首页> 中国专利> 包含用于高密度互连的硅贴片的微电子封装及其制造方法

包含用于高密度互连的硅贴片的微电子封装及其制造方法

摘要

一种微电子封装,包括:衬底(110);嵌入在所述衬底中的硅贴片(120);位于所述硅贴片的第一位置处的第一互连结构(131)和位于所述硅贴片的第二位置处的第二互连结构(132);以及所述硅贴片中将所述第一互连结构和所述第二互连结构彼此连接的导电线(150)。

著录项

  • 公开/公告号CN101960589B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2012-10-10

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 英特尔公司;

    申请/专利号CN200980107171.1

  • 发明设计人 R·马哈詹;S·萨内;

    申请日2009-03-29

  • 分类号H01L23/48(20060101);

  • 代理机构72002 永新专利商标代理有限公司;

  • 代理人陈松涛;王英

  • 地址 美国加利福尼亚

  • 入库时间 2022-08-23 09:11:45

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2012-10-10

    授权

    授权

  • 2011-03-23

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 23/48 申请日:20090329

    实质审查的生效

  • 2011-01-26

    公开

    公开

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