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公开/公告号CN1794408A
专利类型发明专利
公开/公告日2006-06-28
原文格式PDF
申请/专利权人 中原工学院;
申请/专利号CN200510107337.3
发明设计人 李玉魁;
申请日2005-12-27
分类号H01J29/04(20060101);H01J1/304(20060101);H01J31/12(20060101);H01J9/02(20060101);
代理机构41102 郑州科维专利代理有限公司;
代理人刘卫东
地址 451191 河南省郑州市新郑双湖经济开发区淮河路1号
入库时间 2023-12-17 17:25:12
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2010-02-10
发明专利申请公布后的视为撤回
2006-08-23
实质审查的生效
2006-06-28
公开
机译: 带有场发射阴极的平板显示器
机译:具有氟 - 碳涂层的纳米结构场 - 发射阵列阴极的隧道发射
机译:过滤阴极真空电弧沉积的类金刚石碳纳米结构阵列的制备和场发射特性
机译:铜箔上锥形掺杂锌的SnO2纳米棒阵列的结构和增强的场发射性能
机译:阴极发光平板显示器的硅场发射器阵列
机译:对用于场发射平板显示器的薄膜磷光体的阴极发光性质进行建模。
机译:双栅场发射极阵列阴极的横向发射率和相干性的测量
机译:超快光触发的场发射阴极,使用大规模,均匀的纳米锐化高纵横比硅结构阵列
机译:用于平板显示器的大面积场发射阴极沉积