具有用于将封装件衬底接合到印刷电路板的复合电子触点的电子组件

摘要

一种电子触点被提供用于将半导体封装件衬底接合到印刷电路板上，所述电子触点包括球状核和所述核上的接合层。球状核由高熔化温度的铜制成，接合层由低熔化温度的共晶体制成。接合层在回流工艺过程中熔化。球状核不熔化，因而控制了封装件衬底朝向印刷电路板的移动或“塌陷”。

说明书

技术领域

本发明涉及一种其类型是具有被接合到印刷电路板上的半导体封装件衬底的电子组件。

背景技术

在其中形成有集成电路的半导体管芯经常被安装在封装件衬底上。集成电路通过封装件衬底上表面上的接触焊盘和封装件衬底中的金属线路被电连接到封装件衬底下表面上的接触焊盘。各个焊球被接合到封装件衬底下表面上的相应的接触焊盘上。焊球被放置在水平面中的阵列内。

随后焊球被放置在印刷电路板上表面上的接触端子上。然后焊球被加热到其熔化温度以上，使得它们回流到印刷电路板上的接触端子上。随后对焊球进行冷却并使其凝固，从而将它们固定到接触端子上。

当焊球回流时，封装件衬底通常会朝向印刷电路板塌陷。过去不需要最小化这种塌陷，因为塌陷并不直接地影响印刷电路板和封装件衬底之间的结构或电的配合。

附图说明

参照附图，通过示例来描述本发明，其中：

图1是图示了根据本发明的原理被装配的电子组件的侧视图；

图2是图示了在接合到封装件衬底上的接触焊盘之前被放置在装配架上的电子触点的侧视图；

图3是在使电子触点与接触焊盘开始接触，并且部分组件被翻转使得电子触点位于顶部之后的类似图2的视图；

图4是在加热、冷却并去除焊剂之后的类似图3的视图；

图5是在图4的组件被翻转使得电子触点位于底部，并随后被放置在底板组件的接触端子上之后的类似图4的视图；

图6是图示了图5的电子组件在被加热并冷却，以将电子触点的接合层与接触端子接合之后，电子触点的球状核用作控制封装件衬底朝向底板组件移动的支座时的类似图5的视图。

具体实施方式

附图中的图1示出了根据本发明的原理构建的电子组件10。现在参照图2到图6对电子组件10的构建方式作进一步的描述。

图2示出了连同触点固定装配架14的部分被构建的半导体组件12的元件。半导体组件12包括衬底子组件16、半导体管芯子组件18和电子触点20。

衬底子组件16包括封装件衬底22以及在封装件衬底22下表面上的多个接触焊盘24。封装件衬底22是多层衬底，包括交替的电介质和金属线路(未示出)。接触焊盘24由金属制成，并被电连接到金属线路。更多的接触焊盘(未示出)形成在封装件衬底22的上表面上。封装件衬底22上表面上的接触焊盘也与金属线路电连接，并通过金属线路与接触焊盘24电连接。

半导体管芯子组件18包括半导体管芯26和多个电连接物28。管芯26在其下表面内形成有集成电路(未示出)，电连接物28形成在集成电路下表面上的端子上(未示出)。电连接物28被放置于在封装件衬底22上表面上的接触焊盘的上表面上，随后在热回流工艺过程中被焊接到接触焊盘上。管芯26因而通过电连接物28而在结构上被固定到封装件衬底22上。接触焊盘24也通过封装件衬底22中的金属线路以及电连接物28而与管芯26的集成电路电连接。

每个电子触点20具有球状核32和完全包围球状核32的接合层34，即接合层34均匀地位于球状核32的全部表面上。在优选的实施例中，球状核32由纯铜制成，直径约为0.7mm。在优选的实施例中，接合层34由纯的锡银共晶体制成，含有按重量计的3.5％的银，并且厚度约为0.025mm。这种电子触点可以从日本大阪的Sumitomo Special Metals有限公司获得。

在装配架14的上表面中形成有凹坑36。凹坑36与接触焊盘24相对准，并且各个电子触点20位于相应的凹坑36内。从而，每个电子触点20直接在相应的接触焊盘24下方被对准。

接触焊盘24的下表面选择性地用焊剂38进行模版印刷。随后，将装配架14沿方向40垂直向上移动。电子触点20与装配架14一起沿方向40移动，并渗入焊剂38。

在电子触点20和接触焊盘24被带到一起之后，将整个组件翻转过来，这样使得装配架14位于顶部。装配架14然后被提起，将电子触点20留在接触焊盘24上。图3示出了装配架14被提起之后的半导体组件12。焊剂38的粘性防止了电子触点20滚离接触焊盘24。

图4示出了在被加热并随后被冷却之后，并且焊剂38被去除之后的图3的半导体组件12。半导体组件12被加热至约230℃的温度。层34的材料在约227℃熔化。层34浸润接触焊盘24。由熔化温度为1083℃的铜制成的球状核32不会熔化。随后半导体组件12被冷却至层34的材料的熔化温度以下，从而将层34接合到接触焊盘24上。

如图5所示，半导体组件12随后被翻转过来，使得电子触点20位于底部并被放置在底板组件42上。底板组件42包括印刷电路板44和形成在印刷电路板44上表面上的接触端子46。焊剂47被模版印刷在每个接触端子46上。每个层34的下部分渗入焊剂47，并放置在相应的接触端子46上。

然后再次将图5的被部分制造的电子组件48加热至约230℃，再冷却到室温。图6示出了被加热并冷却之后的电子组件48。230℃的温度再次使层34的材料熔化，这样使得它们润湿接触端子46。

层34的熔化还造成封装件衬底22和管芯26在方向50上朝向印刷电路板44稍许移动或“塌陷”。球状核32不会在230℃的温度下熔化。因而，球状核32在整个回流工艺过程中保持其球状形状，并且直到各个球状核32接触接触焊盘24和其相对侧的接触端子46时，用作限制方向50中的移动的支座。球状核32禁止了封装件衬底22在方向50上朝向印刷电路板44的进一步移动。这样，在相对的接触焊盘24和接触端子46之间的余留距离被球状核32的直径限制。随后，冷却电子组件48，使得接合层34凝固，从而使它们与接触端子46和接触焊盘24固定。

各个接触端子46通过相应的层34而被固定到相应的接触焊盘24。接触端子46还通过接合层34和球状核32两者而被电连接到接触焊盘24。

再次参照图1，电容器52被接合到封装件衬底22的下表面。电容器52完全被电子触点20所包围。每个电容器52具有下表面，所述下表面与封装件衬底22顶部的下表面以一定距离隔开，该距离小于封装件衬底22的下表面与印刷电路板44的上表面之间的间隔。这样，在每个电容器52的下表面与印刷电路板44的上表面之间界定有间隙54。通过球状核32，防止了电容器52和印刷电路板44之间的接触。

球状核32的直径主要取决于电容器52的高度。在其他实施例中，球状核32的直径可以在0.5mm与0.8mm之间。在其他实施例中，接合层34的厚度可以在0.015mm与0.035mm之间。

在另一实施例中，含有按重量计的0.7％的铜的锡铜共晶体可以被用来代替层34的锡银共晶体。但是，锡铜共晶体的熔化温度为232℃，稍高于锡银共晶体的熔化温度。因而，锡银共晶体比锡铜共晶体更为优选。

另一种可被用来代替层34的锡银共晶体的共晶体是含有按重量计的37％的铅的锡铅共晶体。这种锡铅共晶体具有相对低的熔化温度，约为183℃。这种共晶体的缺点在于其含有对环境不利的铅。或者，也可以使用纯锡用作接合层，但是纯锡具有相对高的熔化温度。

代替铜，球状核32还可以由银制成。镀银球可从日本枥木的SejuMetal Industry有限公司获得。但是，与铜相比较，银有毒并且昂贵。(层34的共晶体中含有少量银是无关紧要的。)

球状核32或者可以由聚合物制成。聚合物球可从日本大阪的SekisuiChemical有限公司获得。在聚合物球的情况下，接合层34将提供接触焊盘24和接触端子46之间的全部电连接。

铝或青铜也可用来代替铜用作球状核，但是在铝或青铜上形成接合层可能较困难。

在所有其他的实施例中，核和接合层的熔化温度优选地至少相差30℃。

在所述的实施例中，装配架用来放置图2中所示的触点20，然后组件被翻转，如图3所示。另一实施例可以在顶部使用真空夹盘，通过背面的真空密封来固定触点。然后可以将触点浸在焊剂中。真空夹盘接着将触点移至与下面的封装件衬底相接触。

虽然已经在附图中示出并描述了某些示例性实施例，但应该理解，这些实施例仅是示意性的，并非限制本发明，因为本领域的普通技术人员可以想到对所示出和所描述的具体结构和布置的更改，所以本发明并不限于所示出和所描述的具体结构和布置。