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互补型金属氧化物半导体场效应晶体管影像感测器

摘要

本发明提供一互补型金属氧化物半导体场效应晶体管影像感测器。该影像感测器包括一主动式光感测像素阵列于一基底上,各像素的至少一边宽度小于或等于3微米。至少一介电层设置于基底上,覆盖该光感测像素阵列。一彩色滤光层设置于该至少一介电层上。其中,所有该至少一介电层与该彩色滤光层的厚度总和除以该像素的任意一边宽度小于或等于1.87。本发明所述互补型金属氧化物半导体场效应晶体管影像感测器,可避免感测影像的失真、提升感测像素的分辨率,以及致使增加感测像素对应色彩的饱和度。

著录项

  • 公开/公告号CN1750266A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2006-03-22

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 台湾积体电路制造股份有限公司;

    申请/专利号CN200510073300.3

  • 申请日2005-06-03

  • 分类号H01L27/146(20060101);H04N5/335(20060101);

  • 代理机构北京林达刘知识产权代理事务所;

  • 代理人刘新宇

  • 地址 台湾省新竹科学工业园区新竹市力行六路八号

  • 入库时间 2023-12-17 17:03:48

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2008-01-23

    授权

    授权

  • 2006-05-17

    实质审查的生效

    实质审查的生效

  • 2006-03-22

    公开

    公开

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