首页> 中国专利> 清洗溶液和使用该溶液清洗半导体器件的方法

清洗溶液和使用该溶液清洗半导体器件的方法

摘要

本发明提供了清洗溶液和利用该溶液清洗半导体器件的方法,能够防止清洗溶液对钨层的损害并除去颗粒。该清洗溶液包括基于去离子水的氨溶液;加入氨溶液中的表面活性剂;和加入氨溶液中的螯合剂。该方法包括下列步骤:在具有至少包括钨层的导电层的衬底上部沉积光刻胶层;通过将光刻胶层图案化来形成光刻胶图案;通过利用光刻胶图案作为蚀刻掩模来蚀刻该导电层形成导电图案;除去光刻胶图案;并且在具有导电图案的衬底上使用基于去离子水的氨溶液的清洗溶液进行清洗处理,其中清洗溶液加有表面活性剂和鳌合剂。

著录项

  • 公开/公告号CN1770404A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2006-05-10

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 海力士半导体有限公司;

    申请/专利号CN200510000354.7

  • 发明设计人 吴起俊;

    申请日2005-01-10

  • 分类号H01L21/304;H01L21/306;H01L21/3213;H01L21/321;C23F1/10;

  • 代理机构北京集佳知识产权代理有限公司;

  • 代理人王学强

  • 地址 韩国京畿道

  • 入库时间 2023-12-17 17:16:35

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2009-02-11

    发明专利申请公布后的视为撤回

    发明专利申请公布后的视为撤回

  • 2006-07-05

    实质审查的生效

    实质审查的生效

  • 2006-05-10

    公开

    公开

相似文献

  • 专利
  • 中文文献
  • 外文文献
获取专利

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号