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提高片外驱动器的电流和转换速率比率的方法

摘要

提供一种片外驱动器(OCD)电路和技术,用于当过程条件变化时减少输出信号的上升和下降沿之间的偏移。过程条件的变化可能导致在NMOS和PMOS晶体管之间的较强或较弱的相对电流驱动。可以将一个或多个与过程相关的补偿电流路径添加到传统的上拉和/或下拉电流路径以便通过补充用于对OCD的终端驱动器(例如反相器)级的输出节点充电(PMOS)或放电(NMOS)的晶体管的电流驱动来补偿过程变化。

著录项

  • 公开/公告号CN1821925A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2006-08-23

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 因芬尼昂技术股份公司;

    申请/专利号CN200510104751.9

  • 发明设计人 G·W·亚历山大;T·-G·乐;

    申请日2005-12-14

  • 分类号G05F3/16(20060101);

  • 代理机构72001 中国专利代理(香港)有限公司;

  • 代理人张志醒

  • 地址 德国慕尼黑

  • 入库时间 2023-12-17 17:38:18

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2009-08-26

    发明专利申请公布后的视为撤回

    发明专利申请公布后的视为撤回

  • 2006-10-18

    实质审查的生效

    实质审查的生效

  • 2006-08-23

    公开

    公开

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