首页> 中国专利> 检查基板处理装置的方法和存储用于执行该方法的检查程序的存储介质

检查基板处理装置的方法和存储用于执行该方法的检查程序的存储介质

摘要

一种检查基板处理装置的方法,其能够防止将产品基板提供到要被检查的基板处理室,并在希望的时间检查基板处理室。根据操作者选择菜单选项“QC模式”,或者响应来自主机的指令,禁止产品晶片W(产品基板)被输送到要被检查的处理单元(基板处理室)。响应存储在连接到相关联的装载口24的载体中的晶片是QC晶片这个事实的通知,允许将QC晶片从连接到相关联的装载口24的载体输送到要被检查的处理单元。

著录项

  • 公开/公告号CN1808693A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2006-07-26

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 东京毅力科创株式会社;

    申请/专利号CN200510132644.7

  • 发明设计人 沼仓雅博;

    申请日2005-12-20

  • 分类号H01L21/00(20060101);H01L21/02(20060101);H01L21/67(20060101);G05B15/02(20060101);G05B19/02(20060101);

  • 代理机构11245 北京纪凯知识产权代理有限公司;

  • 代理人龙淳

  • 地址 日本东京

  • 入库时间 2023-12-17 17:33:59

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2008-06-25

    授权

    授权

  • 2006-09-20

    实质审查的生效

    实质审查的生效

  • 2006-07-26

    公开

    公开

说明书

技术领域

本发明涉及检查基板处理装置的方法和存储有用于执行该方法的检查程序的存储介质,更具体地涉及一种使用向其中输送的基板检查基板处理装置的方法。

背景技术

用于在基板上进行预定处理的基板处理装置包括众多作为真空处理室的处理单元(基板处理室)、作为输送室连接到处理单元并且其内部压力在真空与大气压力之间切换的负载锁定室、其上放置有装有众多基板的运载盒的载置台以及作为输送室配置在负载锁定室和载置台之间并且其内部压力设置为大气压力的装载装置。

在基板处理装置中,通过装载装置和负载锁定室将基板从一个运载盒输送到一个处理单元,并且在处理单元中经受等离子体处理,如蚀刻。在这种情况下,当粒子沉积在基板上时,或者当处理中的蚀刻速率落在预定范围之外时,由基板制成的半导体设备的制造成品率恶化。

沉积在每个基板上的粒子数量和蚀刻速率取决于基板处理装置的状况,特别是作为其组件的处理单元的状况而变化,因此在基板处理装置中,有必要定期检查每个处理单元的状况。

按照惯例,为了定期检查处理单元的状况,一直使用通过打开其盖子来检查处理单元内部的方法。然而,根据该方法,检查之后要花费时间在处理单元中再造真空,这样不能频繁检查处理单元。

为了解决这个问题,近期已经开发一种检查处理单元状况的方法,是通过把不同于产品基板的检查基板输送到基板处理装置中用于蚀刻,并测量沉积在蚀刻过的检查基板上的粒子数量和蚀刻速率。该方法无需打开处理装置的盖子,并因此可以频繁地检查处理单元。

作为使用检查基板的方法,已经提出了一种其中操作者指定要检查的处理单元,然后将装有检查基板的运载盒放置在载置台上,并将检查基板输送到要被检查的处理单元以处理检查基板的方法,和一种其中操作者根据事先存储在装置中的处理工序把检查基板插入存储产品基板的分类器,然后将检查基板输送到处理装置中以进行处理的方法(例如见日本专利公开第2730538号)。

然而,在操作者指定要检查的处理单元的方法中,仅仅操作者能够确定提供给要被检查的处理装置的基板类型,因此,如果操作者不知道他/她将要把基板提供给的处理单元是要被检查的处理单元,他会错误地把产品基板提供给要被检查的处理单元。

此外,在使用预先存储在装置中的处理工序的方法中,根据处理工序,将检查基板插入分类器,并进一步输送到处理装置。因此,不必担心会错误地提供产品基板,但是要求操作者事先准备处理工序,这样不可能在需要的时间检查处理单元的状况。

发明内容

本发明的目的是提供一种能够防止将产品基板提供到要被检查的基板处理室,并且能够在希望的时间检查基板处理室的检查基板处理装置的方法,和存储用于执行该方法的检查程序的存储介质。

为了达到上述目的,在本发明的第一方面,提供一种检查基板处理装置的方法,该基板处理装置包括至少一个用于处理产品基板的基板处理室和连接到基板处理室用于输送产品基板的基板输送室,基板输送室具有至少一个连接到装有产品基板的容器的入口,并且通过入口将产品基板从容器提供到基板处理室,该方法包括响应外部指令,禁止产品基板被输送到基板处理室的基板输入禁止步骤,和响应预定容器装有检查基板的通知,允许将检查基板从连接到入口的预定一个容器输送到基板处理室的检查基板输入许可步骤。

用本发明的第一方面的构成,响应外部指令,禁止产品基板被输送到基板处理室,以及响应连接到入口的预定容器装有检查基板的通知,允许检查基板从预定容器被输送到基板处理室。因此,可以防止产品基板被提供给要被检查的基板处理室,并且通过在希望的时间提供上述通知,进而在希望的时间检查基板处理室。

优选地,检查基板处理装置的方法包括响应外部指令开始将检查基板输送到基板处理室的检查基板输入开始步骤。

用该优选实施方式的构成,响应外部指令,检查基板开始被输送到基板处理室,并因此可以可靠防止产品基板被提供给要被检查的基板处理室。

优选地,检查基板处理装置的方法包括响应外部指令,解除对产品基板输入基板处理室的禁止的基板输入禁止-解除步骤。

用本优选实施方式的构成,响应外部指令,解除对产品基板输送到基板处理室的禁止。这样可以在检查基板处理装置之后顺利地重新开始处理产品基板。

优选地,基板处理装置可以装备有用于显示指示处理开始按钮的显示部分,并且显示部分显示响应连接到入口的预定容器装有检查基板的通知,指示开始检查基板处理装置的按钮。

用该优选实施方式的构成,基板处理装置装备有用于显示用于指示处理开始按钮的显示部分,并且显示部分显示响应连接到入口的预定容器装有检查基板的通知,指示开始检查基板处理装置的按钮。因此,操作者能够容易地识别出他/她将要把检查基板提供给的基板处理室是将要被检查的基板处理室,并通过与在开始处理产品基板时所执行的相同操作,开始基板处理室的检查。这样可以减轻操作者的负担。

为了达到上述目的,在本发明的第二方面,提供一种检查基板处理装置的方法,该基板处理装置包括至少一个用于处理产品基板的基板处理室和连接到基板处理室用于输送产品基板的基板输送室,基板输送室具有至少一个连接到装有产品基板的容器的入口,并且通过入口将产品基板从容器提供到基板处理室,该方法包括响应外部指令禁止产品基板被输送到基板处理室的基板输入禁止步骤,和当包括基板处理室的传送路径被设置为用于传送装在预定容器中的检查基板的传送路径时,允许检查基板从连接到入口的预定一个容器被输送到基板处理室的检查基板输入许可步骤。

用本发明第二方面的构成,响应外部指令,禁止产品基板被输送到基板处理室,并且当包括基板处理室的传送路径被设置为用于传送装在连接到一个入口的预定容器中的检查基板的传送路径时,允许检查基板从预定容器被输送到基板处理室。因此,可以防止产品基板被提供给要被检查的基板处理室,并通过在希望的时间进行以上设置,进而在希望的时间检查基板处理室。

为了达到上述目的,在本发明的第三方面,提供一种检查基板处理装置的方法,该基板处理装置包括至少一个用于处理产品基板的基板处理室和连接到基板处理室用于输送产品基板的基板输送室,基板输送室具有至少一个连接到装有产品基板的容器的入口,并且通过入口将产品基板从容器提供到基板处理室,该方法包括检查处理过的产品基板的基板检查步骤,依据处理过的产品基板的检查结果,禁止产品基板被输送到基板处理室的基板输入禁止步骤,以及响应预定容器装有检查基板的通知,允许检查基板从连接到入口的预定一个容器被输送到基板处理室的检查基板输入允许步骤。

用本发明的第三方面的构成,检查处理过的产品基板;根据处理过的产品基板的检查结果,禁止产品基板被输送到基板处理室;以及响应预定容器装有检查基板的通知,允许检查基板从连接到入口之一的预定容器被输送到基板处理室。因此,可以防止产品基板被提供给要被检查的基板处理室,并且无需操作者设置检查基板处理室的时间,从而可以减轻操作者的负担。

为了达到上述目的,在本发明的第四方面,提供一种检查基板处理装置的方法,该基板处理装置包括至少一个用于处理产品基板的基板处理室和连接到基板处理室用于输送产品基板的基板输送室,基板输送室具有至少一个连接到装有产品基板的容器的入口,并且通过入口将产品基板从容器提供到基板处理室,该方法包括监视基板处理装置的管理项目的管理项目监视步骤,根据管理项目的监视结果,禁止产品基板被输送到基板处理室的基板输入禁止步骤,以及响应预定容器装有检查基板的通知,允许检查基板从连接到入口的预定一个容器被输送到基板处理室的检查基板输入允许步骤。

用本发明的第四方面的结构,监视基板处理装置的管理项目;根据管理项目的监视结果,禁止产品基板被输送到基板处理室;以及响应预定容器装有检查基板的通知,允许检查基板从连接到入口之一的预定容器被输送到基板处理室。因此,可以防止产品基板被提供到要被检查的基板处理室,并且无需操作者设置用于检查基板处理室的时间,从而可以减轻操作者的负担。

为了达到上述,在本发明的第五方面,提供一种计算机可读存储介质,其存储用于使计算机执行检查基板处理装置的方法的检查程序,其中基板处理装置包括至少一个用于处理产品基板的基板处理室,和连接到基板处理室用于输送产品基板的基板输送室,基板输送室具有至少一个连接到装有产品基板的容器的入口,并且通过入口将产品基板从容器提供到基板处理室,该检查程序包括用于响应外部指令禁止产品基板被输送到基板处理室的基板输入禁止模块,和用于响应预定容器装有检查基板的通知,允许检查基板从连接到入口的预定一个容器被输送到基板处理室的检查基板输入许可模块。

为了达到上述目的,在本发明的第六方面,提供一种计算机可读存储介质,其存储用于使计算机执行检查基板处理装置的方法的检查程序,其中基板处理装置包括至少一个用于处理产品基板的基板处理室和连接到基板处理室用于输送产品基板的基板输送室,基板输送室具有至少一个连接到装有产品基板的容器的入口,并且通过入口将产品基板从容器提供到基板处理室,该检查程序包括用于响应于外部指令禁止产品基板被输送到基板处理室的基板输入禁止模块,和用于当包括基板处理室的传送路径被设置为用于传送装在预定容器的检查基板的传送路径时,允许检查基板从连接到入口的预定一个容器被输送到基板处理室的检查基板输入许可模块。

为了达到上述目的,在本发明的第七方面,提供一种计算机可读存储介质,其存储用于使计算机执行检查基板处理装置的方法的检查程序,其中基板处理装置包括至少一个用于处理产品基板的基板处理室和连接到基板处理室用于输送产品基板的基板输送室,基板输送室具有至少一个连接到装有产品基板的容器的入口,并且通过入口将产品基板从容器提供到基板处理室,该检查程序包括用于检查处理过的产品基板的基板检查模块,根据处理过的产品基板的检查结果,禁止产品基板被输送到基板处理室的基板输入禁止模块,以及用于响应预定容器装有检查基板的通知,允许检查基板从连接到入口的预定一个容器被输送到基板处理室的检查基板输入许可模块。

为了达到上述目的,在本发明的第八方面,提供一种计算机可读存储介质,其存储用于使计算机执行检查基板处理装置的方法的检查程序,其中基板处理装置包括至少一个用于处理产品基板的基板处理室,和连接到基板处理室用于输送产品基板的基板输送室,基板输送室具有至少一个连接到装有产品基板的容器的入口,并且通过入口将产品基板从容器提供到基板处理室,该检查程序包括用于监视基板处理装置的管理项目的管理项目-监视模块,用于根据管理项目的监视结果,禁止产品基板被输送到基板处理室的基板输入禁止模块,以及用于响应预定容器装有检查基板的通知,允许检查基板从连接到入口的预定一个容器被输送到基板处理室的检查基板输入许可模块。

通过下面的详细说明,并结合附图,本发明的上述和其它目的、特征和优点将更清楚。

附图说明

图1示意性地显示应用了根据本发明的第一实施方式的检查基板处理装置的方法的基板处理装置的配置的平面图;

图2是显示在图1中出现的操作控制器的显示部分上显示的显示屏的示意图;

图3是显示为了实现在本实施方式中的QC检验功能而实行的QC检验过程的流程图;

图4示意性地显示应用了根据本发明的第二实施方式的检查基板处理装置方法的基板处理装置的配置的平面图;

图5是显示为了实现在本实施方式中的QC模式功能而执行的产品晶片检验过程的流程图;

图6显示为了实现在本发明的第三实施方式中的QC模式功能而执行的管理项目监视过程的流程图;

图7A和7B分别示意性地显示应用了根据本发明的第一至第三实施方式的检查基板处理装置方法的基板处理装置各自配置的平面图,其中:

图7A显示束(cluster)型基板处理装置的示意图;

图7B显示具有双臂型机械臂的基板处理装置的示意图。

具体实施方式

现将参考显示其优选实施方式的附图,对本发明进行详细说明。

首先,将说明根据本发明的第一实施方式的检查基板处理装置的方法。

图1是示意性地显示应用了根据本实施方式的检查基板处理装置的方法的基板处理装置的配置平面图。

如图1所示,作为蚀刻装置的基板处理装置10包括用于执行在用于半导体设备的晶片W(在下文中称为“产品晶片W”)上处理的两个处理船14、其上分别放置有运载盒23的三个载置台15、执行产品晶片W的位置预对准的定向器16以及作为矩形共同输送室的装载装置18。

处理船14每个包括作为真空处理室在其中对产品晶片W进行蚀刻的处理单元11,和包含用于把产品晶片W传送到处理单元11的链接式单个拾取机械臂的负载锁定室13,并且每个都在晶片接晶片(wafer-by-wafer)基础上对产品晶片W进行蚀刻。

在基板处理装置10中,两个加工船(process ship)14、三个载置台15以及定向器16,可拆卸地连接到装载装置18,加工船14通过装载装置18以与载置台15相对的方式配置,并且定向器16沿装载装置18的纵向被配置在装载装置18的一端。

装载装置18包括用于输送放置在那里的产品晶片W的SCARA型双臂输送臂机构19,和配置在侧壁中作为入口用于引入产品晶片W的三个装载口24,其与各自的载置台15相关联。

每个运载盒23是存储二十五个产品晶片W的容器。当运载盒23放置在相关的载置台15上时,输送器机构19通过相关的装载口24从运载盒23中取出产品晶片W。输送臂机构19把产品晶片W运送到一个加工船14以及定向器16。

处理单元11包括中空的圆柱形处理室(在下文中称作“室”)。该室具有上部电极和下部电极,并将上部电极和下部电极之间的距离设置为用于在产品晶片W上进行蚀刻的近似值。进一步,下部电极在其顶部具有ESC(静电吸盘),用于例如通过库仑力夹持产品晶片W。

在处理单元11中,向室中引入处理气体,并在上部电极和下部电极之间产生电场,由此,引入的处理气体被活化产生用于蚀刻产品晶片W的等离子体。

装载装置18的内部压力保持与大气压力相等,而处理单元11的内部压力保持为真空。因此,负载锁定室13在连接到处理单元11的连接部分装有真空闸阀,以及在连接到装载装置18的连接部分装有大气闸阀,由此,每个负载锁定室13配置成其内部压力可以调整的真空预备输送室。

在每个负载锁定室13内,输送臂12设置在室的接近中心部分,第一缓冲器20相对于输送臂12朝向处理单元11设置,并且第二缓冲器21相对于输送臂12朝向装载装置18设置。第一缓冲器20和第二缓冲器21被配置在轨道上,配置在输送臂12的远端的用于支撑产品晶片W的支撑部分(pick)12a在该轨道上移动。

基板处理装置10包括用于控制其组成部件的操作的控制部分(未显示),和进一步沿其纵向配置在装载装置18的一端的操作控制器22。

控制部分是包括CPU、RAM和HDD的设备,并且CPU根据从HDD下载到RAM的控制程序将控制信号发送给组成部件,从而控制组成部件的操作。操作控制器22具有,在下文中会提及,例如由LCD(液晶显示器)形成的显示部分25,用于显示组成部件各自的操作状况。

图2显示在图1中出现的操作控制器22的显示部分25上显示的显示屏。

参考图2,操作控制器22的显示部分25显示出基板处理装置10的示意性代表模型。进一步,显示部分25具有触摸面板的功能,并且当操作者触摸分别与基板处理装置10的组成部件相关联的显示模型的任何部分时,显示出对应的一个子窗口,如与相应部分相关联的弹出窗口26和27。子窗口不仅显示与被触摸部分相关联的组成部件的操作状况,还显示组成部件操作的选项菜单。通过从显示的菜单选择出需要的操作选项,操作者能够操作与其相关联的组成部件。例如,与装载口24之一相关联的弹出窗口27,显示存储在连接到与其相关联的装载口24的运载盒23中的产品晶片W的处理的细节(制成配方),使得操作者能够选择希望的制成配方,从而在产品晶片W上进行希望的处理。

在基板处理装置10中,为了在产品晶片W上进行蚀刻,输送臂机构19从一个运载盒23中取出一个产品晶片W把该产品晶片W运送到定向器16,定向器16执行产品晶片W的位置的预对准。然后,输送臂机构19进一步把产品晶片W从定向器16输送到一个负载锁定室13中。

然后,输送臂12收到被输送到负载锁定室中的产品晶片W,以将其输送到处理单元11,并且处理单元11在产品晶片W上进行蚀刻。此后,输送臂12把蚀刻过的产品晶片W输送到负载锁定室13,以将其传到输送臂机构19。输送臂机构19收到蚀刻过的产品晶片W,并将其输送到运载盒23中。

如上文所述,在基板处理装置中,有必要检查处理单元的状况。近年来,随着半导体设备类型多样性的增加,在产品晶片W上进行的处理类型一直在增加。因此,处理单元的状况检查更加频繁地进行,使得对于在希望的时间由操作者进行处理单元的状况检查的需要增加了。

为了满足上述需要,根据本实施方式的检查基板处理装置的方法实现了检查功能,其在下文中称作“QC(质量控制)检验功能”。QC检验功能的设置是为了禁止产品晶片W被输送到要被检查的处理单元,并把用于检查的晶片(在下文中称作“QC晶片”)运送到要被检查的处理单元。检查处理是在被输送到要被检查的处理单元的QC晶片上进行的,并且处理单元的状况通过检查已经经受检查处理的QC晶片的状况来检查,例如,通过测量沉积在晶片上的粒子数量和基于晶片的沟槽的深度的蚀刻速率。

QC检验功能包括下面所述的四种功能:“QC模式设置功能”、“QC载体处理功能”、“QC作业开始功能”、以及“QC模式解除功能”。这些功能是通过控制部分根据下载在RAM中的检查程序控制组成部件的操作来实现的。

QC模式设置功能是响应由操作者或主机给出为了检查处理单元的指令,禁止产品晶片W被输送到连接到基板处理装置10由操作者或主计算机(下文中简称为“主机”)指定的处理单元中。

QC载体处理功能是,当从操作者或主机接收到连接到相关联的装载口24的运载盒23之一存储有QC晶片的通知时,控制部分识别连接到与其相关联的装载口24的运载盒23是存储QC晶片的运载盒(在下文中称作“QC载体”),并允许QC晶片从连接到装载口24的QC载体被输送到要被检查的处理单元。

QC作业开始功能是响应来自操作者或主机的开始检查的指令,控制部分开始将QC晶片从连接到相关联的装载口24的QC载体输送到要被检查的处理单元。

QC模式解除功能是响应来自操作者或主机的指令,控制部分解除对产品晶片W被输送到要被检查的处理单元的禁止。

在下文中,将参考流程图对这些功能进行详细说明。

图3是显示在本实施方式中为实现QC检验功能而进行的QC检验过程的流程图。

参考图3,首先,操作者在希望的时间,例如,当从处理单元中产生出异常噪音,或主机指示控制部分检查处理单元时,从弹出窗口26中显示的菜单中选择与需要检查的处理单元相关联的菜单选项“QC模式(QC MODE)”(步骤S31)。接着,根据操作者的QC模式的选择,或响应来自主机的指令,控制部分把要被检查的处理单元的模式转换为禁止产品晶片W被输送到处理单元的QC模式(步骤S32)(基板输入禁止步骤)。

在基板处理装置10中,直到其中包含的所有产品晶片W的处理都完成,才可以把运载盒23从与其相关联的装载口24移开。当操作者已经选择了QC模式时,或当主机已经给出了指令时,如果控制部分立即将要被检查的处理单元的模式转换为QC模式,则恐怕装有产品晶片W的运载盒23不能从与其相关联的装载口移开。

为了克服这个问题,在根据本发明的实施方式的检查基板处理装置的方法中,在处理单元执行产品晶片W的处理期间,直到完成了运载盒23中包含的所有产品晶片W的处理,控制部分才将要被检查的处理单元的模式转换到QC模式,其中运载盒23装有正被处理的产品晶片W(在下文中称作“处理中的运载盒”)。这样可以处理装有在处理中的运载盒中的所有产品晶片W,从而可以在对要被检查的处理单元的状况执行检查之前,把处理中的运载盒从与其相关联的装载口24移开。

然后,操作者在与连接到QC载体的装载口24相关联的弹出窗口27中选择菜单选项“QC”(专用口声明),或者主机通知QC载体连接到的其装载口24的控制部分,从而通知控制部分存储在连接到装载口24的载体中的晶片用途的改变,也就是说,通知存储在连接到装载口24的载体中的晶片是QC晶片的事实(步骤S33)。响应晶片用途改变的通知,控制部分能使QC晶片从连接到相关装载口24的QC载体被输送到要被检查的处理单元(步骤S34)(检查基板输入许可步骤)。这样在要被检查的处理单元被转换成QC模式之后,可以将QC晶片输送到要被检查的处理单元。

应该注意,主机可以通知控制部分的不是QC载体已经连接到装载口24,而是QC载体将要连接到装载口24。简言之,主机可以在QC载体连接到装载口24之前通知控制部分该事实。

此外,在步骤33中,当在与连接到QC载体的装载口24相关联的弹出窗口27中选择了菜单选项“QC”时,控制部分在弹出窗口27中显示“QC开始(QC START)”按钮(未显示)。

而且,操作者从与连接到QC载体的装载口24相关联的弹出窗口27中显示的制成配方列表中选择检查方案,例如,其中要被检查的处理单元包括在传送路径中的方案,或者按下或触摸显示的“QC开始”按钮,或者主机指示控制部分开始检查,从而指示控制部分开始与检查方案相关联的QC作业(步骤S35)。响应开始QC作业的指示,根据QC作业,控制部分开始使QC晶片从QC载体被输送到要被检查的处理单元(步骤S36)(检查基板输入开始步骤),并对输送到处理单元中的QC晶片进行检查处理。

处理单元的状况通过检查已经受到检查处理的QC晶片的状况来检查,例如,通过测量沉积在晶片上的粒子数量和基于晶片的沟槽深度的蚀刻速率,并且基于检查的结果确定产品晶片W是应该继续被允许输送到处理单元中进行蚀刻,还是应该对处理单元进行维护。

然后,在完成对处理单元状况的检查之后,操作者从与要被检查的处理单元相关联的弹出窗口26中显示的菜单中选择出菜单选项“正常模式”,或者主机指示控制部分取消要被检查的处理单元的QC模式(步骤S37)。响应操作者选择正常模式,或响应来自主机的解除QC模式的指令,控制部分将要被检查的处理单元的模式从QC模式转换成允许把产品晶片W输送到要被检查的处理单元的正常模式(步骤S38)(基板输入禁止解除步骤),接着终止本过程。

根据本实施方式的检查基板处理装置的方法,为了禁止产品晶片W被输送到处理单元,要被检查的处理单元的模式被转换成QC模式,响应操作者选择QC模式或主机的检查处理单元的指令(步骤S32),以及响应晶片用途改变的通知,允许QC晶片从连接到相关联的装载口24的QC载体被输送到要被检查的处理单元中(步骤S34),并且响应开始QC作业的指令,开始从QC载体被输送到要被检查的处理单元中(步骤S36)。这样可以防止产品晶片W被输送到要被检查的处理单元中,并通过在希望的时间执行晶片用途改变的通知,从而在希望的时间检查处理单元的状况。此外,在根据本实施方式的检查基板处理装置的方法中,因此使用了检查晶片,无需打开处理单元的盖子,。由于这些原因,操作者可以自由地检查处理单元的状况。

此外,响应于操作者选择正常模式,或响应于由主机解除QC模式的指令,要被检查的处理单元的模式从QC模式转换成允许将产品晶片W输送到要被检查的处理单元的正常模式(步骤S38)。这样可以在检查处理单元的状况之后顺利地重新开始产品晶片W的处理。

在上述根据本实施方式的检查基板处理装置的方法中,当在与连接到QC载体的装载口24相关联的弹出窗口27中选择菜单选项“QC”时,在弹出窗口27中显示QC开始按钮,并且当按下或触摸QC开始按钮时,基板处理装置10的控制部分被指示开始QC作业,使得操作者能够容易地识别出,他/她将要提供QC晶片的处理单元是要被检查的处理单元,并通过与在开始处理产品晶片W时所执行的相同操作开始检查处理单元的状况。这样可以减轻操作者的负担。

此外,在上述根据本实施方式的检查基板处理装置的方法中,响应晶片的用途改变的通知,允许QC晶片被输送到要检查的处理单元。虽然基于晶片的用途改变的通知,确定QC晶片是否被允许输送到要被检查的处理单元,但这不是限制性的,而是例如从连接到相关联的装载口24的运载盒23中包含的晶片的传送路径的设置可以做出决定。更具体地,当包括要被检查的处理单元的传送路径被设置为连接到与其相关联的装载口24的运载盒23中包含的晶片的传送路径时,没有晶片用途改变的通知,控制部分辨认出连接到相关联的装载口24的运载盒23是QC载体,并且从运载盒23输送的晶片是QC晶片,由此控制部分可以允许QC晶片从运载盒23被输送到要检查的处理单元。也在该时间,操作者通过在需要的时间设置传送路径,就能够在需要的时间对处理单元状况进行检查。

接下来,将说明根据本发明的第二实施方式的检查基板处理装置的方法。

本实施方式具有与上述第一实施方式基本相同的结构和效果,与第一实施方式的区别仅在于QC模式设置功能。因此,省略了对相同的结构和效果的说明,下面将仅对本实施方式与第一实施方式结构和效果的不同点进行说明。

本实施方式中的QC模式设置功能是取决于被处理的产品晶片W的检查结果,禁止产品晶片W被输送到要被检查的处理单元。

图4示意性地显示出对其应用了根据本实施方式的检查基板处理装置的方法的基板处理装置的配置的平面图。

如图4所示,基板处理装置40具有与图1中的基板处理装置10相同的结构,但是与基板处理装置10的区别在于它具有沿其纵向配置在装载装置18的另一端的晶片测量仪器17。晶片测量仪器17测量沉积在已经在处理单元11中被蚀刻的产品晶片W上的粒子数量和其蚀刻速率,从而检查产品晶片W。

主机根据晶片测量仪器17对产品晶片W检查的结果,确定处理单元11的模式是否应该转换成QC模式。

图5是显示为了实现在本实施方式中的QC模式功能而执行的产品晶片检验过程的流程图。

如图5所示,首先,存储产品晶片W的运载盒23连接到与其相关联的装载口24,并且当控制部分响应操作者或主机的指令,开始处理制造批中的产品晶片W时(S51),主机确定它是否是检查产品晶片W的适合时间(S52)。如果它不是检查产品晶片W的适合时间,则过程进行到步骤S57,反之如果它是检查产品晶片W的适合时间,则将一个产品晶片W作为测量晶片从运载盒23输送到处理单元11(步骤S53),并且在输送到处理单元11的测量晶片上进行蚀刻。

在蚀刻后,把蚀刻过的测量晶片输送到晶片测量仪器17中,在这里通过测量沉积在其上的粒子数量和基于晶片的沟槽深度的蚀刻速率来检查测量晶片(步骤S54)。检查结果通知主机。

主机决定通知的检查结果是否在预先设定的允许范围内(步骤S55)。如果它在允许范围内,则过程进行到步骤S57,反之如果它不在允许范围内,则主机确定有必要检查处理单元11的状况,并指示控制部分检查处理单元11(步骤S56)。

在步骤56之后的步骤S57中,主机确定是否已经完成了对制造批中的所有产品晶片W的处理。如果还没有完成对所有产品晶片W的处理,则过程返回到步骤S52,而如果已经完成了对所有产品晶片W的处理,则当前过程终止。

此外,在根据本实施方式的检查基板处理装置的方法中,图3处理步骤S32至S38是在图5处理终止之后进行。

在根据本实施方式的检查基板处理装置的方法中,检查蚀刻过的测量晶片;根据测量晶片的检查结果,禁止产品晶片W被输送到要被检查的处理单元;响应连接到相关联的装载口24的QC载体装有QC晶片的通知,允许QC晶片从QC载体输送到要被检查的处理单元。这样可以防止产品晶片W被提供到要被检查的处理单元,并且无需操作者设定检查处理单元的时间,从而可以减轻操作者的负担。

此外,由于测量晶片的状况是在产品晶片检验过程中由晶片测量仪器17测量的,所以可以快速地确定是否有必要进行处理单元的维护。

尽管在根据本实施方式的检查基板处理装置的方法中,基板测量仪器17测量沉积在测量晶片上的粒子数量和基于晶片的沟槽深度的蚀刻速率,但这不是限制性的,而是,通过晶片测量仪器17测量的项目可以是例如,在测量晶片的表面上形成的薄膜的厚度。

接下来,将说明根据本发明的第三实施方式的检查基板处理装置的方法。

本实施方式也与上述第一实施方式具有基本相同的结构和效果,而其与第一实施方式的区别仅在于QC模式设置功能。因此,省略相同的结构和效果的说明,而下面仅对本实施方式与第一实施方式的结构和效果的不同点进行说明。

本实施方式中的QC模式设置功能是根据对基板处理装置的管理项目的监视结果,禁止产品晶片被输送到要被检查的处理单元。

根据本实施方式的检查基板处理装置的方法可以适用于上述图1的基板处理装置10和图4的基板处理装置40。然而,在该实施方式中,主机监视基板处理装置的管理项目,如执行蚀刻的次数,并基于监视结果确定处理单元11的模式是否应该转换成QC模式。

图6是显示为实现本实施方式中的QC模式功能所执行的管理项目监视过程的流程图。

如图6所示,首先,存储产品晶片W的运载盒23连接到与其相关联的装载口24,并且当控制部分响应操作者或主机的指令开始处理制造批中的产品晶片W时(步骤S61),主机开始对基板处理装置的管理项目进行监视,如执行蚀刻的次数,并确定管理项目的值是否已经达到了极限值,例如,执行蚀刻的次数是否已经达到了容许的次数(步骤S62)。如果管理项目的值还没有达到极限值,则过程进行到步骤S64,反之如果管理项目的值已经达到了极限值,则主机确定有必要检查基板处理单元11的状况,并指示控制部分检查处理单元11(步骤S63)。

在步骤S63之后的步骤S64中,主机确定是否已经完成了对制造批中的所有产品晶片W的处理。如果还没有完成对所有产品晶片W的处理,则过程返回到步骤S62,反之如果已经完成了对所有产品晶片W的处理,则本过程终止。

此外,在根据本实施方式的检查基板处理装置的方法中,同样地,图3中处理的步骤S32至S38在图6的过程终止之后进行。

在根据本实施方式的检查基板处理装置的方法中,监视基板处理装置的管理项目;根据对基板处理装置的管理项目的监视结果,禁止产品晶片被输送到要被检查的处理单元;响应连接到相关联的装载口24的QC载体装有QC晶片的通知,允许QC晶片从QC载体被输送到要被检查的处理单元。这样可以防止产品晶片W被提供到要被检查的处理单元,并且无需操作者设定检查处理单元的时间,从而可以减轻操作者的负担。

虽然在根据本实施方式的检查基板处理装置的方法中,主机监视作为基板处理装置的管理项目的执行蚀刻的次数,但这不是限制性的,而是,被晶片测量仪器17监视的项目可以是在处理单元11中进行放电期间累积的时间、处理单元11的运行时间、处理气体的用量等。

虽然在根据上述的实施方式的检查基板处理装置的方法中,检查处理单元的状况,但这不是限制性的,而是,包括负载锁定室13和装载装置18的传送系统的状况可以通过仅在负载锁定室13和装载单元18内传送QC晶片以测量沉积在QC晶片上的粒子数量来检查。

此外,虽然在根据上述的实施方式的检查基板处理装置的方法中,当指示转换成QC模式时,控制部分禁止要被检查的处理单元的模式转换成QC模式,直到完成处理中的运载盒中装有的所有产品晶片W的处理,但这不是限制性的,而是,控制部分可以立即将处理单元的模式转换成QC模式。这样做时,控制部分可以强制终止处理单元中产品晶片W的处理。

虽然在根据第二和第三实施方式的检查基板处理装置的方法中,主机根据产品晶片(测量晶片)的检查结果或对基板处理装置的管理项目的监视结果,决定处理单元11的模式是否应该转换成QC模式,但这不是限制性的,而是,基板处理装置的控制部分可以根据上述的检查或监视结果,确定处理单元11的模式是否应该转换成QC模式。

尽管采用了根据上述的实施方式的基板处理装置的检查方法的基板处理装置是蚀刻装置,但这不是限制性的,而是,基板处理装置可以是涂覆/显影装置、基板清洁装置、热处理装置、湿式蚀刻装置或成膜装置。

此外,尽管采用了根据上述的实施方式的基板处理装置的检查方法的基板处理装置是具有两个加工船14,如图1和4中显示的彼此平行配置的并行式基板处理装置,但这不是限制性的,而是如图7A和7B所示,基板处理装置可以是束型基板处理装置(图7A),其具有众多放射状地配置在具有用于输送产品晶片W的蛙腿式机械臂的输送室周围的处理单元,或者具有装备有包括两个SCARA式输送臂的双臂型机械臂的输送室,和众多以围绕输送室的方式配置的处理单元的基板处理装置(图7B)。应该理解,与图1和4中的基板处理装置类似,图7A和7B所示的基板处理装置每个也包括载置台15、定向器16、装载装置18以及操作控制器22。

此外,尽管在上述的实施方式中,要被处理的基板是半导体晶片,但这不是限制性的,而是例如可以处理例如用于LCD或FPD(平板显示器)的玻璃基板。

此外,应当理解,也可以通过向系统或装置提供其中存储有实现上述实施方式的功能的软件的程序代码的存储介质,并使系统或装置的计算机(或CPU或MPU)读出并执行存储在存储介质中的程序代码,来完成本发明的目标。

上述程序必须只能在计算机上实现上述实施方式的功能,并且程序的形式可以是目标代码、由解释程序执行的程序代码或提供给OS的脚本数据。

在这种情况下,从存储介质读出的程序代码本身实现任何上述实施方式的新功能,并因此程序代码和其中存储有程序代码的存储介质构成本发明。

用于提供程序代码的存储介质的例子包括软盘(注册商标),硬盘,磁光盘,光盘例如CD-ROM、CD-R、CD-RW、DVD-ROM、DVD-RAM、DVD-RW以及DVD+RW,磁带,非易失性存储卡以及ROM。另外可选地,可以通过网络从连接到因特网、商业网、局域网等未显示出的另一计算机、数据库等下载程序。

此外,应当理解,上述任何实施方式的功能不仅可以通过执行由计算机读出的程序代码来完成,而且可以通过使在计算机上运行的OS(操作系统)等基于程序代码的指令进行一部分或者全部的实际操作来完成。

此外,应当理解,任何上述实施方式的功能可以通过将从存储介质读出的程序代码写入设置在插入计算机的扩充板上的存储器中,或设置在连接到计算机的扩展元件的存储器中,然后使设置在扩充板或扩展元件中的CPU等基于程序代码的指令执行一部分或者全部的实际操作来完成。

去获取专利,查看全文>

相似文献

  • 专利
  • 中文文献
  • 外文文献
获取专利

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号