成真空的装载锁定室38A和38B。在每个装载锁定室38A和38B内，设置装载台40A和40B用于装载晶片W。另外，在装载锁定室38A和38B的前面和后面，设置闸门阀42A和42B以及44A和44B，以连通到输送室8或者输送载物台22。在基板处理装置2内，至少输送臂部16和运载臂部20形成输送部。

基板处理装置2进一步包括用于控制处理系统5、输送系统6等的操作的系统控制器和设置在输送载物台22的一侧边缘的操作控制器。

例如，操作控制器88包括显示器部，该显示器部含有显示基板处理装置2的每一运行状态、后面将要描述的日志信息等的LCD(液晶显示器)。

图2是表示根据本发明实施例的系统控制器的配置实例的示意图。在图2中，系统控制器包括EC(设备控制器)89、两个MC(模块控制器)90和91以及用于将EC 89连接到MC 90和91的每一个的交换集线器93。将系统控制器通过LAN(局域网)170连接到用作MES(制造执行系统)的PC 171，用于对设置了基板处理装置2的整个工厂的制造过程进行管理。MES将关于工厂内处理的实时信息反馈给基础业务(未示出)，并且还通过考虑整个工厂的工作量来进行关于处理的决策。

EC 89是用于控制累计了所有的MC 90和91的全部基板处理装置2的运行的主要控制部分(主控部分)。此外，EC 89包括CPU 891、RAM(随机存取存储器)892、HDD(硬盘驱动器)893等。在EC 89中，CPU 891根据由用户等通过操作控制器88所指示出的晶片W的处理方法，也就是相应于清单的程序，通过将控制信号发送给每一MC90和91，来控制处理系统5、输送系统6等的运行。同样，EC 89根据安放在HDD 893内的处理系统5和输送系统的各种传感器(未示出)检测出的信息积累日志信息。

交换集线器93根据从EC89发出的控制信号转换MC 90或者91进行连接。

MC 90是一个用于控制处理系统5的运行的子控制部(从属控制部)，并且MC 91是另一个用于控制输送系统6的运行的另一子控制部(从属控制部)。MC 90和91分别通过GHOST网络95由DIST(分配)板96连接到I/O(输入/输出)模块97和98。每一GHOST网络95是由安装在每一个MC 90和91内所包括的MC板之上的被称为GHOST(通用高速最优可升级收发器(General High-Speed Optimum ScalableTransceiver))的LSI实现的网络。最多能够将三十一个I/O模块连接到GHOST网络95。在GHOST网络95中，MC 90和91与主机对应，并且I/O模块97和98与从机对应。

I/O模块97包括多个分别连接到处理系统5内的组成要素(下文中称之为“端设备(end device)”)的I/O部100。I/O模块97控制给每一端设备的控制信号以及从每一端设备发送的输出信号。例如，在I/O模块97内，氨气供应管的MFC、氢氟酸气体供应管的MFC、压力计、APC(自动压力控制)阀、氮气供应管以及输送室8的输送臂部16等与连接到I/O部100的端设备相对应，用于处理室12A到12D。

需要注意的是，I/O模块98和I/O模块97具有相同的配置，并且I/O模块98和输送系统6之间的连接配置与前面所述的MC 90与I/O模块97的连接配置相同，省略对这些内容的说明。

此外，将用于控制I/O部100内的数字信号、模拟信号以及串行信号的输入输出的I/O板(未示出)和每一GHOST网络95相连接。

在基板处理装置2内，当对晶片W进行预定处理时，按照与预定处理的清单相对应的程序，EC 89的CPU 891通过将控制信号经交换集线器93内的I/O部100、MC90、GHOST网络95和I/O模块97传送到期望的端设备，在处理室12A等内执行预定处理。

在图2的系统控制器内，取代将多个端设备直接连接到EC89，将连接到多个端设备的每一I/O部100模块化，且I/O部100形成I/O模块97和98。由于I/O模块97和98通过MC 90和91以及交换集线器93被连接到EC 89，所以可以简化通信系统。

此外，从EC 89的CPU 891发送的控制信号包括被连接到期望的端设备的I/O部100的地址，以及含有I/O部100的I/O模块97或者98的地址。交换集线器93参照包含在控制信号内的I/O模块97或者98的地址，并参照MC 90或者91的GHOST控制信号中I/O部100的地址。因此，交换集线器93和MC 90及91对CPU 891不需要询问控制信号的发送方。因此，有可能由控制信号实现平滑通信。

图3是用于说明根据本发明实施例的关于在EC 89内日志处理功能的功能性配置实例的示意图。在图3中，EC 89包括处理控制部8911、机器日志记录部8912、处理日志记录部8913、报警日志记录部8914、日志提取部8915以及输入/输出控制部8916。CPU 891通过执行存储在HDD 893内的程序能够实现各种功能。例如，程序可以从记录介质比如CD-ROM 894(图2)或者通过网络等等安装。可选择地，程序可以在EC 89出厂时被固化在EC 89中。

处理控制部8911根据预先存储在HDD 893之内的清单8921和参数8922来控制基板处理装置2的处理系统5、输送系统6等等的操作。

机器日志记录部8912、处理日志记录部8913、报警日志记录部8914等等根据设置在处理装置2的处理系统5或者输送系统6之内的各种传感器检测到的信息，起到将日志信息记录到HDD 893中的作用。

也就是，分别地，机器日志记录部8912记录机器日志8923，处理日志记录部8913记录处理日志8924，且报警日志记录部8914记录报警日志8925。机器日志8923记录了在其中以时间序列记录了关于基板处理装置2内晶片W输送的历史信息的数据。处理日志8924是在每一处理室12A到12D内处理晶片W的情况下对于每一处理状态所记录的数据，例如，对每一晶片W所记录的表示诸如压力、温度和气体流速的历史信息的数据，并且处理日志8924也是对每一处理室12A到12D所记录的数据。报警日志8925是一种数据，在其中，当基板处理装置2内引起错误时，记录关于出现报警的历史信息。

输入/输出控制部8916是用于基于操作者的输入对操作控制器88、关于操作控制器88的显示控制等等执行处理控制的功能部。日志提取部8915是用于检索或者提取操作者想要的日志的功能，其响应来自输入/输出控制部8916的指令等等。日志提取部8915所提取的日志信息由输入/输出控制部8916处理以作为显示信息，并且在操作控制器88显示。

下面，将说明图3中由EC 89进行的处理过程。图4是用于说明日志信息的记录处理的处理过程的流程图。

在步骤S101，处理控制部8911基于清单8921和参数8922对基板处理装置2的基板处理系统5和输送系统6输出处理指令。

图5是部分地示出了参数8922的示意图。参数8922主要包括以下信息，在这些信息中，对定义了维护类型、维护时间以及维护方法的项目、关于基板处理装置2的每一功能的开/关的项目、用于关于清单8921的管理信息的项目、关于报警的在发生报警时说明情况的项目等等进行值的设定。

例如，关于清单8921的管理信息包括设定最大处理步骤时间、最小处理步骤时间、清单开始时温度确认、废气开关暂停的秒数、气阀关闭暂停的秒数、在清单实施时腔室阀打开等等各种项目。

例如，由处理控制部8911顺序输出处理指令以进行处理，比如将晶片W从盒式容器26A等等运出，将从盒式容器26A等等运出的晶片W装载到定向器36，定向器36对晶片W的位置进行定位，将晶片W从定向器36运出，将从定向器36运出的晶片W运入装载锁定室38A或38B，将运入装载锁定室38A或38B的晶片W在被处理室12A到12D进行处理之后再次运出，以及将晶片W装载回最初所装载的盒式容器26A等等之中。上述处理指令主要表现为运载臂部20的操作。此外，顺序输出其它的处理指令以进行处理，比如将晶片W从装载锁定室38A或38B运出，将从装载锁定室38A或38B运出的晶片W运入处理室12A到12D中的一个之中，将晶片W从处理室12A等等之中运出，将从处理室12A等等运出的晶片W运入处理室12B到12D中的另外一个或者装载锁定室之中，等等。上述处理指令主要表现为输送臂部16的操作。此外，作为其它的处理指令，顺序输出关于处理室12A到12D的处理的控制指令。基于清单8921顺序输出关于处理室12A等的控制指令。

清单8921是关于每一处理室12A到12D的基板处理的处理信息。详细地，清单8921是特定用于每一处理室12A到12D的处理程序，为了控制对晶片W的处理，处理程序涉及处理顺序和控制项目(温度的控制目标值、压力、气体类型、气体流量、时间等)。

图6是部分地示出了清单8921的示意图。图6中的清单8921记录了用于表示每种清单的清单名称3921a、生成日期8921b、更新日期8921c等。由于清单8921可能被更新，因此，生成日期8921b和更新日期8921c是记录所必需的项目。

在步骤项目8921d中，显示出步骤数目从而由清单8921来形成处理工序。图6中，示出步骤1到4。实际上可以示出更多的步骤。此外，在时间8921e内，对于每一步骤指示出所需时间。接下来对于时间8921e，对于每一步骤指示出各种控制项目的值。

也就是，当处理控制部8911基于清单8921对于每一步骤输出控制项目的值时，在处理室12A等等之中执行各种处理。

处理控制部8911采用唯一表示每一晶片W的识别信息(下文，成为“晶片序号”)指定要由处理指令进行处理的晶片W。晶片序号可以基于盒式容器26A等中的晶片W的位置来限定。

日志信息的记录处理在步骤S101之后推进到步骤S102，由机器日志记录部8912、处理日志记录部8913或者报警日志记录部8914接收关于响应处理控制部8911的处理指令在基板处理装置2内所执行的处理的实测值。

例如，在步骤S103中“晶片输送”的情况下，机器日志记录部8912接收并记录作为机器日志8923的信息，其表示关于晶片W输送的实测值的信息，也就是，表示实际上所执行的状态以使得将晶片W从盒式容器26A等中运出，将从盒式容器26A等运出的晶片W装载到定向器36，由定向器36对晶片W进行定位，将晶片W从定向器36运出，将从定向器36运出的晶片W运入装载锁定室38A或38B，将运入装载锁定室38A或38B的晶片W运出，将从装载锁定室38A或38B运出的晶片W运入处理室12A到12D其中一个之中，将从装载锁定室38A或38B运出的晶片W从处理室12A到12D其中一个之中运出，将从处理室12A到12D其中一个之中运出的晶片W运入处理室12A到12D中的另外一个之中或者运入装载锁定室38A和39B的一个之中，将运入装载锁定室38A或39B中的晶片W运出，将从装载锁定室38A或39B中运出的晶片W装载到最初晶片W所载入的盒式容器26A等之中，等等。除了作为机器日志8923的信息，机器日志记录部8912通过与该信息相对应接收并记录对每一状态的执行时间、以及要被进行处理的晶片W的晶片序号作为机器日志8923(步骤S104)。

图7是部分地显示了机器日志8923的示意图。在图7的机器日志8923中，对每一晶片W以时间序列记录输送历史，且每一输送历史包括输送晶片W时的日期和时间、要被输送的晶片W的晶片序号、处理内容等项目。通过在机器日志8923中记录晶片序号，每一输送历史都和相关的晶片W相关联。也就是，通过采用晶片序号作为关键字来指定晶片W，有可能很容易地提取所有的输送历史。

此外，在步骤S103中“处理”的情况下，基于每一处理室12A到12D等进行的处理的实测值作为处理日志8924被处理日志记录部8913接收并记录(S105)。也就是，作为实测值，处理日志记录部8913在各个处理期间对于每一处理室12A到12D等记录温度、压力、气体流速、用于识别处理室的识别信息、要被进行处理的晶片W的晶片序号。在这种情况下，处理日志记录部8913基于所执行的处理产生清单8921和参数8922的副本，并通过将副本与要被进行处理的晶片W相关联来存储清单8921和参数8922的副本。对于参数8922，副本可以全部储存在HDD 893中。可选择地，一部分与关于清单8921的管理信息相关的副本也可以存储在HDD 893之中。

图8是部分地示出了处理日志8924的示意图。在图8中，处理日志8924是关于在单个处理室内单一晶片W的处理日志，其记录了作为处理室标识的模块名8924a、要被进行处理的晶片W的晶片序号8924b、清单名8924c、批开始时间8924l、批结束时间8924m、用于记录日志开始的追踪开始时间8924d、用于记录日志结束的追踪结束时间8924e等。

此外，处理日志记录表8924f每隔一秒对每一实测值记录历史。也就是，经过的时间按秒记录在列8924g中，在该秒时间所进行的步骤(在清单8921中所限定的)的步骤序号被记录在列8924h中。此外，在同一秒时间内，分别地，压力被记录在列8924i中，温度被记录在列8924j，气体流速被记录在列8924k中等。实际上，信息被进一步记录，但是方便起见将其省略了。通过在处理日志8924内记录晶片序号，每一处理日志记录表8924f能够与相关的晶片W相关联。例如，可选择地，在每一清单8924和参数8922被复制之后，通过另外将晶片序号提供给每一清单8924和参数8922的文件名能够获得清单8921和相关的晶片W之间的关系以及参数8922和相关的晶片W之间的关系。

在图8中示出的这种情况下，从批开始时间89241和批结束时间8924m的处理时间是大约1小时20分钟。另一方面，正如从追踪开始时间8924d和追踪结束时间8924e所见的，日志记录时间大约为2分钟。也就是，对于图8中的处理日志8924，没有必要记录关于单一一批的操作的细节。对于必要单元(每一操作)可以记录处理日志8924。对于单一处理日志8924的记录时间大约在5分钟之内，并且优选大约120秒。

此外，在步骤S103“报警”的情况下，报警日志记录部8914基于在基板处理装置2的处理系统5和输送系统6内发生的错误等接收报警信息，以及关于报警的晶片W的晶片序号，并记录报警信息和晶片序号作为报警日志8925(步骤S106)。

图9是部分地示出了报警日志8925的示意图。在图9的报警日志8925中，以时间序列示出所发生的报警历史，并且每一历史包括发生报警时的日期和时间、被报警的晶片W的晶片序号、报警内容等。通过在报警日志8925中记录晶片序号，每一报警都与相关的晶片W相关联。也就是，通过使用晶片序号作为关键字来指定晶片W，有可能很容易地提取所有的历史。

如上所述，通过重复步骤S101到S107，在HDD893内累计机器日志8923、处理日志8924、报警日志8925等。

随后，将说明当需要显示在图4中的日志信息的记录处理中所累计的日志信息时所进行的处理。图10是用于说明日志信息的显示处理的处理过程的流程图。

步骤S201中，操作者将其日志信息被查阅的晶片W的序号输入到操作控制器88。晶片序号可以从键盘输入。可选择地，EC 89的输入/输出控制部8916控制操作控制器88来显示一列晶片序号，并使操作者选择一个晶片序号。此外，操作者可以被允许输入多个晶片序号。

日志信息的显示处理在步骤S201之后前进到步骤S202。输入/输出控制部8916接收由操作者输入的晶片序号(下文，称作当前晶片序号)，并将当前的晶片序号发送给日志提取部8915。之后，日志提取部8915用机器日志8923中所记录的晶片序号查询当前的晶片序号，并仅仅从机器日志8923中提取关于当前晶片序号的机器日志信息。需要指出的是，当输入多个晶片序号时，对于多个晶片序号的每一个提取机器日志信息。

日志信息的显示处理在步骤S202之后前进到步骤S203。输入/输出控制部8916控制操作控制器88以显示在步骤S202中所提取的机器日志信息。例如，操作控制器88在如图11所示的屏幕上显示在步骤S202中所提取的机器日志信息。

图11是表示机器日志信息的显示屏实例的示意图。在图11中，机器日志显示屏881包括机器日志显示区8811、处理日志显示按钮8812、报警日志显示按钮8813、清单显示按钮8814、参数显示按钮8815等。

机器日志显示区8811是在其中对于操作者输入的每一晶片序号以时间序列显示该晶片W的机器日志信息的区域。图11中，以时间序列显示每一个由晶片序号所指定的一个晶片W的机器日志信息和由“1-05”和“1-12”所指定的另一晶片W的机器日志信息。例如，在其中一个晶片W不是残品而另一个晶片W是残品的情况下，操作者通过确定在两个晶片W之间的不同要素就能够推测残品原因。同样，在两个晶片W都是残品的情况下，操作者通过确定在两个晶片W之间的相同要素就能够推测残品原因。需要指出的是，可以高亮显示不同的要素或者是相同的要素以增强可视性。

处理日志显示按钮8812是用于显示对应于在机器日志显示区8811中选择的晶片序号(下文中，称为选定晶片序号)的处理日志的按钮。此外，报警日志显示按钮8813是用于显示对应于选定的晶片序号的报警日志信息的按钮。

也就是，在“显示处理日志”的情况下，当按下处理日志显示按钮8812时，日志提取部8915使选定的晶片序号与处理日志8924之内所记录的晶片序号一致，并从处理日志8924中仅仅提取关于选定的晶片序号的处理日志信息(步骤S205)。输入/输出控制部8916将从处理日志8924中提取的处理日志信息发送给操作控制器88，并通过操作控制器88显示处理日志信息(步骤S206)。

另一方面，在步骤S204中“显示报警日志”的情况下，当操作者按下报警日志显示按钮8813时，日志提取部8915使选定的晶片序号与报警日志8925之内所记录的晶片序号一致，并从报警日志8925中仅仅提取关于选定的晶片序号的报警日志信息(步骤S207)。输入/输出控制部8916将步骤S207中提取的报警日志信息发送给操作控制器88，并且操作控制器88显示报警日志信息(步骤S208)。

此外，当操作者按下清单显示按钮8814或者参数显示按钮8815时(步骤S209)，例如，日志提取部8915使选定的晶片序号与HDD 893中存储的复制清单和复制参数的文件名一致，并从HDD 893中存储的复制清单和复制参数中提取关于选定的晶片序号的清单信息和参数信息(步骤S210)。输入/输出控制部8915将步骤S210中提取的清单信息和参数信息发送给操作控制器88，并且操作控制器显示清单信息和参数信息(步骤S211)。

如上所述，在根据本发明的基板处理装置中，有可能很容易地查阅对每一晶片W的各种日志信息。因此，与查阅以时间序列的关于多个晶片W的各种信息混合在一起的日志信息的情况相比，有可能减少追踪残品成因等等的工作量。

实际上，如果有必要更新或改进，可以几次改变清单8921和参数8922的内容。在根据本发明实施例的基板处理装置2中，在HDD 894中复制并存储实际用于操作这些处理的清单8921和参数8922的内容。因此，当检查残品成因时，实际采用的清单8921和参数8922的内容作为清单信息和参数信息与如上所述的诸如机器日志信息、处理日志信息以及报警日志信息的各种日志信息一起被查阅。因此，有可能精确地检查残品成因。

此外，对于作为追踪残品成因的有效信息的报警，报警信息通过与各自的晶片W相关联来被存储，并能够对每一晶片W进行提取和查阅。因此，有可能有效追踪残品成因。

如上所述，说明了将各种日志信息的每一个与每一晶片W通过使用晶片序号进行关联的实例情况。然而，各种日志信息可以不与晶片W相关联。例如，在记录日志信息的情况下，可以对每一晶片W记录日志信息。也就是，取代对于每一日志类型(机器日志8923、处理日志8924和报警日志8925的每一类型)记录日志信息，可以生成日志文件从而对于每一晶片W记录各种日志信息。此外，例如，在由RDB(相关数据库)管理日志信息的情况下，一行可以和每一晶片W相对应，并且作为该行的项目，可以记录机器日志8923、处理日志8924、报警日志8925等。需要指出的是，日志信息的输出方法并不限于屏幕，其也可以是在纸张上进行打印。

可选择地，例如，可以如图12或者13来配置基板处理装置2。图12是示出根据本发明实施例的第二基板处理装置的配置的示意图。在图12中，与前面所说明的图中示出的那些相同的部分被标以相同的参考标记，并将省略对其进行的说明。

图1中的基板处理装置2包括4个处理室(12A到12D)。另一方面，不同于图1中的基板处理装置2，图12中示出的基板处理装置3包括6个处理室(12A到12F)。此外，输送室8的配置和图1中的基板处理装置2不同。在图12的基板处理装置3中，输送臂部16通过沿着轨道17A和17B的平移和通过将输送臂部16的起始点设定为中点的旋转移动来输送晶片W。

需要指出的是，在基板处理装置3中由EC 89执行的处理与基板处理装置2的相同。

此外，图13是示出根据本发明实施例的第三基板处理装置的配置的示意图。

在图13中，基板处理装置4包括用于对晶片W实施RIE(反应离子蚀刻)处理的第一处理晶舟211，与第一处理晶舟211平行设置用于对已在第一处理晶舟211内进行RIE的晶片W实施COR(化学氧化移除)处理和PHT(后续热处理(Post Heat Treatment))处理的第二处理晶舟212，以及为矩形共通输送室并被连接到第一处理晶舟211和第二处理晶舟212每一个上的装载单元213。

除了第一处理晶舟211和第二处理晶舟212，装载单元213还被连接到每一个都用于装载作为容纳25个晶片W的容器的FOUP的三个FOUP(前开式晶圆盒)装载台215，用于确定从FOUP 214中运出的晶片W的位置的定向器216以及分别用于测量晶片W的表面状态的第一和第二IMS(集成计量系统：Therma-Wave公司)217和218。

第一处理晶舟211和第二处理晶舟212在纵向方向上被连接到装载单元213的侧壁，并且被设置成面朝向处于将装载单元213夹在三个FOUP装载台215的状态下的三个FOUP装载台215。将定向器216安装在装载单元213的纵向方向上的一侧边缘，第一IMS 217被设置在装载单元213纵向方向上的另一侧边缘上，以及将第二IMS 218与三个FOUP装载台215相平行地设置。

在装载单元213内部，装载单元213包括用于输送晶片W的阶梯型双臂型运载臂机构219，以及三个设置在侧壁上从而与三个FOUP装载台215的每一个相对应并成为晶片W的输入槽的装载口220。运载臂机构219通过装载口将晶片W从装在三个FOUP装载台215每一个之上的FOUP 214运出，并将晶片W从第一处理晶舟211、第二处理晶舟212、定向器216、第一IMS 217和第二IMS 218运入运出。

第一IMS 217是光学系统监视器，包括用于装载被运入的晶片W的装载台221以及用于对被装在装载台221之上的晶片W进行定位的光学传感器222。例如，第一IMS 217测量晶片W的表面状态，比如表层膜厚、诸如配线槽、栅电极等的CD(临界尺寸)值。第二IMS 218也是光学系统监视器，与第一IMS 217相似，第二IMS 217包括装载台223和光传感器224。第二IMS 218测量晶片W表面上的微粒数量。

第一处理晶舟211包括作为用于对晶片W实施RIE处理的第一真空处理室的第一处理单元225，以及容纳用于将晶片W输送到第一处理单元225以及从该处理单元接收的链接型单个拾取型的第一运载臂226的第一装载锁定单元227。

第一处理单元225包括圆柱形处理室，以及在圆柱形处理室内设置的上部电极和下部电极。上部电极和下部电极隔开以产生合适的间隔从而对晶片W实施RIE处理。此外，下部电极在下部电极的顶部具有用于由库仑力等检验晶片W的ESC 228。

第一处理单元225将处理气体引入室内，并通过在上部电极和下部电极之间产生电场从处理气体产生等离子体，从而从等离子体产生离子和基，并通过采用这些离子和基对晶片W实施RIE处理。

在第一处理晶舟211内，装载单元213的内部压力维持为大气压。另一方面，第一处理单元225的内部压力保持为真空的。因此，第一装载锁定单元227在与第一处理单元225的连接部配置有真空闸门阀229，并且在与装载单元213的连接部配置有大气闸门阀230，从而将第一装载锁定单元227配置成为能够调节第一装载锁定单元227的内部压力的真空辅助输送室。

在第一装载锁定单元227内部大概中心处设置第一运载臂226，从第一运载臂226在第一处理单元225的一侧配置第一缓冲器23 1，以及从第一运载臂226在装载单元213的一侧配置第二缓冲器232。第一缓冲器23 1和第二缓冲器232被设置在轨道内，沿着所述轨道设置了用于支撑在第一运载臂226一端装载的晶片W的支撑部(拾取)233，并在支撑部233的轨道上向上临时移动对其进行RIE处理的晶片W。因此，将一个没有被实施RIE处理的晶片W平滑运入到第一处理单元225，并将被实施RIE处理的另一晶片W从第一处理单元225中运出都是有可能的。

第二处理晶舟212包括用于对晶片W进行COR处理的作为第二真空处理室的第二处理单元234，用于对晶片W进行PHT处理的作为第三真空处理室并且通过真空闸门阀235连接到第二处理单元234的第三处理单元236，以及内部安装了一用于将晶片W从第二处理单元234与第三处理单元236运入运出的链接型单个型的第二运载臂237的第二装载锁定单元249。

将参见图14A和图14B说明第二处理单元234。图14A是沿图13中的II-II线所得的横截面图，以及图14B是图14A中A部分的放大图。

在图14A中，第二处理单元234包括圆柱形的处理室238、用作装载台以装载设置在处理室238之内的晶片W的ESC 239、从处理室238向上设置的喷头240、用于排出处理室238内的气体等的TMP(涡轮分子泵)241，以及设置在处理室238与TMP 241之间用作控制处理室238内部压力的可变阀的APC(自动压力控制)阀242。

ESC 239包括内部被供以直流电压的电极板(未示出)，并通过直流电压产生的库仑力或Johnsen-Rahbek力吸附和保持晶片W。此外，ESC 239包括多个用作能够从ESC 239的上表面自由突出的起模顶杆(lift pin)的推杆256。当晶片W被吸附到ESC 239并被ESC 239保持时，多个推杆256被容纳在ESC 239之中。当被实施COR处理的晶片W从处理室238中被运出时，多个推杆256从ESC 239的上表面突出并向上提升晶片W。

喷头240具有两层结构。喷头240包括位于底层243的第一缓冲区245，还包括位于顶层244的第二缓冲区246。第一缓冲区245和第二缓冲区246分别通过气体空气轴(gas air shaft)247和气体空气轴248连接到处理室238。当对晶片W实施COR处理时，NH₃(氨)气将从在后面说明的氨气供应管257向第一缓冲区245供应。提供给第一缓冲区245的氨气通过气体空气轴247被供应进入处理室238。同样，通过氢氟酸气体供应管258向第二缓冲区246供应HF(氟化氢)气体，并且提供给第二缓冲区246的HF气体通过气体空气轴248被供应进入处理室238。

此外，如图14B所示，以分支形状形成气体空气轴247和248进入处理室238的开口。由这种形状，就有可能有效地将氨气或氢氟酸气体扩散进入处理室238之中。此外，由于气体空气轴247和248具有收缩形状，就有可能避免在处理室238内产生的沉积物流回气体空气轴247和248，并且进一步避免了沉积物流回到第一缓冲区245和第二缓冲区246。需要指出的是，气体空气轴247和248可以是螺旋形空气轴。

第二处理单元234通过调节处理室238内部的压力以及氨气和氢氟酸气体每一种的体积流量(volume flow rate)来对晶片W进行COR处理。

再返回参见图13，第三处理单元236包括具有底盘形状的处理室250、设置在处理室250内用作晶片W的装载台的载物台加热器251以及被设置成环绕载物台加热器251的用于向上提升装载在载物台加热器251之上的晶片W的缓冲臂252。

载物台加热器251由氧化膜形成的表面上的铝组成，并通过内部安装的电热线等对所装载的晶片W进行加热直到预定温度。缓冲臂252在第二运载臂237中支撑部253的轨道向上临时移动被实施COR处理的晶片W。因此，有可能将第二处理单元234和第三处理单元236中的晶片W平滑地运入运出。

第三处理单元236通过调节晶片W的温度对晶片W实施PHT处理。

第二装载锁定单元249包括具有底盘形状并在内部安装了第二运载臂237的输送室270。装载单元213的内部压力保持为大气压。另一方面，第二处理单元234和第三处理单元236的内部压力保持为真空。因此，第二装载锁定单元249包括位于与第三处理单元236相连接部分的真空闸门阀254，以及位于与装载单元213相连接部分的大气门阀255，用作能够调节其内部压力的真空辅助输送室。

图15是示出第二处理晶舟212的示意性配置的透视图。

图15中，第二处理单元234包括用于向第一缓冲区245提供氨气的氨气供应管257，用于向第二缓冲区246提供氢氟酸气体的氢氟酸气体供应管258，用于向第二缓冲区246提供氢氟酸气体的压力计259，用于测量处理室238内压力的压力计259，以及用于向设置在ESC 239内的冷却系统提供制冷剂的冷却器单元260。

氨气供应管257设置有MFC(质量流量控制器)(未示出)，且MFC调节供应给第一缓冲区245的氨气流速。氢氟酸气体供应管258也设置有另一个MFC(未示出)，且MFC调节供应给第二缓冲区246的氢氟酸气体的流速。氨气供应管257的MFC与氢氟酸气体供应管258的MFC相互协作，从而调节供应给处理室238的氨气和氢氟酸气体的体积流量。

此外，连接到DP(干燥泵)(未示出)的第二处理单元排气系统261从第二处理单元234向下设置。第二处理单元排气系统261包括与设置在处理室238和APC 242之间的通风管道262相连通的排气管263，且排气管263向下连接TMP 241(排气侧)，并排出处理室238内的气体等。需要指出的是，排气管264被连接到DP前部的排气管263。

第三处理单元236包括用于向处理室250提供氮气的氮供应管265，用于测量处理室250中压力的压力计266以及用于排出处理室内的氮气等的第三处理单元排气系统267。

氮气供应管265设置有MFC(未示出)，且MFC调节提供给处理室250的氮气流速。第三处理单元排气系统267包括与处理室250相连通并被连接到DP的主排气管268，设置在主排气管268中部的APC阀269，以及为了避开APC阀269而从主排气管268分支出来并被连接到DP前部的主排气管268的子排气管268a。APC阀269控制处理室250内的压力。

第二装载锁定单元249包括用于向输送室270供应氮气的氨气供应管271，用于测量输送室270内压力的压力计272，用于排出输送室270内的氮气等的第二装载锁定单元排气系统273，以及用于释放输送室270内的大气的大气连通管274。

氮气供应管271设置有MFC(未示出)，且MFC调节提供给输送室270的氮气流速。第二装载锁定单元排气系统273由单个排气管组成，并且排气管与输送室270连通，并被连接到DP前部第三处理单元排气系统267内的主排气管268。此外，第二装载锁定单元排气系统273和大气连通管274中的每一个都包括排气阀275和安全阀276，它们可以被自由打开或关闭。排气阀275和安全阀276相互协作并将输送室270内的压力从大气压调节到所期望的真空度。

图16是表示用于驱动第二装载锁定单元249的干气供应系统的配置的示意图。

在图16中，用于驱动第二装载锁定单元249的干气供应系统277向用于驱动在大气门阀255之内所包括的滑门的门阀气缸、作为N₂清洗单元的氮气供应管271内所包括的MFC、作为用于释放大气的释放单元的大气连通管274内所包含的安全阀276、作为排气单元的第二装载锁定单元排气系统273内所包含的排气阀275，以及用于驱动在真空闸门阀254中所包括的滑门的闸门阀气缸提供干燥空气。

干气供应系统277包括从包含在第二处理晶舟212内的主干气供应管278分支出来的子干气供应管279，以及连接到子干气供应管279的第一电磁阀280和第二电磁阀281。

第一电磁阀280通过干气供应管282、283、284和285连接到门阀气缸、MFC、安全阀276以及闸门阀气缸，并通过控制干气供应流速控制每一部分的操作。此外，第二电磁阀281通过干气供应管286连接到排气阀275，并通过控制对排气阀275的干气供应流速来控制排气阀275的操作。

需要指出的是，氮气供应管271中的MFC也被连接到氮(N₂)气供应系统287。

此外，第二处理单元234和第三处理单元236的每一个都包括与用于驱动第二装载锁定单元249的干气供应系统277相类似的用于驱动该单元的干气供应系统。

返回参见图13，基板处理装置4包括用于控制第一处理晶舟211、第二处理晶舟212以及装载单元213的操作的系统控制器，以及在装载单元213的纵向方向上在一边缘上设置的操作控制器288。

例如，与图1中的操作控制器88相类似，操作控制器288包括由LCD(液晶显示器)组成的显示部，且显示部显示基板处理装置4的每一系统配置元件运行状态、日志信息等。

图17是表示根据本发明实施例的第三基板处理装置内系统控制器配置的示意图。在图17中，与图2所示的那些相同的部件被标以相同的参考标记，并省略对它们的说明。

在图17中，MC290、MC291和MC292是分别用于控制第一处理晶舟211、第二处理晶舟212以及装载单元213的子控制部(从属控制部)。与图2相似，MC290、MC291和MC292通过GHOST网络95由DIST(分配)板96分别连接到I/O(输入/输出)模块297、298和299。

此外，I/O模块297、298和299与图2所示的I/O模块97和98类似地配置。然而，在图17中，I/O模块297、298和299与第一处理晶舟211、第二处理晶舟212以及装载单元213相对应。

由EC 89执行的日志信息记录处理和日志信息显示处理基于与图2中示出的由EC 89执行的处理一样的处理过程。因此，有可能对每一晶片W确定关于图13中的基板处理装置4的日志信息，并且与图1中示出的基板处理装置2相似，有可能减少追踪残品成因的工作量。需要指出的是，在图13的基板处理装置4中，至少运载臂机构219、第一运载臂和第二运载臂形成了输送部。

根据本发明，有可能提供能够减少关于追踪故障等原因的工作量的基板处理装置、历史信息记录方法、历史信息记录程序以及历史信息记录系统。

本发明并不限定于这些实施例，一些变形和修改可以在不脱离本发明的范围的情况下做出。

本专利申请基于2005年3月29日提出的日本在先专利申请第2005-095123号，该申请的全部内容在这里结合作为参考。