非挥发性存储器、非挥发性存储器阵列及其制造方法

摘要

一种非挥发性存储器，由基底、多个堆栈栅极结构、间隙壁、多个控制栅极、多个浮置栅极、栅间介电层、穿隧介电层与源极区/漏极区所构成。各堆栈栅极结构从基底起依序为选择栅极介电层、选择栅极与顶盖层。间隙壁位于堆栈栅极结构侧壁。控制栅极位于基底上，填满堆栈栅极结构之间的间隙，且彼此连接在一起。浮置栅极位于堆栈栅极结构之间，且位于控制栅极与基底之间。栅间介电层位于控制栅极与浮置栅极之间。穿隧介电层位于浮置栅极与基底之间。源极区/漏极区分别位于最外侧的两堆栈栅极结构一侧的基底中。