光泵浦高功率垂直外腔面发射激光器

摘要

本发明属于半导体激光技术领域，具体涉及光泵浦高功率垂直外腔面发射激光器，其构成包括：泵浦光源1、外延片2、热沉3、外腔镜4、倍频晶体5；外延片2包括窗口层6、保护层7、有源区8、多层布拉格反射镜11、衬底12；有源区8包括量子阱层9、吸收层10。特征在于量子阱层9中包含2－3个量子阱的光泵浦高功率垂直外腔面发射技术，从而提高了激光器的填充因子，降低阈值电流密度，提高外量子阱效率，因此提高了器件的输出功率。本发明得到一种线性极化的，圆形对称的，近于衍射极限的高功率激光输出。另外，本发明采取光泵的方式，工艺大大简化，减少了光刻，制作电极，镀膜等很多道程序，不但减少了成本，也大大提高了成品率。