公开/公告号CN1708555A
专利类型发明专利
公开/公告日2005-12-14
原文格式PDF
申请/专利权人 积水化学工业株式会社;
申请/专利号CN200380102405.6
申请日2003-11-26
分类号C08L71/02;C08J9/26;H05K1/03;H05K3/20;H01L21/60;H01L23/12;H01L23/14;
代理机构11021 中科专利商标代理有限责任公司;
代理人陈平
地址 日本大阪
入库时间 2023-12-17 16:46:38
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2018-01-12
未缴年费专利权终止 IPC(主分类):C08L71/02 授权公告日:20070919 终止日期:20161126 申请日:20031126
专利权的终止
2007-09-19
授权
授权
2006-02-08
实质审查的生效
实质审查的生效
2005-12-14
公开
公开
技术背景
本发明涉及一种热衰变材料(heat-decaying material)、一种使用其的转印薄片及一种形成图案的方法。具体而言，本发明涉及一种热衰变材料及其应用，所述的热衰变材料在通常的使用温度下几乎不恶化和分解，但是其在相对低温下加热时可以在短时期内衰变。
背景技术
迄今为止，在装配过程中，为了将待粘合在一起的部件或与外壳粘合的部件或与与衬底粘合的部件临时固定在预定位置，或为了在加工或运输期间保护容易被刮擦的表面，将胶带粘附在表面上。但是，当胶带用于这种临时固定或表面保护时，出现了一些问题：当剥离它们时，剥离它们通常困难，且物体可能被刮擦或糊料可能保留在物体上。
最近，汽车、家用电器和建筑材料已经被循环利用，且用粘合剂粘合的结构体也需要被循环利用。通常，当在400℃或更高温度下加热时，树脂粘合剂可以容易熔化或分解，因此用它们粘合的结构体可以容易被拆除。但是，当在这种高温下加热时，结构体本身容易恶化和变性，它造成被拆除的结构体不能被循环利用的问题。
作为有效转印方法而利用具有粘合剂薄片的转印薄片，因为在薄片上安置的多个部件可以同时被转印。此外，粘合剂薄片还起着用于被转印部件的加固材料，且例如，它可以转印甚至易脆的部件例如超薄半导体晶片和半导体芯片而在其中没有损坏。对此，转印薄片在物体被转印之前，必须对它们具有高粘附力，和当它们被转印时，必须容易释放它们。
为此，在许多应用领域需要这样的粘合剂薄片，其对于所必须期间具有高粘合力，但是另一方面，在释放物质时容易与物体剥离。
至于粘合剂薄片的种类，当对它的粘合物质施加某些刺激时，可以减少它们粘合力的那些是已知的，且它们包括例如热发泡粘合剂薄片、热固性粘合剂薄片、可光固化粘合剂薄片。但是，即使当使用这些粘合剂薄片时，它们可以被它们的粘合力是有限的，事实上，有些粘合剂薄片在转印之前未能具有足够高的粘合力，或另外一些粘合剂薄片在转印过程不能充分地降低它们的粘合力。
专利参考文件1公开了一种热衰变粘合剂薄片，所述的粘合剂薄片重量的95％在700℃或更低温度下加热30分钟或更短时可以衰变。如果使用该热衰变粘合剂薄片，那么薄片本身在加热时可以去除。但是，专利参考文件1声称该热衰变粘合剂薄片对阴极射线管的防爆处理有抵抗力，且即使在450至550℃的温度短时间加热时，不衰变。对此，认为薄片在它衰变之前在450℃或更低下可以获得十几分钟。认为在这样高温下长期加热可以导致物体的恶化和变性。
此外，专利参考文件2公开了一种用于陶瓷成形的粘合剂，其包含水溶性聚亚烷基二醇、新的峰窝状(combed)疏水性二元醇和聚异氰酸酯，及其是这样的，在脱脂过程中它的热量产生慢，且产生的热量少和来自于它的碳残余物的程度小。但是，专利参考文件2中所公开的粘合剂树脂是通过二元醇和异氰酸酯反应而得到的氨基甲酸乙酯树脂，因此，它分解的残余物可能少，但是它的问题在于：它留下可能是衍生自氨基甲酸乙酯键的氧化物的黄色残余物。因此，在某些情况下，经常难以获得清洁的表面。
迄今为止，各种多孔薄膜被用于形成半导体器件和多层布线板中的夹层绝缘薄膜。为了缩短信号传输延迟时间，要求这种类型的夹层绝缘薄膜由具有低介电常数的绝缘材料形成。为了满足要求，下面提及的专利参考文件3公开了一种通过如下制备多孔薄膜的方法：在温度上不低于氟树脂的开始热分解的温度下，热处理均匀溶解的复合材料的薄膜，所述的复合材料包含烷氧基硅烷的部分水解缩合物，和在分子中含有羧酸基的和在其主链中具有含氟脂族环状结构或含氟脂族结构的氟树脂。
但是，根据专利参考文件3中描述的制备方法，通过在不低于上面所述的特定氟树脂的开始热分解温度的温度进行的热处理形成大量孔隙，因此制备多孔薄膜。因此，得到具有在其中形成大量孔隙的SiO2-基多孔材料，据说得到的薄膜具有低介电常数。
如果多孔薄膜中的孔隙的尺寸在一定程度上扩大，那么可以进一步降低薄膜的介电常数。但是，根据专利参考文件3描述的制备方法，难以形成均匀的孔隙。此外，另外一个问题在于当氟树脂被热分解时，它产生残余物，因此薄膜的介电常数不可能完全减少。
此外，因为薄膜具有大量的孔隙，它的机械强度是很大的问题。
此外，关于半导体器件中的夹层绝缘薄膜的形成，它们是元件在半导体衬底上形成之后形成的，因此，如果在其上具有元件的半导体衬底在高温下长时间暴露，可以恶化元件。因此，需要开发可以在低温下形成的夹层绝缘薄膜。
最近IC(集成电路)和LSI(大规模集成电路)将具有更高的集成度，和将被更多地形成微型图案，且不止这些，高密度封装技术得到很大的发展。此外，更加需要电子系统集成化技术，用于集成和系统化的各种功能块例如光学器件和高频器件，其包含许多大规模集成电路和化合物半导体，如成套设备中的系统(system-in-packages)。
迄今为止，为了在电子电路板上连接IC或LSI的半导体芯片，采用的是一种在印刷电路板上用树脂组件覆盖半导体芯片和焊接从树脂组件中引出引线尖端的方法。但是，在这种方法中所有的引线必须被一个接一个地焊接，生产效率不佳。此外，引线从树脂组件侧面伸出，因此该方法不适宜高密度封装。为了解决这些问题，已经开发了BGA(球格子排列)技术，该包含通过导电微粒例如焊球或焊块将半导体芯片与布线板粘合。根据这种技术，芯片与衬底粘合，同时与衬底的芯片或电极粘合的导电微粒在高温下熔化，因此可以构造电子电路，同时满足提高的生产能力和提高的粘合可靠性。
为了将这样有导电微粒与电极粘合，迄今采用的方法是：通过含有多个真空吸嘴的吸力垫吸入许多导电微粒，同时在多个电极上安置导电微粒，并将它们与电极粘合。在这种情况下，通常，用有机酸酯预先涂布电子部件的电极表面。有机酸酯对去除在电极表面上自发形成的氧化物薄膜和促进导电微粒的捕获是有效的。但是，因此安置在电极上的导电微粒仍然存在的问题在于它们在输送至下一步骤时可以从电极迁移。
在通过使用真空吸嘴安置导电微粒的方法中，导电微粒必须通过所有的真空吸嘴吸入，但是，可能发生吸入失败，且这种方法不总是一种有把握的方法。此外，因为仅吸入导电微粒，如果提高了操作速度，它们可能掉落。此外，因为电子部件上电极位置对于每个电子部件而言是不同的，该方法仍然存在的另一个问题在于必须开发与所有电子部件相应的真空吸嘴。
已经提出了与此不同的另一种方法，该方法包含通过使用具有预先安置在粘合剂薄片上的导电微粒的导电微粒转印薄片在电极上安置导电微粒。具体地，该方法包含向电子部件以这样的方式施用导电微粒转印薄片，以便导电微粒的位置与电极位置相应，然后将导电微粒与电极熔化粘合，其后剥离粘合剂薄片。在这种情况下，如果在粘合剂薄片中使用的粘合剂是可以通过赋予其特定能量而减少其粘合力的特定粘合剂，那么可以容易剥离粘合剂薄片，而不破坏一旦导电微粒与电极熔化粘合的连接。对于粘合剂薄片的种类，例如，已经提出了热发泡粘合剂薄片、热固性粘合剂薄片和可光固化粘合剂薄片。
但是，实际上，即使使用这种粘合剂薄片，其可以降低的粘合力也受到限制，且在剥离粘合剂薄片时，有些导电微粒的连接可能受到破坏，或粘合剂糊料可以保留在导电微粒表面上。具体地，如果为了提高工作效率而提高剥离速度，那么这种趋势这得显著。另一方面，如果使粘合剂的粘合力被低，那么这导致另一个问题：导电微粒可能掉落。
另一方面，提出再一种方法：使用具有在被粘合的电极相对位置中嵌入导电微粒的粘合剂薄片，且在电极的表面上安置导电微粒和粘合它们(例如，参见专利参考文件4)。但是，当在严酷的条件例如高温高湿环境放置或浸渍在溶剂中时，组成粘合剂薄片的树脂可能恶化或变形，结果，嵌入的导电性微粒可以承受到一些应力，所述的应力起着从电极表面分离粒子的作用。因此，在当前为确保高粘合可靠性的情形下，不使用粘合剂薄片的方法更佳。
在这种高密度封装技术中，最重要的基本技术是精强粘合技术。迄今为止，它使用的一种典型粘合技术是块结合技术。随着上面所述的封装技术的发展，在块结合技术中进一步提高精确度在本领域中是一个重要课题。但是，现有技术具有如上所述的各种问题，现在非常需要一种完全保证在电子部件的电极上块形成的过程中高生产能力和高粘合可靠性的技术。
随着最近便携式信息终端的进展和携带和使用便携式计算机的移动计算的普及，使得电子设备的尺寸越来越小。期望在这些电子设备中内装的电路板更小和更薄。此外，随着需要满足高速操作的电子设备如通讯设备的普及，需要的是适合于高速操作的电路板，其能够精确转换高频信号。在这种电路板中，为了缩短电子信号传播需要的时间，需要缩短布线长度和降低布线宽度和布线距离。为此，根据最近朝着小尺寸和可高速操作的电子设备的趋势，需要电路板具有提高的布线密度，以达到在其上的高密度封装。
迄今为止，已经提出对于电路板的各种制备方法。最近提出的一种方法包含：将通过在其表面(电路转印带)上形成金属箔电路图案而制备的胶带与绝缘衬底压力粘合，由此在绝缘衬底中嵌入电路图案，其后将胶带与电路图案剥离，以将电路图案转印在绝缘衬底上。
通过参考图10描述上面所述的制备方法。如图10(a)中所示，制备电路转印带2101。电路转印带2101包含胶带2102和金属层2103以在它的表面上形成电路图案。在绝缘衬底2104上安置电路转印带后，两者相互粘合。绝缘衬底2104是半固化预浸渍体(prepreg)。在这种情况下，例如，在100kg/cm2左右的压力下，将两者以热压粘合的方式粘合，且如图10(b)，将金属层2103的部分或全部嵌入和固定在绝缘衬底2104中。
接着，如图10(c)，将胶带2102与绝缘衬底2104剥离，因此具有电路图案的金属层2103被转印到绝缘衬底2104上，以形成单层电路板。此外，如果需要，完全固化绝缘衬底2104。通过层压上面所述的单层电路板，可以形成多层电路板。
但是，当将金属层2103转印到绝缘衬底2104上时，胶带2102的粘合剂组分与绝缘衬底2104接触，且胶带2102通常难以与绝缘衬底2104剥离。具体地，如果转印精细的电路图案且如果胶带2102牢固地与绝缘衬底2104粘合，那么半固化的绝缘衬底2104在与胶带2102剥离时可能变形，因此，金属层2103的布线距离可能混乱，且可能失去布线平面度，或也就是说，电路图案可能混乱，此外，嵌入的金属层2103可以沿着胶带2102剥离。
为了解决如上所述的问题，专利参考文件5公开了一种制备电路板的方法，该方法包含使用电路转印带，所述的电路转印带具有在其上形成的具有高粘性的可光致交联粘合剂组分的层，有其中电路转印带曝光于来自于其电路图案侧面的光，以便在其上没有形成电路图案的侧面上，降低该带的粘合力，由此，即使电路转印带的粘合剂组分与绝缘衬底接触，它也不粘附在衬底，由此电路图案可以在没有图案干扰的情况下很好地被转印至绝缘衬底上。
但是，即使如专利参考文件5，可光致交联粘合剂通过曝光致交联时，由于光辐射导致的粘合力的降低也是有限的，且如果将微细和高密度电路图案转印在绝缘衬底上，那么在转印带剥离时，电路图案经常可能受到损坏。此外，如果具有非常狭窄的线宽的电路图案被转印到绝缘衬底上，那么电路转印带必须曝光于来自于粘合剂带侧面的光，以便降低金属箔和可光致交联粘合剂之间的粘合力。因此，在这种情况下，光曝光步骤必须重复进行许多次，有一个问题在于生产效率(生产能力)和可加工性因此降低。
现在，在制备半导体器件的过程中，光刻胶图案是通过光刻形成的，且半导体器件用的各种材料的导体薄膜、半导体薄膜或绝缘体薄膜通过蚀刻经过作为掩模的光刻胶图案而形成图案(例如，参见非专利参考文件1)。此外，光刻胶图案被用作电镀用的掩模，且铜(Cu)或金(Au)的金属薄膜可以形成图案。通过这种光刻的图案形成方法不仅对于半导体器件的制备而且对任何其它各种显示器件或微型机械的制备是形成图案的最普遍方法。
参考图16和图17描述通过光刻形成图案。图16和图17所示为通过光刻形成光刻胶图案和通过使用用作蚀刻掩模的光刻胶图案在绝缘体薄膜上形成图案的工艺流程的剖视图。
如图16(a)中所示，半导体衬底3101上形成氧化硅的绝缘体薄膜3102，所述的半导体衬底在其上形成有各种半导体元件(未显示)，在光刻的涂层过程中，在绝缘体薄膜3102上形成光刻胶薄膜3103。在此，光刻胶薄膜3103是由光敏树脂形成的，它的形成如下：具体地，在溶剂中溶解光敏树脂聚合物组合物等，以制备光刻胶涂布溶液，并以旋涂方式将其涂布在半导体晶片上，在半导体衬底3101上形成绝缘体薄膜3102。在由此旋涂后，在不高于100℃的温度下预烘焙，以便蒸发掉不需要的溶剂。由此，形成光刻胶薄膜3103。
接着，如图16(b)中，使用包含石英玻璃衬底3104和在它的表面上形成的掩模图案3105的标线片，作为用于光刻中曝光的光掩模，以用于向其图案曝光转印的普通压缩投影曝光方式，将光刻胶薄膜3103曝光于光3107中。如此，在光刻胶薄膜3103的预定区域中形成光学图案转印区域3103a。接着，这是用于PEB(后曝光烘焙)的热处理。最近的曝光光3107是ArF受激准分子激光器(波长：约193nm)，和光刻胶薄膜3103是化学放大型光刻胶。
接着，对于光刻中的显影，在显影剂中浸渍半导体晶片状态下的半导体衬底3101。如果需要，这可以暴露于显影剂的淋浴中。如此，如图16(c)中所示，通过显影去除光学图案转印区域3103a，以形成光刻胶图案。此外，将其在120℃左右后烘焙，由此在绝缘体薄膜3102上形成光刻胶掩模3108。这是光刻胶是阳图型光刻胶的情况。其中光刻胶是阴图型光刻胶的另一种情况与此相反，其中光学图案转印区域3103a通过显影得以保留及其它区域被除去。
接着，使用光刻胶掩模3108作为蚀刻掩模，如图17中所示，绝缘体薄膜3102通过使用等离子体而进行干性蚀刻。由此，在绝缘体薄膜3102中形成开口3109。
接着，剥离掉光刻胶掩模。如图17(b)中所示，光刻胶掩模3108在氧(O2)等离子体中成为灰烬。如此，形成具有开口3109的绝缘体薄膜3102的图案。在此，开口3109通常是通过绝缘体薄膜3102用于布线内连的通孔，绝缘体薄膜作为布线夹层绝缘薄膜使用。
最近，形成图案的半导体器件中图案尺寸变得非常微尺寸至100nm或以下的水平。由先进的微图案形成技术，半导体器件因而得到更大的改进，以具有提高的集成度，并且是多功能的高性能器件。
但是，在上面所述的光刻技术中，上面所述的微图案形成技术要求上面所述的涂布、曝光、显影和剥离的高水平技术，它提高了在形成图案的半导体器件的过程中的生产成本。
迄今为止，上面所述的通过光刻形成光刻胶掩模的涂布、曝光、显影和剥离步骤构成光刻的基础，且即使用于这些步骤的技术可以个别得到改善，这些技术系列的基本构成不改变。同样还可以应用到上面所述的剥离光刻胶掩模的步骤。改善这些技术达到更高水平的那些技术不可避免地带来用于形成图案的成本的提高。因此，需要开发基本不同于常规技术的新技术，其满足高水平微图案形成技术和降低生产成本。
[专利参考文件1]JP-A 11-293207
[专利参考文件2]JP-A 2000-355618
[专利参考文件3]JP-A 11-217458
[专利参考文件4]JP-A 11-168123
[专利参考文件5]JP-A 10-178255
[非-专利参考文件1]Semiconductor Handbook，2nd Ed.，由Semiconductor Handbook Edition Association编辑，由Ohm出版，1994年5月25日，第198-199页。
考虑到上面所述目前状况，本发明的一个目的是提供一种热衰变材料，其在普通的操作温度下几乎不恶化或分解，但是当在相对低温下加热时其可以在短时期内衰变。
本发明的另一个目的是解决上面所述的现有技术中的缺陷并且提供一种制备多孔薄膜的方法，在所述的多孔薄膜中可以均匀地形成足够大的孔隙和形成孔隙的材料不会保留，还提供一种根据该制备方法得到的多孔薄膜。
此外，本发明考虑到如上所述的当前情形得以完成，且它的目的是提供一种具有下面优点的转印薄片：使用它，可以将导电微粒安置电子部件的电极上，而从其中迁移或掉落；或在其上可以全部同时将许多导电微粒牢固和容易地与电子部件的电极熔化结合。即使电路图案的线宽变薄，也可以电路图案转印到半固化绝缘衬底或陶瓷印刷电路基板，而不混乱。因此，使用转印薄片可以得到高密度和高精确度的微图案形成布线电路板。
本发明的再一个目的是提供一种形成图案的新技术，以便提供一种形成图案方法，该方法可以简化上面所述的系列技术和降低形成图案技术的成本。
发明内容
具体地，本发明如下：
(1)一种热衰变材料，其包含作为其主要成分的聚氧化烯树脂，其氧原子的含量为15至55质量％，并且在150至350℃的预定温度加热时，该材料的至少95重量％在10分钟内衰变。
(2)根据(1)的热衰变材料，其中聚氧化烯树脂是聚氧丙烯、聚氧乙烯或聚氧丁烯，或聚氧丙烯、聚氧乙烯和/或聚氧丁烯的混合树脂。
(3)根据上面(2)的热衰变材料，其中混和树脂的聚氧丙烯的含量为至少50质量％。
(4)根据上面(1)至(3)任何一项的热衰变材料，其中聚氧化烯树脂数均分子量为500至5,000,000。
(5)根据上面(1)至(4)任何一项的热衰变材料，其包含分解促进剂。
(6)根据上面(5)的热衰变材料，其中分解促进剂是过氧化物。
(7)根据上面(5)的热衰变材料，其中分解促进剂是偶氮化合物。
(8)根据上面(5)的热衰变材料，其中分解促进剂是氧化锡。
(9)根据上面(1)至(4)任何一项的热衰变材料，其包含分解迟滞剂。
(10)根据上面(9)的热衰变材料，其中分解迟滞剂是巯基化合物、胺化合物、有机锡或有机硼中的任何一种。
(11)根据上面(1)至(10)任何一项的热衰变材料，其在150至300℃的预定温度的含氧气氛中加热时衰变。
(12)根据上面(1)至(10)任何一项的热衰变材料，其在150至350℃的预定温度的厌氧气氛中加热时衰变。
(13)根据上面(1)至(12)任何一项的热衰变材料，其在减压下、150至350℃的预定温度加热5分钟内时衰变。
(14)一种热衰变薄片的热衰变材料，其由根据上面(1)至(13)任何一项的热衰变材料组成，并且其在100℃或更低的温度下保持其薄片形式。
(15)根据上面(14)的热衰变材料，其中聚氧化烯树脂是未交联的，且其数均分子量为5000至5,000,000。
(16)根据上面(14)的热衰变材料，其中热衰变薄片包含交联的聚氧化烯树脂。
(17)根据上面(16)的热衰变材料，其中交联的聚氧化烯树脂是由含可交联官能团的聚合物与交联剂交联形成的，所述的含可交联官能团的聚合物包含含可交联官能团的聚亚烷基二醇或聚氧化烯的链段。
(18)根据上面(14)的热衰变材料，其中热衰变薄片包含未交联的聚合物，所述未交联的聚合物包含未交联的聚亚烷基二醇或聚氧化烯的链段。
(19)根据上面(14)至(18)任何一项的热衰变材料，其中热衰变薄片用衬底加强。
(20)一种热衰变材料，其包含根据上面(1)至(13)任何一项的热衰变材料，其包含含可交联官能团的聚合物和交联剂且其在20℃时的粘度为1至5,000,000mPa·s，所述的含可交联官能团的聚合物包含含可交联官能团的聚亚烷基二醇或聚氧化烯的链段。
(21)根据上面(20)的热衰变材料，其包含至多30质量％的含可聚合不饱和基团的化合物。
(22)根据上面(20)的热衰变材料，其在20℃时的粘度为1至100mPa·s。
(23)根据上面(20)的热衰变材料，其在20℃时的粘度为500至100,000mPa·s。
(24)根据上面(20)的热衰变材料，其在20℃时的粘度为20至1000mPa·s。
(25)根据上面(17或(20)的热衰变材料，其中可交联官能团是选自下列中的至少一种：水解甲硅烷基、异氰酸酯基、环氧基、氧杂环丁烷基、酸酐基、羧基、羟基和可聚合不饱和烃基。
(26)根据上面(14)至(19)任何一项的热衰变材料，其在150至220℃的气氛中衰变。
(27)根据上面(14)至(19)任何一项的热衰变材料，其在220至280℃的气氛中衰变。
(28)根据上面(14)至(19)任何一项的热衰变材料，其在280至350℃的气氛中衰变。
(29)根据上面(20)至(24)任何一项的热衰变材料，其中材料的固化产品在150至220℃的气氛中衰变。
(30)根据上面(20)至(24)任何一项的热衰变材料，其中材料的固化产品在220至280℃的气氛中衰变。
(31)根据上面(20)至(24)任何一项的热衰变材料，其中材料的固化产品在280至350℃的气氛中衰变。
(32)一种制备多孔材料的方法，该方法包含：
制备前体的步骤，所述的前体包含形成骨架的可交联材料(a)和上面(1)的热衰变材料(b)，所述的热衰变材料(b)包含作为其主要组分的聚氧化烯且当加热时分解和蒸发；
在不低于热衰变材料(b)在加热下衰变的温度的温度下加热所述前体的步骤；
在加热之前和期间交联可交联的材料以形成骨架相的步骤；
及其中在交联的材料中的热衰变材料(b)衰变，以产生具有由骨架相包围的大量孔隙的多孔材料。
制备如上所述的多孔材料的方法，其中在150至350℃进行10分钟或更短的加热时间的加热。
制备如上所述的多孔材料的方法，其中用于形成骨架的可交联材料(a)是烷氧基硅烷，交联可交联材料以形成骨架相的步骤包含缩合烷氧基硅烷以形成无机硅烷化合物相。
制备如上所述的多孔材料的方法，其中相对于形成骨架的可交联材料(a)，使用的热衰变材料(b)的量为5至1000重量份。
制备如上所述的多孔材料的方法，其中前体是通过形成骨架的可交联材料(a)的部分水解缩合而制备的复合物，在将被加工的衬底上涂布复合物，然后加热。
制备如上所述的多孔材料的方法，其中将被加工衬底是具有在其上形成半导体元件的半导体衬底，且形成多孔材料作为连接半导体元件的布线层之间的夹层绝缘薄膜。
制备如上所述的多孔材料的方法，其中在两个阶段中进行对前体加热：第一次加热，和在高于第一次加热温度的温度下的第二次加热。
根据如上所述的制备方法得到多孔材料。
一种具有作为多孔薄膜的多孔材料的电子部件，其中多孔薄膜用作夹层绝缘薄膜。
(33)一种转印薄片，其是通过在包含上面(1)的热衰变材料的热衰变粘合剂树脂层上粘附转印对象而构成的。。
作为导电粒子转印薄片的转印薄片，其具有粘附和安置在热衰变粘合剂树脂薄片上的导电微粒。
导电粒子转印薄片，其中将导电微粒从热衰变粘合剂树脂薄片的顶面至背面嵌入在热衰变粘合剂树脂薄片中。
导电粒子转印薄片，其中导电微粒是用于在电子部件的电极之间的块结合，和在电极上熔化结合。
导电粒子转印薄片，其中电子部件是半导体芯片、树脂封入的半导体器件或布线板。
导电粒子转印薄片，其中导电微粒至少在它们表面上具有焊料。
导电粒子转印薄片，其中导电微粒将形成BGA组件中的焊料球块。
导电粒子转印薄片，其中导电微粒将在半导体芯片上形成块。
一种导电微粒与电子部件的电极表面结合的方法，该方法包含：将导电粒子转印薄片粘附在电子部件上，其中在包含上面(1)的热衰变材料的热衰变粘合剂薄片上安置导电微粒，采用导电微粒可以与电子部件中的电极位置接触或不接触的方式，然后熔化和粘合导电微粒与电子部件的电极，并且加热得到的结构体，以使热衰变粘合剂薄片衰变。
一种导电微粒与电极结合的方法，该方法包含：在其上形成有电极表面的电子部件表面上浇铸上面(1)的热衰变材料的糊料，由此在它们上面形成热衰变树脂层，通过热衰变树脂层安置和粘合导电微粒与电极表面，然后熔化和粘合导电微粒与电子部件的电极，且加热得到的结构体，以使热衰变粘合剂薄片衰变。
一种导电微粒与电极结合的方法，该方法包含：向在其上形成有电极表面的电子部件表面上涂布含有上面(1)的热衰变材料的组合物的溶液，由涂布薄膜形成热衰变树脂层，通过热衰变树脂层安置和结合导电微粒与电极表面，然后熔化和粘合导电微粒与电子部件的电极，且加热得到的结构体，以使热衰变粘合剂薄片衰变。
一种如上所述的导电微粒与电极结合的方法，其中涂布含有热衰变粘合剂树脂组合物的溶液以形成涂布薄膜，然后涂布薄膜曝光于UV射线，以形成热衰变树脂层。
一种如上所述的导电微粒与电极结合的方法，其中在热衰变粘合剂薄片或热衰变树脂层的预定区域通过曝光于激光形成凹口，且将导电微粒粘合至凹口并安置在凹口中。
一种如上所述的导电微粒与电极结合的方法，其中电子部件是半导体芯片、树脂封入的半导体器件或布线板。
一种如上所述的导电微粒与电极结合的方法，其中导电微粒至少在它们的表面上有焊料。
一种如上所述的导电微粒与电极结合的方法，其中导电微粒至少在它们的表面上有焊料，且导电微粒熔化结合和热衰变粘合剂薄片或热衰变粘合剂树脂的衰变在焊料回流温度加热的条件下同时进行。
如上所述的转印薄片，其中被转印部分是电极图案。
如上所述的转印薄片，其是用于电路形成的转印薄片及其包含：
在加热下分解的上面(1)的热衰变材料，或由上面(1)的热衰变材料形成的粘合剂薄片；和
在粘合剂薄片的表面上形成的电路图案。
如上所述的转印薄片，其是用于电路形成的转印薄片及其包含：
在加热下分解的上面(1)的热衰变材料，或由上面(1)的热衰变材料霰成的粘合剂薄片；和
在粘合剂薄片的表面上形成的金属箔或导电糊料层。
如上所述的用于电路形成的转印薄片，其中粘合剂薄片通过分解失去其固态。
一种用于电路形成的转印薄片，其包含：
具有在加热下分解的上面(1)的热衰变材料和在加热下不分解的非热衰变树脂的层压结构的粘合剂薄片；和
在热衰变材料的表面上形成的电路图案、金属箔或导电糊料层。
一种用于电路形成的转印薄片，其包含：
由在加热下分解的上面(1)的热衰变材料和在加热下不分解的非热衰变树脂的混合物形成的粘合剂薄片；和
在粘合剂薄片的表面上形成的电路图案、金属箔或导电糊料层。
一种用于电路形成的转印薄片，其包含：
由多种具有不同热分解温度的上面(1)的热衰变材料的混合物形成的粘合剂薄片；和
在热粘合剂薄片的表面上形成的电路图案、金属箔或导电糊料层。
如上所述面用于电路形成的转印薄片，其中在加热下粘合剂薄片的固体形式变化，因此该薄片与电路图案、金属箔或导电糊料层分离。
如上所述面用于电路形成的转印薄片，其中上面(1)的热衰变材料还包含通过向其中的能量刺激而交联的可交联树脂组分。
如上所述面用于电路形成的转印薄片，其中粘合剂薄片是由通过曝光于UV射线或电子束而使上面(1)的热衰变材料组分交联和固化而形成的。
一种通过使用如上所述的用于电路形成的转印薄片来制备电路板的方法，该方法包含：
向转印薄片的电路图案挤压绝缘衬底或陶瓷印刷电路基板，以便将电路图案粘合至或嵌入在绝缘衬底或在陶瓷印刷电路基板中的步骤；和
热分解热衰变材料，以由此向绝缘衬底或陶瓷印刷电路基板上转印电路图案的步骤。
一种通过使用如上所述的用于电路形成的转印薄片来制备电路板的方法，该方法包含：
对用于电路形成的转印薄片的金属箔或导电糊料层形成图案，以形成电路图案的步骤；
向电路图案挤压绝缘衬底或陶瓷印刷电路基板，以便将电路图案粘合至或嵌入在绝缘衬底或在陶瓷印刷电路基板中的步骤；和
热分解热衰变材料，以由此向绝缘衬底或陶瓷印刷电路基板上转印电路图案的步骤。
如上所述面所述制备电路板的方法，其中热衰变材料包含含可交联甲硅烷基的聚氧化烯树脂，和控制加热温度在150℃至170℃。
如上所述的转印薄片，其中转印部件是电子部件。
(34)一种形成图案的方法，该方法包含：在将被加工的衬底表面上形成上面(1)的热衰变材料的热衰变树脂薄膜的步骤，和向热衰变树脂薄膜选择性地施加热量的步骤，以衰变在热能照射区域中的热衰变树脂薄膜，由此形成热衰变树脂薄膜的图案。
如上所述的形成图案的方法，其中根据直接形成图案的方法，用激光束或电子束进行对热衰变树脂薄膜选择性的施加热量。
(35)一种形成图案的方法，该方法包含：
在将被加工的衬底表面上形成上面(1)的热衰变材料的热衰变树脂薄膜的步骤：
通过材料曝光，将在光掩模中形成的图案转印至热衰变树脂材料的步骤；和
加热在曝光转印步骤后的热衰变树脂薄膜的步骤，以选择性地衰变在前面的转印步骤中未曝光区域中的热衰变树脂薄膜，由此形成热衰变树脂薄膜图案。
如上所述的形成图案的方法，其中使在前面曝光转印步骤中在其曝光区域中的热衰变树脂薄膜交联和光固化。
如上所述形成图案的方法，其中控制热处理温度高于在其未曝光区域中的热衰变树脂薄膜分解和衰变的温度，但是低于在其曝光区域中的热衰变树脂薄膜分解和衰变的温度。
如上所述形成图案的方法，其中热衰变树脂薄膜包含含可交联甲硅烷基的聚氧化烯树脂组合物。
如上所述形成图案的方法，其中在其上形成热衰变树脂薄膜图案后，曝光学结构体的整个表面。
如上所述形成图案的方法，其中通过作为蚀刻掩模的热衰变树脂材料图案，选择性地蚀刻将被加工的衬底，然后加热，以分解和去除热衰变树脂的图案。
如上所述形成图案的方法，该方法包括：
根据溅射方法，在将被加工的衬底表面上形成的热衰变树脂图案的整个表面上形成导体薄膜的步骤；和
通过加热热衰变树脂而使其分解和衰变，以便卸下导体薄膜由此形成导体薄膜图案的步骤。
如上所述形成图案的方法，该方法包括：
通过作为电镀掩模的热衰变树脂薄膜的图案，用金属薄膜电镀将被加工的衬底表面的步骤；和
通过加热热衰变树脂而使其分解和衰变以形成金属薄膜图案的步骤。
如上所述形成图案的方法，其中在150℃至250℃的氮气气氛中进行热处理。
如上所述形成图案的方法，其中在200℃至250℃的氮气气氛中进行热处理。
本发明热衰变材料在室温下几乎不恶化和分解，但是当在相当低的温度下加热时可以在短时期内衰变。
本发明热衰变材料中的聚氧化烯树脂可以是聚氧丙烯、聚氧乙烯或聚氧丁烯，或聚氧丙烯、聚氧乙烯和/或聚氧丁烯的混合树脂。因而，为此，具有低内聚力的聚氧丙烯可以与具有高内聚力的聚氧乙烯和/或聚氧丁烯结合，本发明的衰变材料的内聚力可以根据其用途和应用领域而以任何需要的方式控制。
在本发明热衰变材料中，混和树脂的聚氧丙烯含量可以为至少50质量％，且可以适宜地控制材料的衰变温度和衰变时间。
在本发明热衰变材料中，聚氧化烯树脂可以具有的数均分子量为500至5,000,000。因此，树脂的挥发性不太高，且可以稳定地处理本发明的衰变材料，并且更加可以保证材料的快速衰变。
本发明的衰变材料可以包含分解促进剂，且它可以在更短的时期内更低温度下衰变。
可以在本发明热衰变材料中的分解促进剂可以是过氧化物，且可以减少来自分解促进剂的分解残余物。
可以在本发明热衰变材料中的分解促进剂可以是偶氮化合物。在这种情况下，促进剂可以促进分解，此外，通过偶氮化合物所产生的氮气可以提高分解产物的挥发性。
本发明热衰变材料可以包含分解迟滞剂，可以根据材料的不同应用领域来控制衰变时间和时间。
在本发明热衰变材料中，分解迟滞剂可以是巯基化合物、胺化合物、有机锡或有机硼中的任何一种。因此，可以迟滞构成本发明热衰变材料的聚氧化烯的分解。
本发明热衰变材料在含氧的气氛中可以更快地分解，且可以在更低温度下分解，此外，可以减少分解残余物。考虑到这种特性，如果不能加热至它的固有分解温度，当在含氧的气氛中、150至300℃的温度加热时，热衰变材料可以衰变。因此，该材料可以应于各种领域。
本发明热衰变材料在厌氧气氛中的分解速度降低。因此，如果在微图案的形成中使用该材料，那么可以形成高精确的微图案。在厌氧气氛中，该材料的分解温度可以高。如果在厌氧气氛中、150至300℃的预定温度下加热和衰变该材料，那么在它的固有分解温度下它不会衰变，且可以进一步拓宽它的应用范围。
具体而言，如果提高气氛中的氧浓度，那么可以降低材料的加热温度。此外，如果提高气氛中的氧浓度，那么材料在它在空气中分解的温度下不分解，且可以如此控制该材料以便它在更高的温度下开始分解。因此，根据气氛中的氧气浓度，可以在大范围内控制热衰变材料的分解温度。
在减压下，来自于本发明热衰变材料的分解残余物的挥发性提高，因此可以降低残余物。如果在5分钟内、在降压下且在150至300℃的预定温度加热该材料，那么可以缩短该材料的加热时间。因此，本发明可以应用于在加热下容易破坏的材料。
此外，本发明热衰变材料可以在不高于100℃的温度中形成具有薄片形式的热衰变薄片。
在本发明热衰变材料中，聚氧化烯可以是数均分子量为5000至5,000,000的未交联的聚氧化烯。即使其中树脂是未交联的聚氧化烯(polyalkylene)树脂，该材料在室温下也可以有利地保持它的薄片形式。
本发明热衰变材料可以包含可交联的聚氧化烯树脂。即使没有用衬底加强，该材料在室温下也可以有利地保持它的薄片形式。
在本发明热衰变材料中，交联的聚亚烷基树脂可以通过含可交联官能团的聚合物与交联剂交联来形成，所述含可交联官能团的聚合物包含含可交联官能团的聚亚烷基二醇或聚氧化烯的链段。在通常的使用温度下，材料的内聚力极大提高和材料容易保持它的薄膜薄片形式。因此，可以容易处理材料为薄片或薄膜。
当本发明热衰变材料包含含未交联的聚亚烷基二醇或聚亚氧烷基乙二醇的链段的未交联聚合物时，可以用衬底加强它，并且该材料在室温下可以有利地保持它的薄片形式。
当本发明热衰变材料时用衬底加强时，即使它包含未交联的聚氧化烯树脂，该材料甚至在室温下也可以有利地保持它的薄片形式。
本发明热衰变材料可以包含含可交联官能团的聚亚烷基二醇或聚氧化烯的链段的含可交联官能团的聚合物和交联剂，且其在20℃时的粘度可以为1至5,000,000mPa·s。在通常的使用温度下，该材料几乎不恶化或分解且可以保持它的糊料形式，且当暴露于光等时，它被交联成为固化产品。当在相对低的温度下加热固化产品时，它可以容易地在短时期内衰变。
本发明热衰变材料可以包含至多30质量％的含可聚合未饱和基团的化合物。保持其上面所述的性能，这种类型的热衰变材料可以保证更快的固化性。
本发明热衰变材料在20℃时的粘度可以为1至100mPa·s。因此，它可以根据旋涂方法、上拉涂布方法或浸渍方法而在任何需要的区域均匀形成。
本发明热衰变材料在20℃时的粘度为500至100,000mPa·s。因此，它可以根据刷涂方法而在任何需要的区域均匀形成。
本发明热衰变材料在20℃时的粘度可以为200至1000mPa·s。因此，它可以根据丝网印刷方法而在任何需要的区域均匀形成。
在本发明热衰变材料中，可交联的官能团可以是选自下列中的至少一种：水解甲硅烷基、异氰酸酯基、环氧基、氧杂环丁烷基(oxetanyl)、酸酐基、羧基、羟基和可聚合不饱和烃基。因此，对于材料可以选择任何已知的交联条件，且可以容易地控制材料的交联反应。
具体而言，如果基团是水解甲硅烷基，那么可以使用已知的交联剂例如路易斯酸例如有机锡、有机铝、有机硼；无机酸例如盐酸；或三乙胺、氨水或羟化钠。
如果基团是异氰酸酯，那么可以使用已知的交联剂例如多元醇、多胺、有机锡或在一个分子中含有多个酸酐结构的化合物。
如果基团是环氧基，那么可以使用已知的交联剂例如含有多个伯胺基团的化合物，叔胺，含有多个羧基的化合物，光酸生成剂，光胺生成剂或在一个分子中含有多个酸酐结构的化合物。
如果基团是氧杂环丁烷基，那么可以使用已知的交联剂例如光酸生成剂。
如果基团是酸酐基，那么可以使用已知的交联剂例如多元醇或含有多个伯胺基团的化合物。
如果基团是羧基，那么可以使用已知的交联剂例如含有多个环氧基团的化合物，或含有多个羟基的化合物。
如果基团是羟基，那么可以使用已知的交联剂例如含有多个异氰酸酯基团的化合物。
如果基团是可聚合不饱和烃基，那么可以使用已知的交联剂例如有机过氧化物、聚硫醇或含有多个伯胺基团的化合物。
本发明热衰变材料可以在150至220℃的气氛中衰变。因此，这可以在光学结构体中的临时固定中，或在用于制备具有低温焊料的半导体器件的封闭中衰变，因此，该材料可以在用于临时固定或用于其它各种目的。
本发明的任何热衰变材料可以在220至280℃的气氛中衰变。因此，它可以在用于用无铅焊料制备半导体器件的封装中衰变，因此，该材料可以用于临时固定或其它各种目的。
本发明的任何热衰变材料可以在280至350℃的气氛中衰变。因此，该材料可以应用于其中在铝布线上形成多孔薄膜的情况，且它可以在各种应用领域中使用。
本发明的任何热衰变材料的固化产品可以在150至220℃的气氛中衰变。因此，该材料可以在光学结构体中的临时固定或用于用低温焊料制备半导体器件的封装中衰变，因此，材料可以用于临时固定或其它各种目的。
本发明的任何热衰变材料的固化产品可以在220至280℃的气氛中衰变。因此，它可以在用于用无铅焊料制备半导体器件的封装中衰变，因此，材料可以用于临时固定或其它各种目的。
本发明的任何热衰变材料的固化产品可以在280至350℃的气氛中衰变。因此，该材料可以应用于其中在铝布线上形成多孔薄膜的情况，且它可以在各种应用领域中使用。
根据本发明制备多孔材料的方法，形成骨架的可交联材料和热衰变材料在两者均匀分散的条件中加热，且热衰变材料可以在低温下很好地衰变。因此，所得到的孔隙可以均匀分散在以这种一种方式制备的多孔材料中，以便形成骨架的可交联材料包围孔隙和形成硬骨架相结构体。因此，在制备半导体器件的过程中，薄膜可以在对其它元件区域不产生任何负面影响的条件下形成。此外，如果需要，可以任何需要的方式选择构成骨架相的可交联材料，且根据其用途，可以形成高可靠性的多孔材料。此外，因为良好薄膜质量的多孔材料可以在150至350℃，优选为150至200℃的温度形成，因而选择组成骨架相的可交联材料的范围广泛。具体而言，如果将多孔材料用作半导体器件中的夹层绝缘薄膜，那么它可以在不高于200℃的相当低的温度下形成，这意味着薄膜可以在元件不恶化下形成。至于薄膜形成方法，通过控制薄膜的组分，可以适宜选择旋涂方法或丝网印刷方法中的任何一种。此外，多孔薄片容易形成。通过使用粘合剂树脂，可以将多孔薄片粘附在半导体衬底的表面上，且它可以被用作夹层绝缘薄膜。
在本发明制备多孔材料的方法中，加热可以在150至350℃的温度下和10分钟或更短的加热时间进行。因此，多孔材料可以不经受高温处理制备，因此它的制备容易，且制备方法具有高可靠性。当该材料在半导体器件的制备过程中形成夹层绝缘薄膜中使用时，它不会导致已经形成的扩散层延长或布线层恶化，因此可以提供高可靠性的半导体器件。
在本发明制备多孔材料的方法中，形成骨架的可交联材料(a)可以是烷氧基硅烷，且交联的可交联材料以形成骨架相的步骤可以包含：缩合烷氧基硅烷以形成无机硅烷化合物相。因此，可以形成耐酸和碱的高可靠性的坚固多孔材料。
在本发明制备多孔材料的方法中，热衰变材料(b)具有的氧原子含量可以为15至55质量％，且当在150至350℃的预定温度加热时，至少95重量％的材料在10分钟内衰变。因此，在半导体器件的制备中，可以在不恶化元件区域和布线的条件下使用该材料。
在本发明制备多孔材料的方法中，聚氧化烯树脂具有的数均分子量可以为5000至5,000,000。因此，热衰变材料(b)不具有太高的挥发性且和可以更稳定地处理。此外，可以保证材料的快速衰变。
在本发明制备多孔材料的方法中，相对于100重量份形成骨架的可交联材料(a)，热衰变材料(b)的使用量可以为5至1000重量份。因此，制备的多孔材料具有低介电常数和足够的机械强度。
在本发明制备多孔材料的方法中，前体可以是通过形成骨架的可交联材料(a)的部分水解缩合而制备的复合物，并且在将被加工的衬底上涂布复合物，然后将其加热。因此，可以非常容易实现在半导体衬底上形成多孔材料。
在本发明制备多孔材料的方法中，将被加工的衬底可以是在其上形成有半导体元件的半导体衬底，且多孔材料可以形成为在连接半导体元件的布线层之间的夹层绝缘薄膜。因而，可以形成具有低介电常数和足够的机械强度的夹层绝缘薄膜。
在本发明制备多孔材料的方法中，前体加热可以在两个阶段进行：第一次加热，和在高于第一次加热的温度的温度下的第二次加热。因此，热衰变材料第一次低温下逐渐衰变，然后它可以在较高温度下经较高速度衰变。如此，可以形成更均匀的多孔材料。
根据上面所述的制备步骤得到的多孔材料是均质的且可以具有高机械强度。
多孔材料可以是多孔薄膜，且当多孔薄膜用作电子部件中的夹层绝缘薄膜时，该薄膜具有低的介电常数并且具有高的机械强度。
本发明的转印薄片具有在热衰变粘合剂树脂层上粘附的转印对象。因此，在转印对象被转印之后，热衰变粘合剂树脂层仅通过加热它就可以容易衰变。
包含本发明的转印薄片的导电粒子转印薄片具有粘附和安置在热衰变粘合剂树脂薄片的导电微粒。因而，这可以使连接在没有错误定位(mispositioning)的条件下进行。
在导电粒子转印薄片中，可以将导电微粒从热衰变粘合剂树脂薄片的顶面向它的背面嵌入在其中。因此，如果半导体芯片或半导体晶片提供在导电粒子转印薄片的一个表面上，且如果导电微粒的一个表面与半导体芯片或半导体晶片的电极极板保持接触并且在导电微粒表面的熔化温度下将其加热，那么导电微粒与电极极板固定，并且热衰变树脂衰变。如此，可以实现导电微粒与电极极板连接，而没有错误定位。
在导电粒子转印薄片中，导电微粒可以用于电子部件的电极之间的块粘合，且粒子在电极上熔化粘合。因此，这可以容易地仅通过加热就实现连接，而不使用粘合剂例如焊料。
在导电粒子转印薄片中，电子部件可以是半导体芯片、树脂封入的半导体器件或布线板。为此，转印薄片可以容易地块状形成在半导体芯片、树脂封入的半导体器件或布线板上，而没有错误定位。
在导电粒子转印薄片中，导电微粒可以至少在它们的表面上具有焊料，因此，粒子可以仅通过加热熔化和粘合。
在导电粒子转印薄片中，导电微粒可以在BGA组件中形成焊料球块。转印薄片可以容易形成焊料球块，而没有错误定位。
在导电粒子转印薄片中，导电微粒可以在半导体芯片上形成块。转印薄片可以形成为块，而没有错误定位。
在导电粒子转印薄片中，热衰变粘合剂树脂可以包含聚氧化烯树脂。因此，导电粒子转印薄片可以在低温下去除，而在它去除后不留任何残余物。
在导电粒子转印薄片中，热衰变粘合剂树脂可以由含聚亚烃基树脂组合物的涂布薄膜形成。因此，导电微粒的定位和固定容易。
在导电粒子转印薄片中，热衰变粘合剂树脂在减压下分解时可以产生更多的挥发性残余物。在那种条件下，可以减少分解残余物。此外，如果在150至350℃的预定温度、在减压下和5分钟内加热而使粘合剂树脂衰变，那么可以缩短加热时间。因此，即使通过加热容易受到破坏的导电微粒也可以用于转印薄片。
本发明用于粘合导电微粒与电子部件的电极表面的方法包含：将导电粒子转印薄片粘附到电子部件上，其中导电微粒安置在热衰变粘合剂薄片，以导电微粒可以与电子部件的电极的位置接触或不接触方式，然后熔化和粘合导电微粒和电子部件的电极，加热得到的结构体，以使热衰变粘合剂薄片衰变。根据这种方法，可以进行具有良好定位精确性和具有良好操作性的连接。
本发明用于粘合导电微粒与电极的方法包含：将热衰变材料的糊料浇铸在其上形成有电极表面的电子部件表面上，以因此在它们上面形成热衰变树脂层，通过热衰变树脂层安置和粘合导电微粒与电极表面，然后熔化和粘合导电微粒和电子部件的电极，加热得到的结构体，以使热衰变粘合剂薄片衰变。根据这种方法，可以进行具有良好定位精确性和具有良好操作性的连接。
本发明用于粘合导电微粒与电极的方法包含：向其上形成有电极表面的电子部件的表面上涂布包含热衰变材料组合物的溶液，由涂布薄膜形成热衰变树脂层，通过热衰变树脂层安置和粘合导电微粒与电极表面，然后熔化和粘合导电微粒和电子部件的电极，加热得到的结构体，以使热衰变粘合剂薄片衰变。根据这种方法，可以进行具有良好定位精确性和具有良好操作性的连接。
在用于粘合导电微粒与电极的方法中，可以涂布包含热衰变粘合剂树脂组合物的溶液，以形成涂布薄膜，然后涂布薄膜曝光于UV射线，以形成热衰变树脂层。因此，在这种方法中，通过在这种方法中的曝光，可以实现图案的形成，因此在不使用光刻胶的条件下，可以实现对电极形成图案。
在用于粘合导电微粒与电极的方法中，通过暴露于激光，在热衰变粘合剂薄片或热衰变树脂层的预定区域中可以形成凹口，且可以将导电微粒粘合至和安置在凹口中。在这种方法中，通过暴露于激光，导电微粒可以粘合至和安置在凹口中，所述的凹口形成在热衰变粘合剂薄片或热衰变树脂层的预定区域中。因此，在这种方法中，导电微粒可以稳定地粘合在热衰变薄片或热衰变树脂层的预定区域中。
在用于粘合导电微粒与电极的方法中，电子部件可以是半导体芯片、树脂封入的半导体器件或布线板。因此，这种方法可以容易形成块。
在用于粘合导电微粒与电极的方法中，导电微粒可以至少在它们的表面上具有焊料。因此，在这种方法中，通过焊料粘合导电微粒，可以实现热衰变材料的粘合。
在用于粘合导电微粒与电极的方法中，导电微粒可以至少在它们的表面上具有焊料，在焊料回流温度下，可以同时进行导电微粒的熔化粘合和热衰变粘合剂薄片或热衰变粘合剂树脂的衰变。因此，在这种方法中，在回流步骤中，在加热操作的同时可以实现导电微粒例如焊料球与衬底的粘合。
本发明的转印薄片可以是用于电路形成的转印薄片，当其中包含含热衰变材料的组合物的热衰变材料或粘合剂薄片分解时，失去了它的固体形式。
由于这种构造，粘合剂薄膜可以在加热时容易分解和衰变。因此，转印薄片可以容易地将精细和高密度电路图案转印至绝缘衬底上，并且可以高精确地形成具有精细和高密度布线的电路板。
在加热下粘合剂薄片的固体形式改变，由此薄片与电路图案、金属箔或导电糊料层分离。
如果由部分包含热衰变材料的复合薄膜形成粘合剂薄片，那么由通过热处理发分解热衰变材料所产生的蒸汽，可以极大地降低粘合剂薄片的粘合力，结果，粘合剂薄片可以容易与电路图案分离。因此，容易将精细和高密度的电路图案、金属箔或导电糊料转印到绝缘衬底上，可以高精确地形成精细和高密度布线的电路板。
优选的是，热衰变材料包含可交联的树脂组合物，其可以通过对其能量刺激而交联。在粘合剂薄片中，可交联树脂组合物可以通过曝光于UV射线或电子束而交联和固化。
由于这种构造，粘合剂薄片不需要用于适宜固化它的热处理，且在固化步骤中没有热处理完全防止了热衰变材料的分解。可以得到用于形成高质量电路的转印薄片。
用于电路形成的转印薄片可以包含热衰变材料树脂，所述的热衰变材料树脂包含含可交联甲硅烷基的聚氧化烯树脂，且上面所述的热处理温度可以是不超过200℃的相当低的温度。
根据本发明用于制备电路板的方法，可以以简化方式，在高生产能力下和高精确性地制备精细和高密度布线的电路板。
优选的是，热衰变材料包含含可交联甲硅烷基的聚氧化烯树脂，且控制加热温度在150℃和170℃。因此，在电路板的制备过程中，正在制备的电路板没有在高温下长时间曝光，所制备的电路板的材料和性能完全没有受到制备方法的负面影响。此外，不需要任何大规模的加热设备，且任何简单结构的加热设备就足够了。此外，在对于加热处理中可接受的加热温度限制相当低，或就是说不超过200℃的电子部件的制备中，所制备的电子部件的性能没有发生变化，本发明热衰变材料对它们的制备非常有效。
在本发明的转印薄片中，转印部件是电子部件。因此，转印薄片可以高定位精确性地使电子部件粘附到预定区域。例如，对于在封装通过MEMS(微型-电-机系统)或NEMS(毫微-电-机系统)技术形成的机器部件，例如齿条或小齿轮，或悬臂或空中桥梁的方法中部件的定位是非常有效的。例如，如果在硅晶片上形成的悬臂上形成热衰变粘合剂树脂层和如果将其相对于在其上形成有及其上粘附有半导体集成电路的另一硅晶片定位，那么可以容易形成加速度传感器。如果在硅晶片上形成的MEMS转换横梁(switch beam)上形成热衰变粘合剂树脂层，且如果将其相对于在其上形成有和在其上粘附有半导体集成电路和电机械过滤器的GaAs晶片定位，可以容易形成接收器装置。
本发明形成图案方法不需要光刻胶图案直接形成图案和在曝光转印后的光刻胶显影，而它们对在用光刻胶薄膜的常规图案形成中都是必不可少的。因此，本发明形成图案方法极大地得以简化且可以降低形成图案的成本。
此外，与常规光刻不同，本发明形成图案方法中的工作效率得到改善，因此降低形成图案的成本，此外，本发明实现了高精确形成图案技术。
此外，根据本发明，可以极大简化对在制备半导体器件中使用的各种材料形成图案，且极大地降低生产成本。
附图简述
图1包括制备具有由本发明的多孔材料形成的夹层绝缘薄膜的半导体器件的工艺流程的剖视图。图2包括用于解释导电粒子转印薄片的应用实施方案1的形成用于BGA组件的焊料球块的工艺流程的剖视图。图3包括在导电粒子转印薄片中的应用实施方案2中使用的导电粒子转印薄片的平面图和剖视图。图4是在导电粒子转印薄片中的应用实施方案2中形成焊料球块中的一个方法步骤的剖视图。图5包括用于解释在导电粒子转印薄片中的应用实施方案3的在半导体晶片上形成块的工艺流程的剖视图。图6包括用于电路形成的转印薄片的剖视图。图7包括用于制备电路板的工艺流程的剖视图。图8包括用于制备另一电路板的工艺流程的剖视图。图9包括在半导体芯片上形成重新排列布线的工艺流程的剖视图。图10包括用于解释现有技术的制备电路板的工艺流程的剖视图。图11包括显示本发明图案形成的第一实施方案的工艺流程的剖视图。图12包括显示本发明图案形成的第二实施方案的工艺流程的剖视图。图13包括显示本发明图案形成的第三实施方案的工艺流程的剖视图。图14包括接着上面所述的过程的图案形成的工艺流程的剖视图。图15包括本发明图案形成的第四实施方案的部分工艺流程的剖视图。图16包括用于解释现有技术的图案形成的工艺流程的剖视图。图17包括接着上面所述的过程的图案形成的工艺流程的剖视图。
实施本发明的最佳方式
下面详细描述本发明。
本发明热衰变材料包括作为其主要组分的聚氧化烯树脂，和具有的氧原子含量为15至55质量％，当在150至350℃的预定温度加热时，至少95重量％的材料在10分钟内衰变。
虽然不特别限定但本质上，本发明热衰变材料可以在室温下为薄片形式，或在室温下可以具有糊料形态，且当暴露于光等时，它可以交联成为固化产品。
本发明热衰变材料中的聚氧化烯树脂包括未交联的那些和交联的那些。
虽然不特别限定，本发明热衰变材料中的聚氧化烯树脂包括包含聚亚烷基二醇或聚氧化烯的链段的聚合物。
虽然也不特别限定，聚亚烷基二醇包括例如聚氧化丙二醇、聚乙二醇、聚氧化丁二醇。首先，本发明优选使用的是聚氧丙烯、聚氧乙烯、聚氧丁烯，以及聚氧丙烯、聚氧乙烯、聚氧丁烯的混和树脂。更具体而言，混和树脂中聚氧丙烯的含量至少为50质量％。如果使用这种类型的混和树脂并且控制树脂的混和比率，那么可以控制材料的衰变温度和衰变时间。在本发明的衰变材料中，优选使用固体聚氧乙烯和/或聚氧丁烯的混和树脂，因为可以广泛改变材料的性能，包括非粘合剂热熔化型树脂薄片和粘合剂薄片。
在包含上面所述的聚氧化烯的链段的共聚物中，聚氧化烯链段是指各自具有下式(1)中至少两个重复单元的链段：
其中，n是指1或更大的整数；R1n和R2n各自表示一种或多种选自下列的第n个取代基：氢原子、烷基、芳基、链烯基、羟基、羧基、环氧基、氨基、酰胺基、醚基和酯基。
如果用于链段的式(1)的重复单元的数量是1，那么本发明热衰变材料在加热下不可能完全衰变。即使具有至少两个式(1)的重复单元的链段没有交联点且该树脂与任何其它链段交联为凝胶树脂，那么它可以在本发明热衰变材料中使用，只要上面所述的聚氧化烯链段在交联点之间存在即可。此外，可以用增链剂处理包含上面所述的聚氧化烯链段的共聚物，以便链段可以链状连接在一起。
不特别限定，包含聚氧化烯链段的聚合物包括例如：聚亚甲基二醇(聚缩醛)、聚乙二醇、聚丙二醇、聚亚丙基二醇、聚丁二醇，以及这些链段的不同类型的组合。它还包括可以从这些得到的聚氨酯、聚酯、聚酰胺和聚酰亚胺。它还包括乙烯基聚合物例如(甲基)丙烯酸聚合物和聚苯乙烯类，其具有这些聚氧化烯链段作为其接枝。两种或多种不同类型的这些树脂可以在此组合使用。
优选的是，聚氧化烯树脂的数均分子量为500至5,000,000。如果数均分子量低于500，那么树脂将太容易挥发，如果这样，本发明的衰变材料可能难以稳定处理。另一方面，如果数均分子量高于5,000,000，那么树脂的内聚力可能良好，但是由于它的缠结作用，树脂不可能快速衰变。
详细地，可以适宜根据本发明热衰变材料的用途、目的和使用条件而适宜决定树脂的数均分子量。
如果需要，本发明热衰变材料可以包括分解促进剂或分解迟滞剂，因此该材料的分解速度和分解温度可以根据材料的用途、目的和使用条件而适宜控制。
不特别限定，分解促进剂包括偶氮化合物例如偶氮二酰胺；重金属化合物例如硫酸铁、硝酸钠、环烷酸钴；羧酸例如草酸、亚麻酸、抗坏血酸；和对苯二酚、过氧化物、氧化锡。
过氧化物不特别限定，且可以是无机过氧化物或有机过氧化物的任何一种。具体而言，无机过氧化物包括过硫酸钾、过硫酸钠、过硫酸铵、高氯酸钾、高氯酸钠、高氯酸铵和高碘酸钾。
虽然不特别限定，当需要本发明热衰变材料具有良好的储存稳定性时，优选有机过氧化物为10小时半值温度(10-hour half value temperature)不低于100℃的那些。10小时半值温度不低于100℃的有机过氧化物是例如：氢过氧化物例如萜烷过氧化氢、过氧化氢二异丙苯、1，1，3，3-四甲基丁基过氧化氢、枯烯过氧化氢、叔-己基过氧化氢、叔-丁基过氧化氢；二烷过氧化物例如过氧化二枯基、α，α’-二(叔-丁基过氧化-间-异丙基苯)、2，5-二甲基-2，5-二(叔-丁基过氧化)己烷、过氧化叔-丁基枯基、过氧化二-叔-丁基、2，5-二甲基-2，5-二(叔-丁基过氧化)己炔-3；过氧缩酮类例如1，1-二(叔-己基过氧化)-3，3，5-三甲基环己烷、1，1-二(叔-己基过氧化)环己烷、1，1-二(叔-丁基过氧化)-3，3，5-三甲基环己烷、1，1-二(叔-丁基过氧化)环己烷、1，1-二(叔-丁基过氧化)环十二烷、2，2-二(叔-丁基过氧化)丁烷、4，4-二(叔-丁基过氧化)戊酸正-丁酯、2，2-二(4，4-二-叔-丁基过氧化环己基)丙烷；过氧化酯类例如叔-己基过氧化异丙基一碳酸酯、b-丁基过氧化马来酸酯、叔-丁基过氧化-3，5，5-三甲基己酸楷、叔-丁基过氧化月桂酸酯、2，5-二甲基-2，5-二(间-甲苯甲酰过氧化)己烷、叔-丁基过氧化异丙基一碳酸酯、过苯甲酸叔-己酯、2，5-二甲基-2，5-二(间-苯甲酰过氧化)己烷、过乙酸叔-丁酯、过苯甲酸叔-叔-丁酯、过间苯二酸二-叔-丁酯、叔-丁基过氧化烯丙基一碳酸酯。
不特别限定但是具体而言，偶氮化合物包括：偶氮二异丁腈(AIBN)、2，2-偶氮二(4-甲氧基-2，4-二甲基戊腈)、2，2-偶氮二(2-环丙基丙腈)、2，2-偶氮二(2-甲基丁腈)、1，1-偶氮二(环己烷-1-腈)。
当包含上面所述的过氧化物和偶氮化合物，本发明热衰变材料可以减少其在热衰变后可以保留的碳化物残余物。在这些过氧化物中，特别优选的是有机过氧化物，因为对于减少灰烬残余物的产生更有效。
也不特别限定，分解迟滞剂包括巯基化合物、胺化合物、有机锡、有机硼。
不特别限定但是具体而言，巯基化合物包括丙硫醇、丁硫醇、戊硫醇、1-辛烷硫醇、十二烷硫醇、环戊烷硫醇、环己烷硫醇、1，3-丙二醇。
不特别限定但是具体而言，胺化合物包括丙胺、丁胺、己胺、十二烷基胺、异丙胺、六亚甲基二胺、环己胺、苄胺、苯胺、甲基苯胺。
不特别限定但是具体而言，有机锡包括二月桂酸二甲基锡、二月桂酸二丁锡、二辛酸二丁锡、二乙酸二丁锡、二丁锡-二(2，4-戊二酮)、二月桂酸二月桂基锡。
不特别限定但是具体而言，有机硼包括硼酸三甲酯、硼酸三丙酯、硼酸三丁酯、三甲氧基环硼氧烷、亚丙基硼酸酯。
本发明热衰变材料的分解促进剂和分解迟滞剂的量不特别限制，可以根据材料的用途、目的和使用条件而适宜地决定。具体而言，理想的是，加入的含量为热衰变材料的1至10质量％。
当在150至300℃之间的预定温度下、含氧的气氛中加热时，或当在150至350℃的预定温度下，在厌氧的气氛中加热时，或当在150至350℃的预定温度下，在减压下5分钟内加热时，本发明热衰变材料的衰变。根据其中它被加热的气氛，该材料的分解温度范围变化。利用其有利性能，该材料可以在各种应用领域中使用。
在不超过100℃的温度下，本发明热衰变材料可以为薄片形式，且本发明提供这种热衰变薄片。
在这种情况下，理想的是，在本发明热衰变材料中的聚氧化烯树脂具有的数均分子量为5000至5,000,000。
如果数均分子量为至少5000，那么在不低于100℃的温度，该材料可以保持稳定的薄片形式；且如果它是至多为5,000,000，那么树脂的内聚力不会太高且它的可湿性不会降低，含树脂的材料可以保证足够的粘合力。
至于热衰变薄片的形态，该薄片可以用衬底加强，或可以不用衬底加强。
如果使用未交联聚氧化烯树脂，那么该材料不能通过它自己保持薄片形式，因为该树脂是软的。因此，这种类型的材料优选用衬底加强。
例如，材料可以是支持型薄片，其是用耐热树脂薄片例如聚对苯二甲酸乙二醇酯薄片或聚酰亚胺薄片加强，或用金属薄膜的衬底等加强。因为这种情况可以是：具有聚亚烷基二醇或聚氧化烯链段的共聚物可以渗透进入纸张、塑料或玻璃材料的机织织物或无纺织物等，以便保持该材料的薄片形式。就此而论，因为包含聚氧化烯链段的许多聚合物也是软的且它们自己不能保持薄片形式，理想的是用衬底加强它以便保持其薄片形式。
如果使用交联聚氧化烯树脂，那么它可以通过它自己保持它的薄片形式。因此，可以不用衬底加强它。
交联聚氧化烯树脂的交联形态不特别限制，且它可以是或者物理交联或者化学交联。
对于物理地交联聚氧化烯树脂，例如，可以采用一种选择用于聚合的晶体链段，接着使它们结晶的方法；一种使用高分子量链段以提高分子链缠结的方法；和一种使用具有官能团例如羟基、氨基或酰胺基以因此形成氢键的链段的方法。
对于化学地交联聚氧化烯树脂，例如，可以采用一种含可交联官能团的聚合物与交联剂交联的方法，所述的聚合物包括含可交联官能团的聚亚烷基二醇或聚氧化烯的链段。
对上面所述的含聚亚烷基二醇或聚氧化烯链段的可交联官能团的聚合物具有的可交联官能团不特别限定，包括例如水解甲硅烷基、异氰酸酯基、环氧基、氧杂环丁烷基、酸酐基、羧基、羟基和可聚合不饱和烃基。首先，优选的是选自水解甲硅烷基、异氰酸酯基、环氧基、氧杂环丁烷基、酸酐基、羧基、羟基和可聚合不饱和烃基中的至少一种；更优选的是选自水解甲硅烷基、环氧基和氧杂环丁烷基中的至少一种；再更优选的是水解甲硅烷基。这些可交联官能团的一种或多种不同类型可以在聚合物中，单独或组合地。
包含含水解甲硅烷基的聚亚烷基二醇或聚氧化烯链段的聚合物的一些类型可以商购。例如，它们是Kanegafuchi Chemical Industry的商品名：MS聚合物系列：MS-Polymer-S-203、S-303、S-903；Silyl聚合物系列：SilylSAT-200、MA-403、MA-447；Epion系列：EP103S、EP303S、EP505S；和Asahi Glass的Exsester ESS-2410、ESS-2420、ESS-3630。
包含含异氰酸酯的聚亚烷基二醇或聚氧化烯链段的聚合物可以通过例如如下得到：二异氰酸酯例如1，6-环己基二异氰酸酯、TDI或MDI与聚丙二醇在异氰酸酯的摩尔量大于羟基的摩尔量这样的条件下氨基甲酸酯化(urethanation)。
包含含环氧基的聚亚烷基二醇或聚氧化烯链段的聚合物的一些类型可以商购。例如，它们是Kyoeisha Chemical的Epolite系列。
可聚合不饱烃基包括(甲基)丙烯酰基和苯乙烯基。
包含含可聚合不饱和基(例如(甲基)丙烯酰、苯乙烯基)的聚亚烷基二醇或聚氧化烯链段的聚合物包括例如：α，ω-二(甲基)丙烯酰氧基聚丙二醇、α，ω-二(甲基)丙烯酰氧基聚乙二醇、α-(甲基)丙烯酰氧基聚丙二醇、α-(甲基)丙烯酰氧基聚乙二醇。这些中的许多可以商购，例如，Nippon Yushi的Blemer系列，Shin-Nakamura Chemical的NK Ester M系列，Shin-NakamuraChemical的NK Ester AMP系列，Shin-Nakamura Chemical的NK Ester BPE系列，Shin-Nakamura Chemical的NK Ester A系列，Shin-Nakamura Chemical的NK Ester APG系列，Toa Gosei的Aronix M-240，Toa Gosei的Aronix M-245，Toa Gosei的Aronix M-260，Toa Gosei的Aronix M-270，Daiichi KogyoSeiyaku的PE系列，Daiichi Kogyo Seiyaku的BPE系列，Daiichi KogyoSeiyaku的BPP系列，Kyoeisha Chemical的Lite Ester 4EG，Kyoeisha Chemical的Lite Ester 9EG，Kyoeisha Chemical的Lite Ester 14EG，Kyoeisha Chemical的Lite Acrylate MTG-A，Kyoeisha Chemical的Lite Acrylate DPM-A，Kyoeisha Chemical的Lite Acrylate P-200A，Kyoeisha Chemical的LiteAcrylate 9EG，Kyoeisha Chemical的Lite Acrylate BP-EPA.
用于化学交联中使用的交联剂描述如下。
不特别限定，在化学交联中使用的交联剂可以是具有交联聚合物的可交联官能团的能力的任何一种。例如，它是这样一种类型：可以与上面所述的含聚亚烷基二醇或聚氧化烯链段的聚合物的可聚合官能团反应，其本身可以进入交联产物的结构之中(以下称为交联剂(1))；或这样一种类型：可以作为用于含聚亚烷基二醇或聚氧化烯链段的聚合物具有的可交联官能团反应的催化剂(以下称为交联剂(2))。其中也可以使用同时具有交联剂(1)功能和交联剂(2)功能的另一种类型，这称为交联剂(3)。
不特别限定但是具体而言，交联剂(1)包括下列：
交联剂能够交联包含含氧杂环丁烷基的聚亚烷基二醇或聚氧化烯链段的聚合物。例如，这包括光阳离子引发剂和热阳离子引发剂，所述的光阳离子引发剂通过暴露于UV射线或可见光而产生酸。
交联剂能够交联包含含氧杂环丁烷基的聚亚烷基二醇或聚氧化烯链段的聚合物。例如，这包括含有多个活性氢的化合物，例如含有多个羟基的化合物或含有多个氨基的化合物。含有多个羟基的化合物是例如1，2-亚乙基二醇、丁二醇、丙三醇、新戊二醇、1，6-己二醇、1，4-环己烷二甲醇、季戊四醇、聚酯-多羟基化合物。含有多个氨基的化合物是例如六亚甲基二胺、四亚甲基二胺、α，ω-二氨基丙二醇。
也不特别限定交联剂(2)，具体包括下列：
可交联上面所述的水解甲硅烷基的交联剂包括例如：具有下式(2)官能团的光反应催化剂，可以通过暴露于UV射线或可见光产生酸的光阳离子引发剂，有机金属化合物，胺化合物、酸式磷酸盐、四烷基铵卤化物(卤化物包括氟化物、氯化物、溴化物、碘化物)、含羧基的有机酸，和无机酸例如盐酸、硫酸或硝酸。首先，优选的是具有下式(2)官能团的光反应催化剂：
其中，m表示2至5的整数；Y(m)表示元素周期表第IVB、VB或VIB族的原子；Z表示羟基、烃基、巯基、氨基、卤素基团、烷氧基、烷硫基、羰基氧基或桥氧基。
具有式(2)官能团的光反应催化剂可以具有两个或多个不同类型的式(2)官能团。
根据Y(m)原子价数，式(2)官能团包括例如：衍生自具有与Y(m)原子连接的两个羧基并且适宜地具有Z的烃基或氧化物基团的化合物的那些，Y(m)原子选自例如氧、硫、氮、磷和碳。
烃基包括例如：脂族烃基、不饱和脂族烃基和芳族烃基。这些烃基在不妨碍本发明目的的条件下可以具有取代基，例如氨基、羟基、醚基、环氧基、可聚合不饱和基、氨基甲酸乙酯基、脲基、酰氨基和酯基。根据情况，这里可以组合使用不同类型的烃基。
具有式(2)官能团的光反应催化剂可以是环状化合物。环状化合物是例如在其环状链中具有一种或多种不同类型的式(2)官能团的化合物。此外，在此还可以使用：通过多个相同或不同环状化合物相互与适宜的有机基团连接而构成的化合物；和包含至少一种或多种如上所述的相同或不同环状化合物的单元的双环化合物。
具有式(2)官能团的光反应催化剂，其中Y(m)的原子是氧原子，包括：例如乙酸酐、丙酸酐、丁酸酐、异丁酸酐、戊酸酐、2-甲基丁酸、三甲基乙酸酐、己酸酐、庚酸酐、癸酸酐、月桂酸酐、肉豆蔻酸酐、棕榈酸酐、硬脂酸酐、山萮酸酐、巴豆酸酐、丙烯酸酐、甲基丙烯酸酐、油酸酐、亚麻酸酐、氯乙酸酐、碘乙酸酐、二氯乙酸酐、三氟乙酸酐、氯二氟乙酸酐、三氯乙酸酐、五氟丙酸酐、七氟丁酸酐、琥珀酸酐、甲基琥珀酸酐、2，2-二甲基琥珀酸酐、异丁基琥珀酸酐、1，2-环己烷二羧酸酐、六氢-4-甲基邻苯二甲酸酐、衣康酸酐、1，2，3，6-四氢邻苯二甲酸酐、3，4，5，6-四氢邻苯二甲酸酐、马来酸酐、2-甲基马来酸酐、2，3-二甲基马来酸酐、1-环戊烯-1，2-二羧酸酐、戊二酸酐、1-萘基乙酸酐、苯甲酸酐、苯基琥珀酸酐、苯基马来酸酐、2，3-二丁基马来酸酐、邻苯二甲酸酐、4-甲基邻苯二甲酸酐、3，3’，4，4’-二苯甲酮四羧酸二酐、4，4’-(六氟亚丙基)二邻苯二甲酸酐、1，2，4，5-苯四甲酸酐、1，8-萘二甲酸酐、1，4，5，8-萘四甲酸酐；马来酸酐和含自由基可聚合双键的化合物的共聚物，例如，马来酸酐和(甲基)丙烯酸酯的共聚物、马来酸酐和苯乙烯的共聚物和马来酸酐和乙烯基醚的共聚物。这些中的一些可以商购，例如Asahi Denka的Adeka Hardener EH-700，AdekaHardener EH-703，Adeka Hardener EH-705A；Shin-Nippon Rika的RikacidTH，Rikacid HT-1，Rikacid HH，Rikacid MH-700，Rikacid MH-700H，RikacidMH-700H，Ricacid MH，Ricacid SH，Rikaresin TMEG；Hitachi Kasei的HN-5000，HN-200；Yuka Shell Epoxy的Epicure 134A，Epicure YH306，Epicure YH307，Epicure YH308H；Sumitomo Chemical的Sumicure MS。
具有式(2)官能团的光反应催化剂，其中Y(m)的原子是氮原子，包括例如：琥珀酰亚胺、N-甲基琥珀酰亚胺、α，α-二甲基-β-甲基琥珀酰亚胺、α-甲基-α-丙基琥珀酰亚胺、马来酰亚胺、N-甲基马来酰亚胺、N-乙基马来酰亚胺、N-丙基马来酰亚胺、N-叔-丁基马来酰亚胺、N-月桂基马来酰亚胺、N-环己基马来酰亚胺、N-苯基马来酰亚胺、N-(2-氯苯基)马来酰亚胺、N-苄基马来酰亚胺、N-(1-芘基)马来酰亚胺、3-甲基-N-苯基马来酰亚胺、N，N7-1，2-亚苯基二马来酰亚胺、N，N’-1，3-亚苯基二马来酰亚胺、N，N’-1，4-亚苯基二马来酰亚胺、N，N’-(4-甲基-1，3-亚苯基)二马来酰亚胺、1，1’-(亚甲基-1，4-亚苯基)马来酰亚胺、苯邻二甲酰亚胺、N-甲基苯邻二甲酰亚胺、N-乙基苯邻二甲酰亚胺、N-丙基苯邻二甲酰亚胺、N-苯基苯邻二甲酰亚胺、N-苄基苯邻二甲酰亚胺、1，2，4，5-苯四甲酸二酰亚胺。
具有式(2)官能团的光反应催化剂，其中Y(m)原子是磷原子，包括例如：二(2，6-二甲氧基苯甲酰)-2，4，4-三甲基-戊基氧化膦、二(2，4，6-三甲基苯甲酰苯基氧化膦。
具有式(2)官能团的光反应催化剂，其中Y(m)原子是碳原子，包括例如：二酮类例如2，4-戊二酮、3-甲基-2，4-戊二酮、3-乙基-2，4-戊二酮、3-氯-2，4-戊二酮、1，1，1-三氟-2，4-戊二酮、1，1，1，5，5，5-六氟-2，4-戊二酮、2，2，6，6-四甲基-3，5-庚二酮、1-苯甲酰丙酮、二苯甲酰甲烷；多羧酸酯类例如丙二酸二甲酯、丙二酸二乙酯、甲基丙二酸二甲酯、1，1，2，2-乙烷四甲酸四乙酯；和α-羰基-乙酸酯例如甲基乙酰丙酮化物、乙基乙酰丙酮化物、丙酰乙酸甲酯。
在具有式(2)官能团的光反应催化剂中，特别优选的是二酰基氧化膦和它们的衍生物，因为它们在衰变后保留的残余物相当少。
相对于100重量份包含含水解甲硅烷基的聚亚烷基二醇或聚氧化烯链段的聚合物，可以在本发明的材料中的含有式(2)官能团的光反应催化剂的量优选为0.01重量份至作为最高限的30重量份。如果它少于0.01重量份，那么催化剂不能显示光反应性；但是如果它多于30重量份，那么包含具有含水解甲硅烷基的聚亚烷基二醇或聚氧化烯链段的聚合物的组合物的透光率可以降低，且如果这样，即使当组合物曝光，只有其表面部分可以交联和固化，但是其深度不能交联和固化。更优选的是，含量的最低限为0.1重量份；及其最高限为20重量份。
有机金属化合物包括例如新化合物例如：二月桂酸二丁锡、氧化二丁锡、二乙酸二丁锡、邻苯二甲酸二丁锡、氧化二(月桂酸二丁锡)、二乙酰丙酮化二丁锡、二(单酯马来酸酯)二丁锡、辛酸锡、辛酸二丁锡、氧化二辛锡；和烷氧基钛酸酯例如四-正-丁氧基钛酸酯、四异丙氧基钛酸酯。
用于交联包含上面所述的含可聚合不饱和基团的聚亚烷基二醇或聚氧化烯链段的聚合物的交联剂包括例如：热自由基引发剂例如过氧化物、偶氮化合物；通过曝光于UV射线或可见光产生作用的光自由基引发剂；和包含热或光自由基引发剂和含多个巯基的化合物的组合引发剂系统。
热自由基引发剂包括例如：氢过氧化物例如过氧化氢二异丙基苯、1，1，3，3-四甲基丁基过氧化氢、枯烯过氧化氢、叔-己基过氧化氢、叔-丁基过氧化氢；二烷基氢过氧化物例如α，α’-二(叔-丁基过氧化-间-异丙基)苯、过氧化二枯基、2，5-二甲基-2，5-二(叔-丁基过氧化)己烷、过氧化叔-丁基枯基、过氧化二-叔-丁基、2，5-二甲基-2，5-二(叔-丁基过氧化)己炔-3；有机过氧化物例如过氧化酮类、过氧酮缩醇类、过氧化二酰基类、过氧化二碳酸盐类、过氧化酯类；和偶氮化合物例如2，2’-偶氮二异丁腈、1，1’-(环己烷-1-腈)、2，2’-偶氮二(2-环丙基丙腈)、2，2’-偶氮二(2，4-二甲基戊腈)。
光自由基引发剂包括例如：苯乙酮衍生物化合物例如4-(2-羟乙氧基)苯基(2-羟基-2-丙基)酮、α-羟基-α，α’-二甲基苯乙酮、甲氧基苯乙酮、2，2-二甲氧基-2-苯基苯乙酮；苯偶姻醚化合物例如苯偶姻乙醚、苯偶姻丙醚；酮缩醇衍生物化合物例如苄基二甲基酮缩醇；卤代酮类；酰基氧化膦；酰基磷酸盐；2-甲基-1-[4-(甲硫基)苯基]-2-吗啉代丙-1-酮、2-苄基-2-N，N-二甲基氨基-1-(4-吗啉代(morphoino)苯基)-1-丁酮；二(2，4，6-三甲基苯甲酰)苯基氧化膦、二(2，6-二甲氧基苯甲酰)-2，4，4-三甲基苯基氧化膦；二(η5-环戊二烯基)-二(五氟苯基)-钛、二(η5-环戊二烯基)-二[2，6-二氟-3-(1H-吡啶-1-基)苯基]-钛；蒽、苝、蔻、并四苯、苯并蒽、吩噻嗪、黄素、吖啶、酮基香豆素(ketocoumarin)、噻吨酮衍生物、二苯甲酮、苯乙酮、2-氯噻吨酮、2，4-二甲基噻吨酮、2，4-二乙基噻吨酮、2，4-二异丙基噻吨酮、异丙基噻吨酮。在此可以单独或组合地使用这些中的一种或多种。
交联含上面所述的环氧基的聚亚烷基二醇或聚氧化烯链段的聚合物的交联剂包括例如：可通过曝光于UV射线或可见光而生成酸的光阳离子引发剂，热阳离子引发剂，胺化合物型固化剂，酰胺型型固化剂，酸酐型固化剂，巯基型固化剂、潜热固化剂例如酮亚胺或DICY，和含氨基甲酰氧基亚氨基的光胺生成剂等。
光阳离子催化剂包括例如：铁-芳烃络合物化合物、芳族重氮盐、芳族碘鎓盐、芳族锍盐、吡啶盐、铝络合物/硅烷醇盐、三氯甲基三嗪衍生物。这些当中，鎓盐和吡啶盐的相反阴离子，例如SbF6-、PF6-、AsF6-、BF4-、四(五氟)硼酸根离子、三氟甲磺酸根离子、甲磺酸根离子、三氟乙酸根离子、乙酸根离子、磺酸根离子、甲苯磺酸根离子、硝酸根离子。这些光催化剂中的一些是可以商购的，例如，Irgacure 261(由Ciba-Geigy制备)、Optomer SP-150(由Asahi Denka Kogyo制备)、Optomer SP-151(由AsahiDenka Kogyo制备)、Optomer SP-170(由Asahi Denka Kogyo制备)、OptomerSP-171(由Asahi Denka Kogyo制备)、UVE-1014(由General Electronics制备)、CD-1012(由Sartomer制备)、Sunaid SI-60L(由Sanshin ChemicalIndustry制备)、Sunaid SI-80L(由Sanshin Chemical Industry制备)、SunaidSI-100L(由Sanshin Chemical Industry制备)、CI-2064(由Nippon Soda制备)、CI-2639(由Nippon Soda制备)、CI-2624(由Nippon Soda制备)、CI-2481(由Nippon Soda制备)、RHODORSIL PHOTOINITIATOR 2074(由Rhone-Poulenc制备)、UVI-6990(由Union Carbide制备)、BBI-103(由MidoriChemical制备)、MPI-103(由Midori Chemical制备)、TPs-103(由MidoriChemical制备)、MDS-103(由Midori Chemical制备)、DTS-103(由MidoriChemical制备)、NAT-103(由Midori Chemical制备)、NDS-103(由MidoriChemical制备)。在此可以单独或组合使用一种或多种这些光阳离子催化剂。
热阳离子固化剂包括例如：各自含有至少一个烷基的铵盐、锍盐、碘鎓盐和重氮盐，以及三氟化硼/三乙胺络合物。这些盐的相反阴离子包括例如阴离子如SbF6-、PF6-、AsF6-、BF4、-四(五氟)硼酸根离子、三氟甲磺酸根离子、甲磺酸根离子、三氟乙酸根离子、乙酸根离子、磺酸根离子、甲苯磺酸根离子、硝酸根离子。
光胺生成剂包括例如：含氨基甲酰氧亚氨基的化合物、钴-胺络合物、氨基甲酸(邻-硝基苄)酯、邻-酰基肟。
交联剂(3)不特别限制，且例如是α，ω-二氨基聚氧丙烯。
本发明热衰变材料，其包含可交联聚氧化烯树脂，因此具有热衰变薄片的形式，可以包含含官能团的化合物，所述的化合物衍生自与用于具有含可交联官能团的聚亚烷基二醇或聚氧化烯链段的聚合物一样的反应中间体，作为可共聚或共交联的组分，只要不妨碍本发明目的即可。它还可以包含含可交联或可聚合官能团的化合物，所述的化合物衍生自与用于具有含可交联官能团的聚亚烷基二醇或聚氧化烯链段的聚合物不一样的反应中间体，作为可共聚或共交联的组分。此外，它可以包含具有这两种官能团的化合物。
可共聚或共交联的组分包括例如：含自由基可聚合不饱和基团的化合物。含自由基可聚合不饱和基团的化合物是例如：含苯乙烯基的化合物，如苯乙烯、茚、α-甲基苯乙烯、对-甲基苯乙烯、对-氯苯乙烯、对-氯甲基苯乙烯、对-甲氧基苯乙烯、对-叔-丁氧基苯乙烯、二乙烯基苯；和含(甲基)丙烯酰基的化合物，如(甲基)丙烯酸甲酯、(甲基)丙烯酸乙酯、(甲基)丙烯酸丙酯、(甲基)丙烯酸正-丁酯、(甲基)丙烯酸叔-丁酯、(甲基)丙烯酸环己酯、(甲基)丙烯酸(2-乙基己)酯、(甲基)丙烯酸正-辛酯、(甲基)丙烯酸异辛酯、(甲基)丙烯酸异壬酯、(甲基)丙烯酸异肉豆蔻基酯、(甲基)丙烯酸十八烷基酯、(甲基)丙烯酸异龙脑酯、(甲基)丙烯酸苄酯、(甲基)丙烯酸(2-丁氧基乙)酯、(甲基)丙烯酸(2-苯氧基乙)酯、(甲基)丙烯酸缩水甘油酯、(甲基)丙烯酸四氢糠酯、己二醇二(甲基)丙烯酸酯、乙二醇二(甲基)丙烯酸酯、聚乙二醇二(甲基)丙烯酸酯、丙二醇二(甲基)丙烯酸酯、聚丙二醇二(甲基)丙烯酸酯、新戊二醇二(甲基)丙烯酸酯、三羟甲基丙烷三(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇二(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇三(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇四(甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇六(甲基)丙烯酸酯、环氧丙烯酸酯、聚酯丙烯酸酯、氨基甲酸乙酯丙烯酸酯、(甲基)丙烯酸(2-羟乙)酯、(甲基)丙烯酸(3-羟丙)酯、(甲基)丙烯酸(2-羟丙)酯、(甲基)丙烯酸(4-羟丁)酯、(甲基)丙烯酸(2-羟丁)酯、(甲基)丙烯酸(5-羟戊)酯、(甲基)丙烯酸(6-羟己)酯、(甲基)丙烯酸(3-羟基-3-甲基丁)酯、(甲基)丙烯酸(2-羟基-3-苯氧基丙)酯、季戊四醇三(甲基)丙烯酸酯、2-羟乙基邻苯二甲酸{2-[(甲基)丙烯酰氧基]乙}酯、2-羟丙基邻苯二甲酸{2-[(甲基)丙烯酰氧基]乙}酯、下式(3)的化合物、下式(4)的化合物。
可共聚合或可共交联的组分还包括例如：含环氧基团的化合物。这种含环氧基团的化合物是例如：双酚A-型环氧树脂、氢化的双酚A-型环氧树脂、双酚F-型环氧树脂、线型酚醛清漆-型环氧树脂、甲酚型环氧树脂、脂环环氧树脂、溴环氧树脂、改性橡胶的环氧树脂、氨基甲酸乙酯改性的环氧树脂、缩水甘油酯型化合物、环氧化的聚丁二烯、环氧化的SBS(SBS是指聚(苯乙烯-共-丁二烯-共-苯乙烯)共聚物)。
可共聚合或可共交联的组分还包括例如：含异氰酸酯基的化合物。这种含异氰酸酯基的化合物是例如：苯二亚甲基二异氰酸酯、甲苯二异氰酸酯、异佛乐酮二异氰酸酯、亚萘基二异氰酸酯、1，6-己二异氰酸酯、甲苯二异氰酸酯。
本发明热衰变材料，其包含可交联的聚氧化烯树脂，因此具有热衰变薄片的形式，可以是没有衬底的非支持型，或可以是支持型，其包含含聚亚烷基二醇或聚氧化烯链段的聚合物的层，所述的层形成在经过润滑处理或不经过润滑的衬底的一个或两个表面上。
本发明热衰变材料，其包含未交联的或交联的聚氧化烯树脂，因此具有热衰变薄片的形式，可以受到控制以具有大范围性质，为粘性或非粘性的。例如，如果聚丙二醇是材料的主要组分，那么材料可以是高粘性的；但是如果材料中的固体聚乙二醇或聚丁二醇的含量高，那么材料的粘附性可能降低。此外，可以根据材料中的交联树脂的程度来控制材料的粘附性。
本发明制备具有热衰变薄片形式的热衰变材料的方法不特别限制。该材料可以用任何已知的方法例如溶剂浇铸、挤压涂布、压延或涂层中的UV聚合来形成。
当根据溶剂浇铸方法制备本发明具有热衰变薄片形式的热衰变材料时，例如，将原料树脂和任选的添加剂例如交联剂和填料溶解或分散在溶剂中，向润滑处理过的薄膜上浇铸得到的溶液，且通过干燥去除溶剂。
当根据热熔体涂布方法制备本发明具有热衰变薄片形式的热衰变材料时，例如，将原料树脂和任选的添加剂例如交联剂和填料在加热下混和和分散，然后通过T-模头以热熔体涂布的方式涂布在衬底上。
当根据涂层中的UV聚合方法制备本发明具有热衰变薄片形式的热衰变材料时，例如，将通过混和含有可光致交联官能团的原料树脂、引发剂或根据可交联官能团选择的交联剂，和任选的各种添加剂例如填料而制备的组合物涂布到衬底上，同时曝光于可以活化所述光引发剂的光。
用于光照射的灯包括例如：低压汞灯、中压汞灯、高压汞灯、超高压汞灯、化学灯、黑光灯、微波激发的汞灯、金属卤化物灯。在这种情况下，如果来自灯的光包括对使用的光阳离子聚合引发剂敏感的波长范围的光，那么该波长范围的光可以在光照射前通过适宜的过滤器截止。
当根据涂层中的UV聚合方法制备本发明具有热衰变薄片形式的热衰变材料时，可以预先将敏化剂加入到开始的组合物中。所述的敏化剂包括例如：蒽衍生物、噻吨酮衍生物。
当根据热聚合方法制备本发明具有热衰变薄片形式的热衰变材料时，例如，通过混和含可热交联官能团的原料树脂、引发剂或根据可交联官能团选择的交联剂和任选的各种添加剂例如填料而制备的组合物涂布到衬底上，同时将其加热以聚合或交联树脂。这种情况下的加热方法包括例如：电热板、热压机、干燥炉、热风器、IR加热器、电介质加热器、感应加热器、超声波加热器。如果被交联的树脂根据它们的目的具有多种不同的可交联官能团，那么对于树脂，可以组合多种制备方法。
本发明热衰变材料可以在室温下具有糊料形态，它可以通过曝光致交联成为固化产品(这以下称为糊料型热衰变材料)。下面描述这种类型的材料。
本发明的糊料型热衰变材料包包含含可交联官能团的聚亚烷基二醇或聚氧化烯链段的种聚合物和交联剂，且它的粘度在20℃时为1至5,000,000mPa·s。
在本发明糊料型热衰变材料中的包含聚亚烷基二醇或聚氧化烯链段的聚合物，该聚合物具有的可交联官能团和交联剂可以与这里上面所述的那些相同。
但是，为了本发明的糊料型热衰变材料可以在室温下保持其糊料形态，例如，为了它的粘度在20℃时可以为1至5,000,000mPa·s，包含含可交联官能团的聚亚烷基二醇或聚氧化烯链段的含可交联官能团的聚合物的数均分子量优选为至多5000。
如果本发明的糊料型热衰变材料包含至多30质量％的含可聚合不饱和基团的化合物，那么可以提高它的可固化性。
对含可聚合不饱和基团的化合物的可聚合不饱和基团不特别限制，包括例如：苯乙烯基、丙烯酰基、甲基丙烯酰基、乙烯基酯基、乙烯基氧基。
虽然不特别限制，含苯乙烯基的化合物包括例如：苯乙烯、茚、α-甲基苯乙烯、对-甲基苯乙烯、对-氯苯乙烯、对-氯甲基苯乙烯、对-甲氧基苯乙烯、对-叔-丁氧基苯乙烯、二乙烯基苯。
含丙烯酰基或甲基丙烯酰基的化合物包括例如：(甲基)丙烯酸甲酯、(甲基)丙烯酸乙酯、(甲基)丙烯酸丙酯、(甲基)丙烯酸正-丁酯、(甲基)丙烯酸叔-丁酯、(甲基)丙烯酸环己酯、(甲基)丙烯酸(2-乙基己)酯、(甲基)丙烯酸正-辛酯、(甲基)丙烯酸异辛酯、(甲基)丙烯酸异壬酯、(甲基)丙烯酸异肉豆蔻基酯、(甲基)丙烯酸十八烷基酯、(甲基)丙烯酸异龙脑酯、(甲基)丙烯酸苄酯、(甲基)丙烯酸(2-丁氧基乙)酯、(甲基)丙烯酸(2-苯氧基乙)酯、(甲基)丙烯酸缩水甘油酯、(甲基)丙烯酸四氢糠酯、己二醇二(甲基)丙烯酸酯、乙二醇二(甲基)丙烯酸酯、聚乙二醇二(甲基)丙烯酸酯、丙二醇二(甲基)丙烯酸酯、聚丙二醇二(甲基)丙烯酸酯、新戊二醇二(甲基)丙烯酸酯、三羟甲基丙烷三(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇二(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇三(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇四(甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇六(甲基)丙烯酸酯、环氧丙烯酸酯、聚酯丙烯酸酯、氨基甲酸乙酯丙烯酸酯、(甲基)丙烯酸(2-羟乙)酯、(甲基)丙烯酸(3-羟丙)酯、(甲基)丙烯酸(2-羟丙)酯、(甲基)丙烯酸(4-羟丁)酯、(甲基)丙烯酸(2-羟丁)酯、(甲基)丙烯酸(5-羟戊)酯、(甲基)丙烯酸(6-羟己)酯、(甲基)丙烯酸(3-羟基-3-甲基丁)酯、(甲基)丙烯酸(2-羟基-3-苯氧基丙)酯、季戊四醇三(甲基)丙烯酸酯、2-羟乙基邻苯二甲酸{2-[(甲基)丙烯酰氧基]乙}酯、2-羟丙基邻苯二甲酸{2-[(甲基)丙烯酰氧基]乙}酯。
含乙烯基酯基的化合物包括例如：乙酸乙烯酯、丙酸乙烯酯、丁酸乙烯酯、己酸乙烯酯、苯甲酸乙烯酯、肉桂酸乙烯酯。
含乙烯基氧基的化合物包括例如：正-丙基乙烯基醚、正-丁基乙烯基醚、异丁基乙烯基醚、叔-丁基乙烯基醚、叔-戊基乙烯基醚、环己基乙烯基醚、2-乙基己基乙烯基醚、十二烷基乙烯基醚、十八烷基乙烯基醚、2-氯乙基乙烯基醚、乙二醇丁基乙烯基醚、三甘醇甲基乙烯基醚、苯甲酸(4-乙烯基氧基)丁酯、乙二醇二乙烯基醚、二甘醇二乙烯基醚、三甘醇二乙烯基醚、四甘醇二乙烯基醚、丁-1，4-二醇二乙烯基醚、己-1，6-二醇二乙烯基醚、环己-1，4-二甲醇二乙烯基醚、间苯二甲酸二(4-乙烯基氧基)丁酯、戊二酸二(4-乙烯基氧基)丁酯、琥珀酸二(4-乙烯基氧基)丁酯、三羟甲基丙烷三乙烯基醚、2-羟乙基乙烯基醚、4-羟丁基乙烯基醚、6-羟己基乙烯基醚、环己-1，4-二甲醇一乙烯基醚、二甘醇一乙烯基醚、3-氨基丙基乙烯基醚、2-(N，N-二乙基氨基)乙基乙烯基醚、氨基甲酸乙酯乙烯基醚、聚酯乙烯基醚。
不特别限制，本发明的糊料型热衰变材料的粘度在20℃可以为1至5,000,000mPa·s，但是可以适宜根据材料的用途、目的和使用条件而选择和决定。
例如，如果本发明的糊料型热衰变材料根据旋涂方法、上拉涂布方法或浸渍方法在需要的区域内均匀形成，那么优选该材料的粘度在20℃时可以为1至100mPa·s。
如果本发明的糊料型热衰变材料根据刷涂方法在需要的区域内形成，那么优选该材料的粘度在20℃时可以为500至100,000mPa·s。
如果本发明的糊料型热衰变材料是根据丝网涂布方法形成以具有需要的图案，那么优选该材料的粘度在20℃时可以为20至1,000mPa·s。
当本发明的糊料型热衰变材料在室温下保持它的糊料状况时，粘度在20℃时可以为10至5,000,000mPa·s，但是如果它接受交联能量，那么它交联和固化成为交联和固化的产品。
为了交联和固化本发明的糊料型热衰变材料，可采用的是通过加热的热交联方式或通过光的光致交联方式。
但是，在热交联中，如果过度加热，本发明的糊料型热衰变材料中的聚氧化烯树脂可以分解和损失，因此对此必须引起某些注意。因为这些原因，对于交联和固化本发明的糊料型热衰变材料，优选光致交联。
当光致交联和固化本发明的糊料型热衰变材料时，采用的是将热衰变材料曝光于可以激活交联反应的光的方法。
用于光照射的灯包括例如，低压汞灯、中压汞灯、高压汞灯、超高压汞灯、化学灯、黑光灯、微波激发的汞灯、金属卤化物灯。在这种情况下，如果来自灯的光包括对使用的光阳离子聚合引发剂敏感的波长范围的光，那么该波长范围的光可以在光照射前通过适宜的过滤器截止。
当光致交联和固化本发明的糊料型热衰变材料时，可以向热衰变材料中加入敏化剂。敏化剂包括例如：蒽衍生物和噻吨酮衍生物。
当热交联和固化本发明的糊料型热衰变材料时，可采用的是用于加热热衰变材料的方法和设备。在这种情况下的方法和设备包括例如：电热板、热压机、干燥炉、热风器、IR加热器、电介质加热器、感应加热器、超声波加热器。
在本发明的糊料型热衰变材料中，包含含可交联基团的聚亚烷基二醇或聚氧化烯链段的含可交联基团的聚合物可以用交联剂部分交联，以便得到的材料可以具有微-凝胶形态。
通过交联本发明的糊料型热衰变材料得到的固化产品在不超过100℃温度下保持其固化产品形式，但是如果在150至350℃的预定温度加热，那么至少95重量％的固化产品在10分钟内衰变。
本发明热衰变材料可以包含液体树脂。通过包含液体树脂，可以降低本发明热衰变材料的衰变起始温度，且该材料可以在150℃或更高的温度下迅速衰变。不特别限定，考虑到热衰变薄片的形状的维持性及其衰变温度，液体树脂可以是任何沸点不低于100℃的化合物。例如，它包括聚乙二醇低聚物、聚丙烯低聚物、聚丁二醇低聚物、邻苯二甲酸二辛酯、邻苯二甲酸二丁酯、丙三醇单油酸酯。
本发明热衰变材料可以包含填料例如氧化钛、氧化铝、胶体碳酸钙、重碳酸钙、碳酸钡、碳酸镁、二氧化硅、表面处理过的二氧化硅、硅酸钙、无水硅、含水硅、云母、表面处理过的云母、滑石、粘土、表面处理过的滑石、氮化硼、氧化铝氮化物、氮化碳、碳黑、白炭墨、短玻璃纤维、玻璃珠、玻璃球、shirasu球、丙烯酸酯类珠、聚乙烯珠。通过包含它，薄片或固化产品的内聚力提高。但是，因为它不可避免地产生无机残余物，它的含量必须是所需的最低量。
此外，本发明热衰变材料可以包含硅烷偶联剂。
硅烷偶联剂包括例如：乙烯基三甲氧基硅烷、二甲基二甲氧基硅烷、甲基三甲氧基硅烷、甲基三乙氧基硅烷、四甲氧基硅烷、四乙氧基硅烷、苯基三甲氧基硅烷、二苯基二甲氧基硅烷、3-氨基丙基三甲氧基硅烷、3-氨基丙基甲基二甲氧基硅烷、3-氨基丙基三乙氧基硅烷、N-(2-氨基乙基)-3-氨基丙基三甲氧基硅烷、N-(2-氨基乙基)-3-氨基丙基三乙氧基硅烷、N，N’-二-[3-(三甲氧基甲硅烷基)丙基]乙二胺、N，N’-二[3-(三乙氧基甲硅烷基)丙基]乙二胺、N，N’-二-[3-(三甲氧基甲硅烷基)丙基]六乙二胺、N，N’-二-[3-(三乙氧基甲硅烷基)丙基]六乙二胺。
本发明热衰变材料可以包含钛偶联剂。
钛偶联剂包括例如：三异硬脂酰基钛酸异丙酯、正-十二烷基苯磺酰基钛酸异丙酯、三(二辛基焦磷酸酯)钛酸异丙酯、二(二辛基亚磷酸酯)钛酸四异丙酯、二(二(十三烷基)亚磷酸酯)钛酸四异丙酯、四(2，2-二烯丙氧基甲基-1-丁基)二(二-十三烷基)亚磷酸酯钛酸酯、二(二辛基焦磷酸酯)羟乙酸酯钛酸酯、二(二辛基焦磷酸酯)亚乙基钛酸酯、三(N-氨基乙基-氨基乙基)钛酸异丙酯。
为了提高材料的粘附性的目的，本发明热衰变材料可以包含粘附性改善树脂，例如松香、松香酯、不成比例的松香酯、氢化的松香酯、聚合的松香酯、萜烯树脂、萜-酚树脂、芳族改性萜烯树脂、C5/C9石油树脂、氢化的石油树脂、酚树脂、苯并二氢呋喃-茚树脂、酮树脂、二甲苯树脂。
此外，根据材料的用途和使用方式，本发明热衰变材料可以包含任何下列的物质：滴液抑制剂、抗氧化剂、抗老化剂、UV吸收剂、溶剂、芳香剂、颜料和染料。
对本发明热衰变材料和它的固化产品不特别限制，前提条件是在150至350℃的预定温度加热时，其至少95重量％可以在10分钟内衰变，但是可以适宜选择和制备它们，以便它们的衰变温度可以满足该材料的使用目的和使用方式。
例如，如果该材料可以在150至220℃的气氛中衰变，那么它可以用于临时固定及其它各种应用领域，因为它可以通过使用低温焊料，在光学部件的临时固定过程中或在封装半导体器件的过程中衰变。
如果该材料可以在220至280℃的气氛中衰变，那么它可以用于临时固定及其它各种应用领域，因为它可以通过使用无铅焊料，在封装半导体器件的过程中衰变。
如果该材料可以在280至350℃衰变的气氛中，那么它可以用于在铝布线上形成多孔薄膜并且可以用于各种应用领域。
本发明热衰变材料和它的固化产品在不超过100℃的温度下几乎不分解和保持它们的固体形式，但是可以在150至350℃的相对低温下迅速分解，以便其大部分固体部分衰变。因此，当加热时，材料可以容易地从它粘附的物体中去除，此外，物体受到很小的热影响。例如，可以将本发明热衰变材料用作临时固定剂，如用于玻璃纤维临时固定的粘合剂，且使用后，通过加热可以解除用它的临时固定；或它可以用作用于固定下列的粘合剂：固定玻璃层压材料、等离子显示器热传导薄片或壁纸的夹层薄膜，用于固定石结构体，和用于固定石膏板，且当循环利用时，仅通过加热而不损坏其结构的条件下恢复它；或它可以以下面的方式用于温度传感器中：将其安置接触点之间，或用它固定一个接触点，并且它在预定温度下衰变，以便关闭接触点；或它可以用作用于临时固定金属表面保护薄片、防锈覆盖层或抛光样品的固定糊料或固定薄片；或它可以用作用于加固半导体芯片或衬底的底层薄膜，且需要时，它可以通过加热去除；或它可以用于激光消融光刻胶，以形成光刻胶图案。
本发明热衰变材料的应用领域不受上面所述的那些的限制。例如，热衰变材料有利地用作加工物品中的掩模剂，用于防止物品的已处理部分的周围区域受到污染。这种掩模剂有利地用于覆盖将处理的区域的掩模材料，例如，在蚀刻通过激光处理的电子部件用的衬底或电子部件的芯片的过程中，或在透孔形成的过程中。
迄今为止，可再剥离的胶带用作这种掩模材料。但是，可再剥离的胶带的掩模材料在处理后必须剥离。与此相反，如果本发明热衰变材料用作掩模材料，那么它可以通过处理后的加热而容易地去除。此外，如果本发明热衰变材料被设计为透明的，即使涂布掩模材料以覆盖将被处理的部分时，也可以用激光等处理覆盖的结构体。因此，由于掩模材料可以涂布到包括将被处理的部分的区域及其周围区域，因而可以提高工作效率。此外，因为本发明热衰变材料可以在没有溶剂下浇铸，它可以容易地作为掩模材料而涂布到将被处理的物体表面。
在上面所述的本发明热衰变材料的应用领域中，特别重要的那些是上面所述的多孔薄膜、导电粒子转印薄片、用于电路形成的转印薄片和图案形成的转印薄片。下面详细描述这些。
[多孔薄膜]
描述通过使用本发明热衰变材料制备多孔薄膜的方法。
制备多孔材料的方法包含：
制备前体的步骤，所述的前体包含形成骨架的可交联材料(a)和本发明热衰变材料(b)，所述的热衰变材料(b)包含作为其主要组分的聚氧化烯；
在不低于热衰变材料(b)在加热下衰变的温度的温度下加热所述前体的步骤；
在加热之前和期间交联可交联的材料以形成骨架相的步骤，
其中在交联的材料中的热衰变材料(b)衰变，以产生具有由骨架相包围的大量孔隙的多孔材料。
(用于骨架形成的可交联材料(a))
为了形成多孔材料的基质，使用的是用于骨架形成的可交联材料。对用于骨架形成的可交联材料不特别限制，但是对于它，有利的是使用烷氧基硅烷。
烷氧基硅烷可以是通过无机硅烷化合物相的缩合而形成的烷氧基硅烷中的任何类型。所述类型的烷氧基硅烷的优选实例包括二甲氧基二甲基硅烷、环己基二甲氧基甲基硅烷、二乙基二甲基硅烷、二甲氧基甲基辛基硅烷、二乙氧基甲基乙烯基硅烷、氯甲基(二异丙氧基(diisoprooxy)甲基硅烷、二甲氧基甲基苯基硅烷、二乙氧基二苯基硅烷、三甲氧基硅烷、三乙氧基硅烷、甲基三甲氧基硅烷、三甲氧基丙基硅烷、异丁基三甲氧基硅烷、辛基三甲氧基硅烷、十八烷基三甲氧基硅烷、甲基三乙氧基硅烷、乙基三乙氧基硅烷、异丁基三乙氧基硅烷、辛基三乙氧基硅烷、乙烯基三甲氧基硅烷、乙烯基三乙氧基硅烷、烯丙基三乙氧基硅烷、(3-氯丙基)三甲氧基硅烷、氯甲基三乙氧基硅烷、三(2-甲氧基乙氧基)乙烯基硅烷、3-环氧丙氧基丙基三甲氧基硅烷、乙氧基(3-环氧丙氧基丙基)甲基硅烷、三甲氧基[2-(7-噁二环[4.1.0]-庚-3-基)乙基]硅烷、氯三甲氧基硅烷、氯三乙氧基硅烷、氯三(1，3-二甲基丁氧基)硅烷、二氯二乙氧基硅烷、3-(三乙氧基甲硅烷基)丙腈、4-(三乙氧基甲硅烷基)丁腈、3-(三乙氧基甲硅烷基)丙基异氰酸酯、3-(三乙氧基甲硅烷基)丙硫基异氰酸酯、苯基三甲氧基硅烷、苯基三乙氧基硅烷、四甲氧基硅烷、四乙氧基硅烷、四丙氧基硅烷、四丁氧基硅烷、六甲基环三硅氧烷、2，4，6，8-四甲基环四硅氧烷、辛基甲基环四硅氧烷、2，4，6，8-四甲基-2，4，6，8-四乙烯基环四硅氧烷、八苯基环四硅氧烷、N-(3-丙烯酰氧基-2-羟丙基)-3-氨基丙基三乙氧基硅烷、3-丙烯酰氧基丙基二甲基二甲氧基硅烷、3-丙烯酰氧基丙基甲基二甲氧基硅烷、3-丙烯酰氧基丙基三甲氧基硅烷、3-丙烯酰氧基丙基甲基二(三甲基甲硅烷氧基)硅烷、烯丙基三乙氧基硅烷、烯丙基三甲氧基硅烷、3-烯丙基氨基丙基三甲氧基硅烷、3-甲基丙烯酰氧基丙基二甲基三甲氧基硅烷、3-甲基丙烯酰氧基丙基二甲基乙氧基硅烷、3-甲基丙烯酰氧基丙基甲基二甲氧基硅烷、3-甲基丙烯酰氧基丙基甲基二乙氧基硅烷、3-甲基丙烯酰氧基丙基三甲氧基硅烷、3-甲基丙烯酰氧基丙烯基三甲氧基硅烷、乙烯基甲基二乙酰氧基硅烷、乙烯基三乙酰氧基硅烷、乙烯基二甲基甲氧基硅烷、乙烯基二甲基乙氧基硅烷、乙烯基甲基二乙氧基硅烷、乙烯基三甲氧基硅烷、乙烯基三乙氧基硅烷、乙烯基三异丙氧基硅烷、乙烯基三苯氧基硅烷、乙烯基二甲基异戊烯氧基硅烷、乙烯基二甲基-2-((2-乙氧基乙氧基)乙氧基)硅烷、乙烯基三(1-甲基乙烯基氧基)硅烷、乙烯基三(2-甲氧基乙氧基)硅烷、苯基乙烯基二乙氧基硅烷、二苯基乙烯基乙氧基硅烷、6-三乙氧基甲硅烷基-2-降冰片烯、辛-3-烯基三甲氧基硅烷、苯乙烯基乙基三甲氧基硅烷。在此可以单独或组合使用这些烷氧基硅烷中的一种或多种。
在加热步骤中烷氧基硅烷缩合，其将在下面描述，且形成无机硅烷化合物相，或也就是，SiO2相，以构成多孔材料的基质相。
烷氧基硅烷在室温下是液体，因此在下面所述的包含烷氧基硅烷和本发明热衰变材料(b)的前体中，热衰变材料可以均匀分散。
制备本发明热衰变材料(b)，分散或溶解在上面所述的形成骨架的可交联材料(a)，具体而言，液体烷氧基硅烷中。如果分散热衰变材料且如果控制其粒子尺寸，那么因此可以控制在加热下热衰变材料衰变后形成的孔隙尺寸。因此，理想的是热衰变材料的粒子尺寸均匀。为了降低多孔材料的介电常数，孔隙尺寸必须满意地大，例如优选为0.01μm至100μm左右。因此，热衰变材料的粒子尺寸优选为0.01μm至100μm左右。
在通过使用本发明热衰变材料制备多孔薄膜的方法中，相对于100重量份的形成骨架的可交联材料(a)，热衰变材料的比率优选为5至1000重量份。如果该比率低于5重量份，那么孔隙隙率太低和介电常数不能足够地低；但是，如果大于1000重量份，那么多孔材料的强度可以降低。
为了向形成骨架的可交联材料(a)中加入的热衰变材料，可以以任何适宜的方法混和形成骨架的可交联材料(a)和热衰变材料，因此可以容易均匀分散热衰变材料。
(加热)
在本发明中，以上面所述的方式得到包含在形成骨架的可交联材料(a)中分散的热衰变材料的前体，和在不低于加热下热衰变材料衰变的温度的温度下，加热前体。因此，如果形成骨架的可交联材料(a)是烷氧基硅烷，那么无机硅烷化合物相是通过烷氧基硅烷的缩合形成的，且在无机硅烷化合物相中的热衰变材料衰变以得到大量的孔隙。具体而言，由此以那种方式得到多孔材料。
加热可以在例如150至350℃的温度下进行。具体而言，可以通过在相对低温下加热形成孔隙。可以通过在此温度范围内在10分钟内加热形成孔隙，或就是说，多孔材料可以在相对短的时期内得到。
因此得到的多孔材料可以用于各种应用领域。具体而言，因为大量的均匀满意的大孔隙分散在材料中，且因为得到的多孔材料可以具有高机械强度，所以多孔材料可以有利地用作夹层绝缘薄膜、用作燃料电池中的电极或质子传导薄膜，且用作热绝缘体材料。具体而言，因为相对大的孔隙可以在其中均匀分散，所以多孔材料的多孔薄膜可以有利地用作电子结构体，如半导体器件或多层衬底。
[导电粒子转印薄片]
下面描述包含本发明热衰变材料的导电粒子转印薄片。
包含本发明热衰变材料的导电粒子转印薄片的特征在于：导电微粒粘附和安置在薄片型热衰变材料上。
下面描述包含本发明热衰变材料的导电粒子转印薄片的实施方案。
(导电粒子转印薄片的实施方案1)
参考附图2描述包含本发明热衰变材料的导电粒子转印薄片的实施方案1。图2包括通过使用上面所述的导电粒子转印薄片，形成用于BGA组件和将它们与主板连接的焊料球块，布线板的工艺流程的剖视图。在此，半导体芯片被安置在BGA组件上。
如图2(a)中所示，抗氧化剂层13是由在BGA组件11中形成的Cu布线层12上的Au箔等形成的，将熔剂14涂布到抗氧化剂层13上以覆盖它。接着，如图2(b)中所示，将导电粒子转印薄片17，其包含粘附到其表面的预定区域的热衰变粘合剂薄片15和焊料球16，层压在BGA组件11上，同时BGA组件11的Cu布线层12的位置与焊料球16的位置排成行。在此，热衰变粘合剂薄片15是由厚度为50μm左右的聚氧化烯树脂形成的。焊料球16是由Pb-Sn合金焊料或无Pb的焊料例如Sn-Cu、Sn-Ag或Sn-Zn焊料形成的，且它的直径为500μm左右。
在200至250℃的氮气气氛中，将其进行焊料回流热处理，因此焊料球16熔化熔合至Cu布线层12。如此，如图a2(c)中所示，焊料球块18形成在BGA组件11的Cu布线层12上。在热处理的同时，导电粒子转印薄片17的热衰变粘合剂薄片15被热解和汽化，因此完全衰变。在此，抗氧化剂层13中的Au原子熔化在焊料球块18中，因此形成半导体器件19，其中半导体芯片安置在BGA组件11上，所述的BGA组件在预定区域具有焊料球块18。通常，BGA组件包含多级布线板。
如图2(d)中所示，在布线衬底：母板110上的Cu的电极极板111熔化粘合在焊料球块18中，因此半导体器件19安置在母板110上。在这个实施例中，如果向热衰变粘合剂薄片15中加入低熔点有机酸，那么它起到清洁Cu布线层12表面的作用，因此不需要熔剂14。此外，根据制备条件，可以省略抗氧化剂层13。
如此，如果包含本发明热衰变材料的导电粒子转印薄片被用于形成BGA组件用的焊料球块，那么其上安置半导体芯片的半导体器件的生产能力极大地提高，可以容易制备高可靠性的半导体器件。
(导电粒子转印薄片的实施方案2)
参考图3和图4描述导电粒子转印薄片的实施方案2，实施方案1的修改。在这些附图中，由同样的参考数字表示与图2相同的部分。实施方案2和实施方案1的不同之处在于：在实施方案2中，在图2(b)中描述的导电粒子转印薄片17中，将焊料球16嵌入热衰变粘合剂薄片15中，并且粘附和安置在其中。
参考图3，首先描述导电粒子转印薄片实施方案2中使用的导电粒子转印薄片17。图3(a)是导电粒子转印薄片17的平面图；和图3(b)是图3(a)沿着X1-X2切开的剖视图。如图3(a)中所示，在热衰变粘合剂薄片15中安置了大量的焊料球16。如图3(b)中所示，焊料球16嵌入和适合热衰变粘合剂薄片15。为了将这些固定在薄片中，采用的是这样一种的方法：通过使用激光束或电子束，在热衰变粘合剂薄片15的预定位置，形成透孔，透孔的孔径小于焊料球16的直径，且将焊料球16通过薄片吸入孔中，如上所述的。
接着描述的是：参考图2和4，使用导电粒子转印薄片17形成BGA组件的焊料球块的情况，所述的薄片具有在其中嵌入和安置的如上所述焊料球16。在描述中，省略了与导电粒子转印薄片的实施方案1部分中所述的那些相同的内容。与实施方案1中一样，在图2(a)所示的步骤后，将图3中所述的导电粒子转印薄片17层压在BGA组件11上，同时将焊料球16安置在BGA组件11的Cu布线层12上，如图4中所示。在此例如，如果采用插针层压(pin-lamination)方法，那么可以达到准确将焊料球16安置在Cu布线层12上。如图4中所示，焊料球16的底部暴露于热衰变粘合剂薄片15的外面，球已经嵌入到其中。因此，在上面所述的粘合处理中，焊料球16在其底部粘附有熔剂14。
然后，将其首先在氮气气氛中、在160至180℃左右的焊料回流温度进行热处理，由此焊料球16与Cu布线层12熔化粘合。在这种熔化粘合处理后，然后将其在200至250℃的氮气气氛中加热，由此导电粒子转印薄片17的热衰变粘合剂薄片15衰变。如此，在BGA组件11的Cu布线层12上形成焊料球块18，如2(c)中所示。然后，如同上面所述的实施方案1中，将其安置在母板上。
导电粒子转印薄片的实施方案2中，在焊料回流处理步骤中，热衰变粘合剂薄片15不存在于每个焊料球16的底部之下，这不同于图2(b)的情况，因此在该实施方案2中，在更短时间内可以得到更高度精确的熔化粘合。自然，通过与上面所述的实施方案1相同的热处理，可以同时获得上面所述的熔化粘合和衰变。
(导电粒子转印薄片的实施方案3)
参考图5描述实施方案3：本发明的另一个实施例。图5包括在半导体芯片或半导体晶片的表面上形成块的工艺流程的剖视图。
如图5(a)中所示，在8英寸φ半导体晶片121的表面上形成氮化硅的钝化薄膜122或氧氮化硅薄膜，所述的半导体晶片在其上形成有半导体元件和内部布线(未显示)，并且在其上形成外部引线123。外部引线123是由铝(Al)金属或Cu形成的。
然后，如图5(b)中所示，采用旋涂的方式，将包含液体热衰变粘合剂树脂的组合物的涂布溶液涂布到在半导体晶片121的表面上的钝化薄膜122和外部引线123上。然后，将其在80℃左右烘焙，由此在其上形成热衰变粘合剂树脂层124。在此，热衰变粘合剂树脂层124是由厚度为1μm左右的聚氧化烯树脂形成的。
接着，如图5(c)中所示，在外部引线123的位置上，安置尺寸为20μ左右的焊料粒子125，并且将这些粘附在外部引线123上面的热衰变粘合剂树脂层124的表面上。简言之，每个焊料粒子125通过大量真空吸嘴中的每个嘴同时吸入，且所有的焊料粒子125安置在半导体芯片上的外部引线123上，并且将它们同时粘附到热衰变粘合剂树脂层124的因此安置的表面上。对于在半导体晶片121上的所有半导体芯片，进行此操作。
然后，将其在200℃左右的氮气气氛中进行热处理，由此焊料粒子125与外部引线123熔化粘合。如此，如5(d)中所示，在半导体晶片121的外部引线123上形成焊料块126。在此，用上面所述的热处理同时热解和完全衰变外部引线123上的热衰变粘合剂树脂层124。迄今为止，主要是根据电镀方法形成该类型的块。在实施方案3中，极大地改善了操作性，因此能够具有高生产能力。这是因为，在电镀方法中，用于电镀的进料层(feeder layer)必须形成在半导体晶片121上，且需要形成它和去除它的复杂步骤，但是，在本发明中，可以用简单的方法形成焊料块126，该简单方法包含在外部引线123上安置焊料粒子125，接着它的是热处理。
虽然在这些图中没有显示，但是，在其上形成有焊料块126的半导体晶片被切割为半导体芯片，且根据倒装焊接方法，半导体晶片与树脂封入的半导体器件或布线板块状粘合(bump-bonded)。备选地，根据对焊接合方法，两种不同的半导体芯片可以块状粘合，因此，COC(芯片叠芯片(chip-on-chip))：一种高密度MCP(多层芯片组件)可以简化方式和高可靠性制造。如此，因此促进了根据上面所述的封装技术的电子系统的集成化。
包含本发明热衰变材料的导电粒子转印薄片不限于上面所述的实施方案，但是可以在本发明热衰变材料的技术构思内以任何需要方式改变和修改。在上面所述的实施方案中，导电微粒是球形焊料球或球形焊料粒子。但是，不受这些限制，导电微粒还可以是圆柱形焊料球或圆柱形焊料粒子。此外，导电微粒可以是由除焊料外的任何其它低熔点的合金形成的。例如，可采用的是Au、Cu和Al的金属。如果导电微粒不是由低熔点的合金例如焊料形成的，那么通过加热使热衰变粘合剂树脂衰变，其后导电微粒与电子部件的电极熔化粘合，以电连接。
如上所述，包含本发明热衰变材料的导电粒子转印薄片具有安置在热衰变粘合剂树脂层或薄片上的导电微粒。在此描述中，热衰变粘合剂树脂层(薄片)是指热衰变粘合剂的单层薄片，其在加热时分解为蒸汽，或分解和汽化失去它的固体形式，或具有这种热衰变粘合剂的粘合剂层的多层薄片。如果这是支持型热衰变粘合剂薄片，其是通过在衬底的一个或两个表面上形成热衰变粘合剂层而构成的，那么衬底可以不衰变，只要热衰变粘合剂层可以衰变即可。但是，优选的是，通过加热包括衬底的整个薄片可以衰变。
这些热衰变粘合剂中的一些是已知的，例如：聚亚甲基丙二酸二酯、聚丁烯、硝化纤维、α-甲基苯乙烯聚合物、碳酸异丙烯酯聚合物、聚(甲基)丙烯酸烷基酯、羧酸二酰肼和二异氰酸酯的共聚物、这些聚合物中的过氧化物，以及包含任意向其中加入的增塑剂例如邻苯二甲酸二丁酯或邻苯二甲酸二辛酯或软化剂例如二甲苯油、萜烯油或石蜡的聚合物的增黏组合物。此外，聚丁烯和聚甲基丙烯酸月桂基酯也可以用作热衰变粘合剂。
但是，通常，在导电微粒与电极粘合过程中，导电微粒的表面金属层或导电微粒本身通常在该过程的焊料回流步骤中熔化和与它们粘合。因此，如果使用可以在150至260℃的回流温度衰变的粘合剂，那么热衰变粘合剂可以在回流步骤中衰变，并且过程可以极大地简化。此外，即使在耐热性相当差的电子部件中也可以使用热衰变粘合剂。迄今为止，没有人知道能够在150至260℃迅速衰变的粘合剂，但是本发明人作为刻苦研究的结果已经发现，包含含本发明聚氧化烯树脂的热衰变材料的粘合剂是有效的。此外，本发明人还发现，当在150至260℃加热时，在本发明的热衰变树脂中，具有可交联甲硅烷基的聚氧化烯树脂可以迅速衰变，此外，它对于广范围的各种材料例如导电微粒金属和硅材料和塑料材料具有高粘合性，当它形成为薄片时，薄片具有适宜的薄片强度。
可交联甲硅烷基包括例如：肟-甲硅烷基、烯氧基甲硅烷基、乙酰氧基甲硅烷基、卤代甲硅烷基、乙烯基甲硅烷基、硅烷醇基。首先，烷氧基甲硅烷基封端的聚氧化烯树脂是有利的，因为它赋予橡胶状可交联树脂良好的弹性。烷氧基甲硅烷基包括例如：甲氧基甲硅烷基、乙氧基甲硅烷基、丙氧基甲硅烷基、异丙氧基甲硅烷基、丁氧基甲硅烷基、叔-丁氧基甲硅烷基、苯氧基甲硅烷基、苄氧基甲硅烷基。在二烷氧基甲硅烷基或三烷氧基甲硅烷基中，烷氧基可以是相同的，或可以组合不同的烷氧基。在此可以单独使用或组合使用这样的可交联甲硅烷基中的一种或多种。在此还可以组合使用不同种类的聚氧化烯树脂或具有不同种类的可交联甲硅烷基的聚氧化烯树脂。
为了交联含可交联甲硅烷基的聚氧化烯树脂，优选使用的是含式(2)的官能团的光反应催化剂。由于它，通过曝光于光例如可见光、UV光或电子射线(以下这可称为光照射)，含可交联甲硅烷基的聚氧化烯树脂可以被交联和固化。首先，优选羧酸酐、羧酸酰亚胺和二酰基氧化膦，因为它们的光反应性高，且因为它们在含可交联甲硅烷基的聚氧化烯树脂中的溶解性也高。在此可以单独或组合使用一种或多种这样的光反应催化剂。
为了交联含可交联甲硅烷基的聚氧化烯树脂，可以向含可交联甲硅烷基的聚氧化烯树脂组合物中加入敏化剂。通过包含敏化剂，树脂的光反应性提高，因此可以缩短对树脂组合物的光照射时间，可以减少向其中的光照射能量，从它的表面到它的深度可以均匀地交联和固化所述的组合物。
敏化剂包括例如苯乙酮衍生物化合物例如4-(2-羟乙氧基)苯基(2-羟基-2-丙基)酮、α-羟基-α’-二甲基苯乙酮、甲氧基苯乙酮、2，2-二甲氧基-2-苯基苯乙酮；苯偶姻醚化合物例如苯偶姻乙醚、苯偶姻丙醚；酮缩醇衍生物化合物例如苄基二甲基酮缩醇；卤代酮类；酰基氧化膦；酰基磷酸盐；2-甲基-1-[4-(甲硫基)苯基]-2-吗啉代丙-1-酮、2-苄基-2-N，N-二甲基氨基-1-(4-吗啉代苯基)-1-丁酮；二(2，4，6-三甲基苯甲酰)苯基氧化膦、二(2，6-二甲氧基苯甲酰)-2，4，4-三甲基苯基氧化膦；二(η5-环戊二烯基)-二(五氟苯基)-钛、二(η5-环戊二烯基)-二[2，6-二氟-3-(1H-吡啶-1-基)苯基]-钛；蒽、苝、蔻、并四苯、苯并蒽、吩噻嗪、黄素、吖啶、酮基香豆素、噻吨酮衍生物、二苯甲酮、苯乙酮、2-氯噻吨酮、2，4-二甲基噻吨酮、2，4-二乙基噻吨酮、2，4-二异丙基噻吨酮、异丙基噻吨酮。在此可以单独或组合使用这些中的一种或多种。
如果在过程中使用上面所述的热衰变粘合剂薄片，在所述的过程中，例如，重复几次进行焊料回流处理，那么导电粘合材料在每次回流处理中再熔化，电子部件在再熔化步骤中可以移动和扰乱。在其中它们通过多次焊料回流步骤之前临时固定电子部件的情况下，有利地使用本发明热衰变粘合剂薄片。
[用于电路形成的转印薄片]
下面描述包含本发明热衰变材料的用于电路形成的转印薄片。
包含本发明的热衰变材料的用于电路形成的转印薄片的特征在于：它包含本发明热衰变材料的粘合剂薄片和在粘合剂薄片的表面上形成的电路图案。
以下，参考附图描述包含本发明热衰变材料的用于电路形成的转印薄片的实施方案。
包含本发明热衰变材料的用于电路形成的转印薄片具有如图6中所示的结构。在此，图6(a)所示为使用本发明热衰变材料的粘合剂薄片的情况。图6(b)和图6(c)分别表示部分包含本发明热衰变粘合材料的复合粘合剂薄片的情况。在此，图6(b)是具有热衰变粘合材料和非热衰变树脂的层压结构的粘合剂薄片的情况；图6(c)是通过混和不同树脂材料例如热衰变材料和非热衰变树脂而形成的粘合剂薄片的情况。非热衰变树脂是指在加热下不分解的普通树脂。
如图6(a)中所示，用于电路形成的转印薄片21包含厚度为10μm至500μm仅由热衰变材料形成的粘合剂薄片22和在薄片22的表面上形成的形成电路图案的金属层23。
如图6(b)中所示，用于电路形成的转印薄片21包含复合薄膜的粘合剂薄片22和在薄片22的表面上形成的形成电路图案的金属层23，所述的复合薄膜由非热衰变树脂的树脂衬底22a和热衰变材料层22b形成。在图6(b)中，粘合剂薄片22具有树脂衬底22a和热衰变材料层22b的层压结构，且金属层23形成在热衰变材料层22b的表面上。
至于本发明用于电路形成的转印薄片21，复合薄膜不限于上面所述的层压结构。如6(c)中所示，薄片21可以包含粘合剂薄片22c，所述的粘合剂薄片22c由包含热衰变树脂的不同种类的树脂材料的混合物形成，且形成电路图案的金属层23形成在薄片22c的表面上。粘合剂薄片22c的树脂混合物可以是热衰变树脂和非热衰变树脂的混合物。对于其中的混和状况，可以混和热衰变树脂组合物和非热衰变树脂组合物以形成混合物状况；或可以混和热衰变树脂和非热衰变树脂以形成分开的相。在此，相分离是由热衰变树脂组合物和非热衰变树脂组合物在溶剂中的溶液的光照射或热处理导致的，结果，粘合剂薄片可以具有例如：大量的在非热衰变树脂的基质(相)中热衰变树脂的孤立块。除此外，即使用非热衰变树脂混和固化的粉末状热衰变树脂并且形成为薄片，那么得到的粘合剂薄片也可以具有与上面所述相同的结构。此外，复合薄膜可以包含不同种类具有不同热衰变温度的热衰变树脂的混合物。
(构成粘合剂薄片的树脂)
为了快速衰变上面所述的热衰变树脂或热衰变树脂层，它通常必须在250至400℃加热。但是，如果电路板在高温下长期暴露，那么它可以对电路板的性能具有负面影响。此外，对于它，需要大规模的器件。另一方面，当通过如下面描述的热衰变树脂的分解而产生的蒸汽的压力来实现层剥离时，理想的是使用能够在可能低的温度下快速衰变的热衰变树脂。此外，也如下面所述，在制备电子部件的过程中可接受的加热温度通常是200℃或更低的相对低的温度。
假设在那种情况，本发明人深入细致地研究了迄今为止已知的能够在相对低的温度下衰变的各种热衰变材料，结果，发现本发明的热衰变树脂是有效的。在本发明的热衰变树脂中，本发明人还发现当在150至170℃加热时，通过交联含可交联甲硅烷基的聚氧化烯树脂而制备的树脂可以快速衰变，此外，它对广泛范围的材料例如金属和树脂具有良好的粘附性，而且当将它成型为薄片时，所得到的薄片具有适宜的薄片强度。
通过交联含可交联甲硅烷基的聚氧化烯树脂制备的树脂的详细内容与以上对于上面所述的导电粒子转印薄片详细描述的那些相同。
如果粘合剂薄片22包含热衰变树脂和非热衰变树脂的混合物，例如，如果它包含具有上面所述的热衰变树脂中的任何一种的混合物，那么热衰变树脂与包含热衰变树脂的树脂组合物的比率没有具体限制，但是优选它至少为10重量％。
如果热衰变树脂是粘合剂薄片22的主要组分，且如果它占薄片的主要部分，那么粘合剂薄片通过加热基本上可以衰变。此外，即使在粘合剂薄片中的热衰变树脂的含量是这样的，以致于粘合剂薄片不完全衰变，通过热衰变树脂的分解所产生的蒸汽也可以起到将粘合剂薄片的粘合表面中的至少部分与电路图案剥离的作用，由此降低它们之间的粘附性，前提条件是热衰变树脂的比率为至少10重量％，且即使在这种情况下，因此粘合剂薄片可以容易剥离。
为了通过热衰变树脂的分解所产生的蒸汽可以起到粘合剂薄片的粘合表面中的至少部分与电路图案剥离的作用由此降低它们之间的粘附性，理想的是，包含热衰变树脂的树脂组合物还包含能够通过向其中施加能量刺激例如，通过曝光于光、电子射线或离子束而交联的可交联树脂组合物。如果在热衰变树脂分解产生蒸汽之前向粘合剂薄片施加某些能量刺激且如果可交联树脂组分由此交联，那么粘合剂薄片可以完全固化且它可以更有效地释放通过热衰变树脂的分解而产生的蒸汽，结果，粘合剂薄片可以更容易剥离。
不特别限制在包含热衰变树脂的树脂组合物中的可交联树脂组分的比例，但是，优选为组合物的至少30重量％。如果可交联树脂组分的比率低于30重量％，那么整个粘合剂薄片不会充分固化。
不具体限制，但是可以通过向其中施加能量刺激而交联的可交联树脂组分是例如：可光固化粘合剂，其包含作为其主要组分的在分子中具有自由基可聚合不饱和键的丙烯酸烷基酯和/或甲基丙烯酸烷基酯的可聚合聚合物，和自由基可聚合多官能团的低聚物或单体，且任选包含光聚合引发剂；或热固性粘合剂，其包含作为其主要组分的在分子中具有自由基可聚合不饱和键的丙烯酸烷基酯和/或甲基丙烯酸烷基酯的可聚合聚合物，和自由基可聚合多官能团的低聚物或单体，且任选包含热聚合引发剂。
可后固化粘合剂例如这种类型的可光固化粘合剂或热固化粘合剂作为粘合剂的整体通过曝光或加热可以均匀和快速聚合和固化，因此得到完整的固化体。因此，粘合剂的聚合和固化体的弹性模量得到极大的提高及其粘合力极大地降低。此外，如果在硬固化体中，热衰变树脂分解产生蒸汽，那么产生的大部分蒸汽排放在外，因此释放的蒸汽起到至少部分粘合剂表面与粘附物体剥离，因此降低它们之间的粘附性。
可以通过如下得到可聚合的聚合物，例如：预前制备在分子中具有官能团的(甲基)丙烯酸聚合物(以下称为“含官能团的(甲基)丙烯酸聚合物”)，接着使它与在分子中含有可以与上面所述的官能团反应的官能团和自由基可聚合不饱和键的化合物(以下称为“含官能团的不饱和化合物”)反应。
含官能团的(甲基)丙烯酸聚合物是其在室温下为粘性的聚合物，它可以通过如下得到：使主要单体：其中烷基通常含有2至18个碳原子的丙烯酸烷基酯和/或甲基丙烯酸烷酯，与含官能团的单体，且任选与可与它们共聚合的任何其它改性单体如普通(甲基)丙烯酸聚合物进行通常的共聚合。含官能团的(甲基)丙烯酸聚合物可以具有的重均分子量通常为200,000至2,000,000左右。
含官能团的单体包括例如：含羧基的单体例如丙烯酸、甲基丙烯酸；含羟基的单体例如丙烯酸羟乙酯、甲基丙烯酸羟乙楷；含环氧基团的单体，例如丙烯酸缩水甘油酯、甲基丙烯酸缩水甘油酯；含异氰酸酯基的单体例如丙烯酸异氰酸乙酯基酯、甲基丙烯酸异氰酸乙酯基酯；含氨基的单体例如丙烯酸氨基乙酯、甲基丙烯酸氨基乙酯。
其它可共聚的改性单体是例如：用于普通(甲基)丙烯酸聚合物的各种单体，例如乙酸乙烯酯、丙烯腈、苯乙烯。
根据含官能团的(甲基)丙烯酸聚合物，将与含官能团的(甲基)丙烯酸聚合物反应的含官能团的不饱和化合物可以选自：上面所述的用于含官能团的单体的那些。例如，如果含官能团的(甲基)丙烯酸聚合物的官能团是羧基，那么可以使用含环氧基团的单体和含异氰酸酯基的单体；如果官能团是羟基，那么可以使用含异氰酸酯基的单体；如果官能团是环氧基团，那么可以使用含羧基的单体和含酰氨基的单体例如丙烯酰胺；且如果官能团是氨基，那么可以使用含环氧基团的单体。
优选多官能团的低聚物或单体的分子量为至多10,000。为了通过加热或曝光更有效形成三维网络，更优选的是，它的分子量为至多5,000且在分子中含有2至20个自由基可聚合不饱和键。更优选的多官能团的低聚物或单体是例如：三羟甲基丙烷三丙烯酸酯、四羟甲基丙烷四丙烯酸酯、季戊四醇三丙烯酸酯、季戊四醇四丙烯酸酯、二季戊四醇单羟基五丙烯酸酯、二季戊四醇六丙烯酸酯和与它们相应的甲基丙烯酸酯。此外，还优选的是1，4-丁二醇二丙烯酸酯、1，6-己二醇二丙烯酸酯、聚乙二醇二丙烯酸酯、可商购的酯类低聚物丙烯酸酯和与它们相应的甲基丙烯酸酯。在此可以单独或组合使用多官能团低聚物和单体中的一种或多种。
光聚合引发剂是例如当曝光至波长为250至800nm的光时可被活化的引发剂。这种类型的光聚合引发剂包括例如：苯乙酮衍生物化合物例如甲氧基苯乙酮；苯偶姻醚化合物例如苯偶姻异丙基醚、苯偶姻异丁基醚；酮缩醇衍生物化合物例如苄基二甲基酮缩醇、苯乙酮二乙基酮缩醇；氧化膦衍生物化合物；和光自由基聚合引发剂例如二(η5-环戊二烯基)二茂钛衍生物化合物、苯甲酮、米蚩酮、氯噻吨酮、十二烷基噻吨酮、二甲基噻吨酮、二乙基噻吨酮、α-羟基环己基苯基酮、2-羟基甲基苯基丙烷。在此可以单独或组合使用光聚合引发剂中的一种或多种。
热聚合引发剂是在加热下分解并且产生用于引发聚合和固化的活性自由基的引发剂。例如，它包括过氧化二枯基、过氧化二-叔-丁基、过苯甲酸叔-丁基酯、过氧化氢叔-丁基、过氧化苯甲酰、氢过氧化枯烯、过氧化氢二异苯基苯、萜烷过氧化氢、过氧化二-叔-丁基。这些中，优选的是氢过氧化枯烯、萜烷过氧化氢和过氧化二-叔-丁基，因为它们的热分解温度高。这些热聚合引发剂的某些是可以商购的，并且在此可以没有限制地使用。例如，优选的是Perbutyl D、Perbutyl H、Perbutyl P、Permenta H(全部由NipponYushi制备)。在此可以单独或组合使用热聚合引发剂中的一种或多种。
(形成电路图案的金属层)
优选的是，在粘合剂薄片的表面上形成的电路图案是由例如金属箔或导电糊料层组成。不特别限定，金属箔可以是适合于电路图案形成的金属的箔，且是例如高熔化点的金属例如钨、钼；低电阻的金属例如金、银、铜、铝；或包含至少一种这样的低电阻金属的合金的箔。
优选的是，金属箔厚度的最低限为1μm，及其最高限为100μm。如果低于1μm，那么由金属箔形成的电路图案的电阻系数可能高和制备的电路板可能是不适合的。如果高于100μm，那么当金属箔在以下将描述的制备电路板中层压其上时，绝缘衬底或陶瓷印刷电路基板可能极大地变形，此外，当由金属箔形成的电路图案转印到绝缘衬底或陶瓷印刷电路基板时，电路图案埋入的量可以提高，且绝缘衬底或陶瓷印刷电路基板的变形程度可以提高。结果是，这可以导致的一个问题在于，当树脂固化时，绝缘衬底或陶瓷印刷电路基板可能容易变形。此外，当蚀刻金属箔以形成电路图案时，蚀刻可能困难，这可以导致的另一个问题在于，难以精确地形成微型图案电路。更优选的是，最低限为5μm，及其最高限为50μm。
将在粘合剂薄片侧上的金属箔的表面可以被粗糙化，以具有细微不规则性，以提高其于粘合剂薄片的粘附性。例如，可以粗糙金属箔的表面，以具有由JIS B0601定义的表面粗糙度Ra表示的细微不规则性为0.2至0.7μm左右。还可以以与同样的方式粗糙与粘合剂薄片相对的金属箔的另一表面，因此，可以提高绝缘衬底或陶瓷印刷电路基板和电路图案之间的粘合力。
导电糊料层是例如通过向粘合剂树脂加入导电微粒例如金、银或铜的贵金属粒子或焊料粒子或镀金属的树脂粒子而制备的树脂糊料层，或焊糊的金属糊料的层等。
根据加工粘附到粘合剂薄片22的金属箔的形成图案丝网印刷方法，或根据电镀方法，来形成具有电路图案的金属层23。通过对金属箔形成图案来形成电路图案的方法不特别限制，且例如，对此采用的是已知的光刻胶方法。光刻胶方法包含：在金属箔的整个表面上涂布光刻胶，通过预定图案的掩模将它曝光，将它显影，然后用等离子蚀刻或化学蚀刻方法蚀刻它，因此在非图案区域(光刻胶从此去除的区域)去除金属箔。因此，形成需要的金属箔电路图案。还可采用另一种方法，该方法包含：根据丝网印刷方法等，以预定电路图案形式向金属箔表面涂布光刻胶，然后以与上面相同的方式将它曝光，其后蚀刻它，以形成需要的电路图案。蚀刻后，一些光刻胶可能留在电路图案上，但是它可以用光刻胶去除剂去除，因此清洁得到的电路图案。因此，得到用于电路形成的转印薄片，其具有在粘合剂薄片表面上形成的电路图案。
为了对导电糊料层形成图案以形成电路图案例如可采用的是这样一种方法：烘焙导电糊料层，然后以与上面所述的加工金属箔的情况相同方式加工它。还可以采用另一种方法，该方法包含：在衬底上丝网印刷导电糊料，烘焙它以形成电路图案，将上面所述的粘合剂薄片与它粘合，因此在粘合剂薄片上形导电糊料层的电路图案。
可以采用再一种方法，该方法包含：在粘合剂薄片表面上相应于电路图案形成的凹口，并且使用挤压用导电糊料填充凹口，由此在粘合剂薄片上形成导电糊料的电路图案。
如上所述，包含本发明热衰变材料的用于电路形成的转印薄片具有粘合剂薄片，所述的粘合剂薄片包含在加热下可以分解的热衰变树脂或包含这种热衰变树脂的复合薄膜，因此，当这用于电路转印时，粘合剂薄片衰变，或它的粘合力下降，原因在于通过构成粘合剂薄片的热衰变树脂分解产生蒸汽，结果，即使粘合剂薄片具有高粘合力，需要的电路图案也可以很好地转印到绝缘树脂或陶瓷印刷电路基板上，而没有图案扰动。此外，即使转印具有非常窄线宽的电路图案时，可以高度精确地很好地将其转印。
用于电路形成的转印薄片可以任选具有在其粘合剂薄片表面上形成的金属箔或导电糊料层。所述的金属箔或导电糊料层不形成图案为电路图案的形式
(电路板的制备)
通过使用如上所述的用于电路形成的转印薄片，制备电路板。这通过参考图7和图8描述。图7包括使用图6(a)的用于电路形成的转印薄片的工艺流程的剖视图；和图8包括使用图6(b)的用于电路形成的转印薄片的工艺流程的剖视图。
如图7(a)中所示，以与如上所述相同方式，制备包含粘合剂薄片22和在其表面上的形成电路图案的金属层23的粘合剂薄片21，且将其安置到绝缘衬底24，其是半固化情形，然后两者相互粘合。在此，绝缘衬底24是具有如稍后描述的绝缘性能的衬底。为了粘合这两者，例如向两者施加100kg/cm2左右的压力，由此金属层的部分或全部嵌入和固定在绝缘衬底24中。
在此，不特别限制用于电路形成的转印薄片1和绝缘衬底24的压力粘合方法。例如，其中可以采用是：一种通过挤压的固着效果而粘合两者的方法；一种将粘合剂涂布到绝缘衬底和/或用于电路形成的转印薄片的电路图案上，接着粘合这两者的方法。具体而言，当转印薄片与半固化热固性树脂的绝缘衬底压力粘合时，优选的是在适宜的温度下热加压这两者的方法。这是因为，根据这种方法，可以固化热固性树脂的部分或全部，以具有提高的粘合力，且它避免电路错误定位或转印失败的问题。
接着，将其在氮气气氛中、在150℃至170℃的相对低温下进行热处理。通过热处理，粘合剂薄片22热解、蒸发和衰变。因此，如7(b)中所示，形成单层电路板，其具有转印到绝缘衬底24上的具有电路图案的金属层23。此外，如果需要，可以在250至300℃的温度完全固化绝缘衬底24。通过层压这些单层电路板，可以形成多层电路板。
类似地，如图8(a)中所示，以与如上所述的方式制备用于电路形成的转印薄片21，其包含含树脂衬底22a和热衰变树脂层22b的复合薄膜的层压结构的粘合剂薄片22和在热衰变树脂层22b表面上形成的金属层23。如图7中一样，转印薄片21安置到绝缘衬底24，其是半固化情形，然后两者在热和压力下相互粘合。如此，金属层23的部分或全部嵌入和固定在绝缘衬底24中。
接着，将其在氮气气氛中、在250℃左右进行热处理。通过热处理，形成粘合剂薄片22的热衰变树脂层22b热解和衰变。因此，如图7(b)中所示，通过热衰变树脂层22b的热解，树脂衬底22a卸下，其与金属层23完全分离。在热处理中，绝缘衬底24同时完全固化。因此，形成单层电路板，其具有转印到绝缘层24上的具有电路图案的金属层23。
虽然在图中没有显示，但是如果如上所述，将热衰变树脂和非热衰变树脂的混合物的复合薄膜用于粘合剂薄片22c，那么粘合剂薄片22极大地收缩且与金属层23完全剥离，因为在粘合剂薄片22中的热衰变树脂通过在约250℃的热处理中热解和衰变。在不同的情况下，由于通过热衰变树脂分解产生的蒸汽，粘合剂薄片22c的粘合力极大地降低，且薄片22c从金属层23剥离。同样在这种情况下，具有电路图案的金属层23被转印到绝缘衬底24上，且容易形成单层电路板。
在上面所述电路板的制备中，绝缘衬底24是由普通热固性树脂或陶瓷印刷电路基板形成的。
不特别限制热固性树脂，包括例如：聚亚苯基醚(PPE)；二马来酰亚胺树脂例如二马来酰亚胺-三嗪(BT)；和环氧树脂、聚酰亚胺树脂、氟树脂、酚树脂。优选的是，热固性树脂在室温下是液体。
半固化的热固性树脂可以包含填料，通常用于提高它的强度。不特别限制，填料可以是例如：有机或无机粉末或纤维。
不特别限制无机填料，包括例如：SiO2、Al2O3、ZrO2、TiO2、AlN、SiC、BaTiO3、SrTiO3、沸石、CaTiO3、硼酸铝。优选的是，无机填料是近乎球形粒子的粉末。还优选的是，粒子的平均粒子尺寸为至多20μm，更优选为至多10μm，再更优选为至多7μm。无机填料可以纤维状的，且可以具有的平均纵横比为至少5。不特别限制，纤维状的填料包括例如：玻璃纤维，它可以是纺织织物或无纺织物中的任何一种，且可以具有任何没有限制的性质。也不特别限制，有机填料包括例如：芳族聚酸胺纤维、纤维素纤维。
在此可以单独或组合使用上面所述的一种或多种不同类型的填料。优选的是，以15/85至65/35的热固性树脂/填料的体积比，使用热固性树脂和填料。
为了制备绝缘衬底，根据刮刀方法等，将热固性树脂或包含热固性树脂和无机填料的浆料成形为薄片，然后加热它成为半固化情形。优选的是，通过使用二氧化碳气体激光器等，在绝缘衬底中形成通孔，且用金、银、铜、铝等低电阻的金属粉末填充通孔，以形成通孔导体。
在上面所述的用于电路形成的转印薄片的具有电路图案的表面与绝缘衬底等压力粘合，接着通过粘附或嵌入电路图案到绝缘衬底的步骤中，如果在绝缘衬底中形成通孔导体，那么这样安置转印薄片在绝缘衬底中，以便电路图案可以与通孔导体的表面曝光部分交迭。
陶瓷印刷电路基板可以通过如下制备：例如将氧化铝等的陶瓷粉末、粘合剂树脂和增塑料剂的混合物成形为薄片。
当绝缘衬底24是由陶瓷印刷电路基板形成的时，在具有电路图案的金属层23转印到绝缘衬底24后，必须在高温(600至1500℃左右)下烘焙陶瓷印刷电路基板。因此，特别是在这种情况，如上所述，金属层23由高熔点金属例钨或钼形成。
至于上面所述的电路板的制备，制备电路板的第一种方法包含使用上面所述的用于电路形成的转印薄片。该方法包括：将绝缘衬底或陶瓷印刷电路基板压力粘合在上面所述的用于电路形成的转印薄片的电路图案上并且将电路图案粘附或嵌入到绝缘衬底或(of)陶瓷印刷电路基板中的步骤，和通过加热分解热衰变树脂，因此衰变或变形粘合剂薄片并且转印电路图案到绝缘衬底或陶瓷印刷电路基板上的步骤。
在上面所述的步骤中，如果粘合剂薄片由热衰变树脂形成，或粘合剂薄片由包含热衰变树脂作为其主要组分的树脂组合物形成，那么粘合剂薄片基本上通过加热衰变。因此，该过程不需要粘合剂薄片与电路图案剥离的步骤，因此提高了它的生产效率(生产能力)和可使用性。
另一方面，即使粘合剂薄片通过加热不衰变，粘合剂薄片的粘合力通过热衰变树脂的分解产生的蒸汽而降低，因此粘合剂薄片可以容易地与电路图案剥离。
此外，如果粘合剂薄片包含能够通过向其中施加能量刺激而交联的可交联的树脂组分，那么理想的是，在加热薄片以分解其中的热衰变树脂之前，向薄片施加一些能量刺激以便交联可交联树脂组分，以分解这里的热衰变树脂。可以极大地降低粘合剂薄片的粘合力，且粘合剂薄片可以容易地与电路图案剥离。如果粘合剂薄片由如图6(c)中所示的复合薄膜形成，那么热衰变树脂由于能够通过曝光交联的可交联树脂组分而聚合，它容易进行上面所述的基质(相)中的相分离。
在上面所述的步骤中，如果含上面所述的可交联甲硅烷基的聚氧化烯树脂的交联树脂用于热衰变树脂，那么热衰变树脂可以通过在150至170℃的加热而分解。含上面所述的可交联甲硅烷基的聚氧化烯树脂的交联树脂甚至可以容易在氧气气氛中、相对低温下快速分解。因而，通过控制加热气氛气体中的氧气浓度，可以控制热衰变树脂的分解时间。
至于上面所述的电路板的制备，制备电路板的第二种方法包含使用上面所述的用于电路形成的转印薄片。该方法包括：通过对用于电路形成的转印薄片的金属箔或导电糊料层形成图案以形成电路图案的步骤，将绝缘衬底或陶瓷印刷电路基板压力粘合到电路图案上并且将电路图案粘附或嵌入到绝缘衬底或(of)陶瓷印刷电路基板中的步骤，和通过加热分解热衰变树脂，由此衰变或变形粘合剂薄片并且转印电路图案到绝缘衬底或陶瓷印刷电路基板上的步骤。因此，制备方法包括通过对用于电路形成的转印薄片的金属箔或导电糊料层形成图案以形成电路图案的步骤。
虽然由导电糊料层形成的电路图案保持与绝缘衬底或陶瓷印刷电路基板压力粘合，但是可以加热它们以便衰变或变形粘合剂薄片，且以将由导电糊料层形成的电路图案转印到绝缘衬底或陶瓷印刷电路基板上。
在这种制备电路板的方法中，所述将绝缘衬底等压力粘合到电路图案并且将电路图案粘附或嵌入到绝缘衬底中的步骤，和所述通过加热分解热衰变树脂，由此将电路图案转印到绝缘衬底或陶瓷印刷电路基板上的步骤，可以与上面所述的制备电路板的第一种方法中的那些相同。
根据上面所述的制备电路板的第二种方法，使用包含上面所述的热衰变树脂的用于电路形成的转印薄片，因此，即使粘合剂薄片具有高粘合力，也可以很好地将电路图案转印到绝缘树脂等上，而没有图案扰动。此外，即使高密度地转印具有非常窄线宽的电路图案，可以高精确地很好地转印它。
此外，该方法不需要降低粘合剂薄片的粘合力的任何额外步骤，而仅需要加热粘合剂薄片以衰变或剥离粘合剂薄片的步骤。因此，可以极大提高该方法的生产效率(生产能力)和可使用性。
[图案形成]
本发明热衰变材料对图案形成是有效的。
下面参考附图描述使用本发明热衰变材料形成图案的方法的实施方案。
(图案形成的第一实施方案)
参考图11描述使用本发明热衰变材料形成图案的第一实施方案。图11包括通过使用上面所述的热衰变树脂薄膜，蚀刻掩模形成图案，并且通过用于图案形成的掩模对绝缘体薄膜形成图案。
在此，为了形成热衰变树脂薄膜，使用的是例如：通过在溶剂中溶解含可交联甲硅烷基的聚氧丙烯树脂和二酰基氧化膦化合物而制备的衰变树脂涂布溶液。
如图11(a)中所示，在其上形成有各种半导体元件(未显示)的半导体衬底31上，安置氧化硅绝缘体薄膜32，以旋涂的方式将上面所述的衰变树脂涂布溶液涂布到绝缘体薄膜32上。然后，在旋涂后，将其在不高于100℃的温度下预烘焙，以蒸发不需要的溶剂。如此，形成厚度为1μm左右的热衰变树脂薄膜33。在此，可以用普通的荧光灯照射下进行涂布操作。与此相反，常规的光刻的涂布步骤需要能够完全遮住UV光的特殊工作室。
接着，如图11(b)中所示，通过使用二氧化碳气体激光作为直接形成图案方法中的光源，将其在短时期内曝光于高能量密度的激光束34。激光束34是热束，并且向热衰变树脂薄膜33提供热能，由此加热薄膜被照射的区域高达200℃至250℃左右。通过向其中施加热能，热解和衰变热衰变树脂薄膜33的被照射的区域。如此，热衰变树脂薄膜33被形成图案，以形成蚀刻掩模35。
与此相反，在常规的光刻胶薄膜中，光刻胶中的官能团在直接形成图案方法中的光敏感，因此通过曝光，改变了光刻胶的基础树脂。具体而言，基础树脂的共聚合被分开(在阳图型光刻胶中)或聚合被促进(在阴图型光刻胶中)。如此，在为了达到图案形成的下一个显影步骤中，通过曝光已经改变的基础树脂溶解。
因此，通过使用本发明热衰变材料形成图案的方法的第一实施方案不需要如在常规的光刻中的显影步骤，因此能够在图案形成中极大降低成本。
接着，如图11(c)中所示，将其完全曝光于光36，由此交联和光固化构成用于蚀刻掩模35的所述形成图案的热衰变树脂薄膜33的组合物，以形成蚀刻掩模35a。不特别限制，可以用于光照射的光源可以是覆盖其中聚氧化烯组合物对光敏感和开始固化的波长范围的任何一种光。例如，它包括低压汞灯、中压汞灯、高压汞灯、超高压汞灯、受激准分子激光器、化学灯、黑光灯、微波激发的汞灯、金属卤化物灯、钠灯、卤素灯、氙灯、荧光灯、日光、电子束辐射器。在此可以单独或组合使用这些光源中的一种或多种。因此由蚀刻掩模通过曝光于光而形成的蚀刻掩模35a可以具有稍后描述的改善的耐干法蚀刻性，并且可以很好地起到干法蚀刻掩模。
接着，如图11(d)中所示，通过蚀刻掩模35a，用等离子体干法蚀刻绝缘体薄膜32。因此，在绝缘体薄膜32中形成开口37。
接着，如图11(e)中所示，在氧气气氛或氮气气氛中，将其在前者中在150℃至250℃左右进行热处理，或在后者中在200℃至250℃左右进行热处理。通过热处理，由热衰变树脂形成的蚀刻掩模35a热解，并且完全衰变和去除。在此，热处理的气氛可以是干燥空气。如此，在半导体衬底31上形成具有开口37的绝缘体薄膜32。
至于用于它的装置，与现有技术中的等离子体中的灰化去除相比，在简单炉国，可以实现在图案形成方法的第一实施方案中的蚀刻掩模35a的去除，此外，去除方法相当简单。因此，因为使用后的蚀刻掩模的去除相当简单，可以极大地降低图案形成的成本。
此外，如果在减压下进行加热，那么去除可以更有效地进行。
在上面所述的实施方案中，对于热能赋予，可以使用电子束代替激光束。至于激光源，在此还可以使用的是UV激光光源和受激准分子激光器光源。
用于上面所述的图案形成的热衰变树脂包括例如：聚亚甲基丙二酸二酯、聚丁烯、硝化纤维、α-甲基苯乙烯聚合物、碳酸异丙烯酯聚合物、聚(甲基)丙烯酸烷基酯、羧酸二酰肼和二异氰酸酯的共聚物、这些聚合物中的过氧化物，以及包含任意向其中加入的增塑剂例如邻苯二甲酸二丁酯或邻苯二甲酸二辛酯或软化剂例如二甲苯油、萜烯油或石蜡的聚合物的增黏组合物。此外，聚丁烯和聚甲基丙烯酸月桂基酯也可以用作热衰变粘合剂。
但是，理想的是使用本发明限定的热衰变材料。此外，在它们当中，本发明人发现：当在150℃至260℃加热时，通过交联含可交联甲硅烷基的聚氧化烯树脂组合物而制备的热衰变树脂薄膜可以快速衰变。
通过交联含可交联甲硅烷基的聚氧化烯树脂组合物而制备的热衰变树脂，可以与在导电粒子转印薄片部分中详细描述的那些相同。
(图案形成的第二实施方案)
参考图12描述使用本发明热衰变材料形成图案的第二实施方案。图12包括含通过使用上面所述的热衰变树脂薄膜对卸下的掩模形成图案，和通过使用它对用于布线的导体薄膜形成图案的工艺流程的剖视图。在此，由同样的参考数字表示与第一实施方案中相同的元件。
同样，在该实施方案中，为了形成热衰变树脂薄膜，使用的是通过在溶剂中溶解上面所述的，含可交联甲硅烷基的聚氧丙烯树脂和二酰基氧化膦化合物而制备的衰变树脂涂布溶液。
如第一实施方案中一样，但是如图12(a)中所示，在半导体衬底31上安置氧化硅绝缘体薄膜32，以旋涂的方式将上面所述的衰变树脂涂布溶液涂布到绝缘体薄膜32上。然后，在旋涂后，将其在80℃左右的温度预烘焙，以蒸发不需要的溶剂。如此，形成厚度为1.5μm左右的热衰变树脂薄膜33。
接着，如图12(b)中所示，根据直接形成图案的方法，将其暴露于热量束或激光束34。在此，使用YAG激光为光源。由此提供热能给热衰变树脂薄膜33，且由此在200℃左右的温度加热薄膜的被照射区域。如此，热可以集中并且保留在由热传导性差的氧化硅形成的绝缘体薄膜32的表面上，因此离绝缘体薄膜32越近，热衰变树脂薄膜33越容易热解。因此，如图12(b)中所示，形成具有卸下开口38的卸下掩模39，其中开口38具有倒锥形剖面形状。
同样在这种情况下，具有卸下开口38的卸下掩模39的形成完全不需要如常规光刻中的显影步骤，与第一实施方案中一样。因此，如上所述，在该实施方案中的图案形成能够极大降低成本。
接着，如第一实施方案中一样，但是如图12(c)中所示，将其完全曝光于光36，由此交联和光固化用于卸下掩模39的热衰变树脂薄膜33，以形成卸下掩模39a。
接着，如图12(d)中所示，以溅射薄膜形成的方式，在卸下掩模39a上形成例如厚度为0.5μm左右的钨(W)等的导体薄膜310。在此，优选的是直线沉积优异的校准-溅射方法。如此，因为卸下掩模39a具有倒锥形形式，如图12(d)中所示，在卸下掩模39a上沉积的导体薄膜310和作为布线311在卸下开口38里面沉积的导体薄膜可以相互分离。
接着，在氧气气氛或氮气气氛中，将其在前者中在200℃左右进行热处理，或在后者中在250℃左右进行热处理。通过热处理，由热衰变树脂形成的卸下掩模38a热解和衰变，由此可以卸下或去除在卸下掩模39a上的导体薄膜310。根据本发明的卸下方法，如图12(e)中所示，在半导体衬底31上的绝缘体薄膜32上可以形成布线311。
在常规卸下技术中，卸下掩模由光刻胶薄膜形成，且在卸下步骤中，在有机溶剂的化学品中溶解由光刻胶薄膜形成的卸下掩模。通过溶解和去除卸下掩模，卸下和去除在卸下掩模上沉积的导体薄膜，并且，由此形成布线。
在该实施方案2中，不使用如常规卸下步骤中的化学品，因此，卸下操作是安全的和它的操作性得到改善。此外，因此降低了图案形成成本。如果改变YAG激光的光量，那么可以不形成倒锥形，但是卸下操作仍然是可能。
(图案形成的第三实施方案)
参考图13和图14描述使用本发明热衰变材料形成图案的第三实施方案。图13和图14分别包括：包含通过使用上面所述的热衰变树脂薄膜，蚀刻掩模形成图案，并且通过使用它对半导体薄膜形成图案的工艺流程的剖视图。在此，由同样的参考数字表示与第一实施方案中相同的元件。
同样，在此实施方案中，为了形成热衰变树脂薄膜，使用的是通过在溶剂中溶解上面所述的含可交联甲硅烷基的聚氧丙烯树脂和二酰基氧化膦化合物而制备的衰变树脂涂布溶液，如第一实施方案和第二实施方案中一样。
如图13(a)中所示，在半导体衬底31的表面上形成的热氧化物薄膜(未显示)，且在热氧化物薄膜上，沉积多晶硅薄膜等的半导体薄薄膜312，并且以旋涂方式，在半导体薄薄膜312上涂布上面所述的衰变树脂涂布溶液。然后，在旋涂后，在80℃的温度预烘焙，以蒸发不需要的溶剂。如此，形成厚度为1μm左右的热衰变树脂薄膜33。
接着，如图13(b)中所示，以与常规光刻中相同的方式曝光。具体而言，使用包含石英玻璃衬底313和在它的表面上形成的光屏蔽薄膜图案314的标线片315作为光掩模，以通常减少投影曝光的方式向其照射曝光光316，由此通过曝光转印而对热衰变树脂薄膜33形成图案。如此，在热衰变树脂薄膜33的预定区域中形成光固化区域33a。在此，使用ArF受激准分子激光器的光(layer)(波长：约193nm)为曝光光316。
接着，在氧气气氛中，将其在温度150℃左右进行热处理。通过热处理，在除热衰变树脂薄膜33的光固化区域33a外的区域的热衰变树脂被热解和完全衰变。但是，在上面所述150℃左右的温度，热衰变树脂薄膜33的光固化区域33a不热解，而是保留在它原来存在的地方。如此，如图13(c)中所示，对热衰变树脂薄膜33形成图案，以在半导体薄膜312上形成蚀刻掩模317。在此，一个重要的事实是：设计上面所述的热处理温度，以高于不用光316照射的区域中热衰变树脂薄膜33的分解和衰变温度，但是低于用光316照射的区域中热衰变树脂薄膜33的分解和衰变温度，或也就是说，其光固化区域33a分解和衰变。
与此相反，在常规的光刻胶薄膜的形成图案中，光刻胶中的官能团对光敏感，因此如上所述，在图16(b)的步骤中，通过曝光改变光刻胶的基础树脂。。具体而言，基础树脂的共聚合被分开(在阳图型光刻胶中)或聚合被促进(在阴图型光刻胶中)。如此，在为了达到图案形成的下一个显影步骤中，通过曝光已经改变的基础树脂溶解。
因此，该实施方案也不需要常规光刻中的显影步骤，能够极大地降低图案形成的成本。
接着，如图14(a)中所示，通过蚀刻掩模317，用等离子体干法蚀刻半导体薄薄膜312。因此，例如，形成栅电极318。
接着，如图14(b)中所示，在氮气气氛中，将其在200℃至250℃进行热处理。通过热处理，由热衰变树脂形成的蚀刻掩模317被热解，并且完全衰变和去除。在此，热处理的气氛可以是干空气。如此，通过对半导体薄薄膜312形成图案，在半导体衬底31上形成栅电极318。
同样在这种情况下，与现有技术的等离子体灰化去除相比，去除蚀刻掩模317是非常简单的，这能够极大地降低图案形成的成本。
在此，可以向此处所用的衰变树脂涂布溶液中加入聚丙二醇二丙烯酸酯基可光固化树脂。因此，向它加入这种光可交联材料，且可以选择性提高在曝光区域的衰变温度T1，高于在非曝光区域中的衰变温度T0。为此，如果在温度T(T0＜T＜T1)加热涂层，那么可以更容易形成光刻胶图案。
在形成图案后，在T(T＞T1)加热它，可以去除光刻胶图案。
(图案形成的第四实施方案)
参考图15描述使用本发明热衰变材料形成图案的第四实施方案。图15包括：包含通过使用上面所述的热衰变树脂薄膜，电镀掩模形成图案和通过使用它对用于块的金属薄膜形成图案的工艺流程的剖视图。在此，由同样的参考数字表示与第一实施方案中相同的元件。
同样在该实施方案中，为了形成热衰变树脂薄膜，使用的是通过在溶剂中溶解上面所述的、含可交联甲硅烷基的聚氧丙烯树脂和二酰基氧化膦化合物而制备的衰变树脂涂布溶液。
如图15(a)中所示，根据溅射方法，在其上形成有各种半导体元件(未显示)的半导体衬底上沉积绝缘体薄膜32，并且在绝缘体薄膜32上形成薄Cu层成为进料层319。接着，上面所述，根据旋涂方法，在它上面涂布衰变树脂涂布溶液，且以与图11(b)的步骤相同的方式，形成具有电镀开口320的电镀掩模321。此外，以与第一实施方案中相同的方式，电镀掩模321完全曝光于光，由此构成热衰变树脂薄膜以形成电镀掩模321的组合物被交联和光固化。
接着，将其在充满包含二价铜离子电镀溶液，例如铜离子含量为5至200g/升左右的硫酸铜的水溶液的电镀浴电镀。通过电镀处理，如图15(b)中所示，形成铜电极322，填充电镀开口320。在这个电镀步骤中，光固化电镀掩模321在电镀浴中没有溶胀，且它的图案没有变化。
接着，如图15(c)中所示，将其在200C至250℃的氮气气氛中进行热处理。通过热处理，由热衰变树脂形成的电镀掩模321被热解，并且完全衰变和去除。在此，热处理的气氛可以是干空气。如此，对金属薄膜形成图案，以得到在半导体衬底31上的绝缘体薄膜32上形成的铜电极322。在接下来的步骤中，通过蚀刻或离子研磨去除薄进料层319。
同样，以与上面相同的方式，除用金(Au)电镀代替铜电镀外，可以完全涂布由热衰变树脂形成的电镀掩模321。以与如上所述相同的方式对金属薄膜形成图案，能够在半导体芯片上形成块或布线。
如上所述，使用由本发明热衰变材料形成的电镀掩模极大降低了对金属薄膜形成图案的成本。
通过使用本发明热衰变材料的图案形成不限于上面所述的实施方案，且在本发明的技术范围可以适宜改变和修改实施方案。上面所述的实施方案用于说明半导体器件的制备。不受这些限制，本发明可应用于显示器例如液晶显示板、等离子体显示板的制备。在上面，蚀刻处理是用于干法蚀刻。也不受它的限制，本发明可适用湿法蚀刻。
参考下面的实施例更详细地描述本发明，但是，本发明应当不受这些
实施例的限制。
(实施例1)
在0.2升烧杯中，在黑暗中于50℃加热100g的烷氧基甲硅烷基改性的聚丙二醇(Kanegafuchi Chemical的MS Polymer S-303)和3g的二酰基氧化膦化合物(Ciba Specialty Chemical的Irgacure 819)，且用搅拌器混和，均匀得到热衰变材料(糊料)。
在聚对苯二甲酸乙二醇酯的薄膜上和厚度为25μm的铝板上涂布因此制备的热衰变材料(糊料)，以便它的厚度可以为100μm。在10mW/cm2的受控照射强度下，将涂布的物体曝光于来自于高压汞灯的365nm的UV射线60秒。在由此曝光于UV射线后，将其在80℃固化30分钟，得到热衰变薄片。
(实施例2)
在0.2升烧杯中，在黑暗中于50℃加热100g的烷氧基甲硅烷基改性的聚丙二醇(Kanegafuchi Chemical的MS Polymer S-303)和3g的二酰基氧化膦化合物(Ciba Specialty Chemical的Irgacure 819)，用搅拌器混和均匀。然后冷却至室温，向它加入3g的有机过氧化物：1，1-二(叔-己基过氧化)-3，3，5-三甲基环己烷(Nippon Yushi的Perhexa TMH)，制备热衰变材料(糊料)。
在聚对苯二甲酸乙二醇酯的薄膜上和厚度为25μm的铝板上涂布因此制备的热衰变材料(糊料)，以便它的厚度可以为100μm。在10mW/cm2的受控照射强度下，将涂布的物体曝光于来自于高压汞灯的365nm的UV射线60秒。在由此曝光于UV射线后，将其在80℃固化30分钟，得到热衰变薄片。
(比较例1)
在0.2升烧杯中，在黑暗中于50℃加热100g的甲基丙烯酸月桂基酯和1g的二酰基氧化膦化合物(Ciba Specialty Chemical的Irgacure 819)，用搅拌器混和均匀。然后，将其用氮气鼓泡10分钟，去除溶解的氧气，因此制备可光固化组合物。
在润滑剂处理过的聚对苯二甲酸乙二醇酯薄膜和厚度为25μm的铝板上涂布由此制备的可光固化组合物，以便它的厚度可以为100μm。在2mW/cm2的受控照射强度下，将涂布的物体曝光于来自于高压汞灯的365nm的UV射线30分钟，由此得到粘合剂薄片。
(评估)
在150℃至250℃加热时，从薄片的网纹、粘性和衰变时间评估实施例1和2和比较例1中形成的热衰变薄片。
结果示于表1中。
(来自于薄片的网纹的评估)
将宽度为25mm和厚度为50μm的薄而长的聚对苯二甲酸乙二醇酯薄片粘附到粘合剂薄片的粘合剂层，且该薄片从它的末端剥离。在这种情况下，肉眼观察薄片在剥离的界面上是否看得见网纹。
(粘性的评估)
用手指触摸热衰变薄片的粘合剂层，器官感觉评估样品，它是否粘性。
(在150℃至250℃加热的衰变时间的评估)
将具有铝板作为它的衬底的粘合剂薄片切割为5mm×5mm的小片，并且将得到的样品安置在预定的温度加热的电热板上。肉眼观察粘合剂层，有确定它的衰变时间。在该层衰变后，测量在铝板上保留的残余物的重量，计算通过加热重量的减少。
(实施例3)
在0.2升烧杯中，用搅拌器将20g的双封端缩水甘油醚聚丙二醇(Kyoeisha Chemical的Epolite 400P)和80g双封端的含氨基聚丙二醇(Huntsman的Jeffamin D2000，交联剂(1))混合均匀，得到本发明热衰变材料(糊料)。
以与实施例1相同的方式，将因此制备的热衰变材料(糊料)形成为100μm厚的涂布薄膜，在80℃的炉中固化2小时，得到交联薄膜。
以与实施例1相同的方式，在150℃、250℃和300℃加热得到的交联薄膜，确定衰变时间和样品衰变后残余物的重量。结果示于如下。
150℃ 衰变时间 500秒 重量减少95％
250℃ 衰变时间 20秒 重量减少98％
300℃ 衰变时间 5秒 重量减少98％
(实施例4)
在0.2升烧杯中，在黑暗中用搅拌器将95g的聚丙二醇单甲基丙烯酸酯(Nippon Yushi的Blemmer PP1000)、5g的聚丙二醇二丙烯酸酯(Toa Gosei的Aronix M270)和1g的二酰基氧化膦(Ciba Specialty Chemical的Irgacure 819)混和均匀，然后用氮气鼓泡10分钟以去除溶解的氧气，因此得到本发明热衰变材料(糊料)。
以与实施例1相同的方式，将因此制备的热衰变材料(糊料)形成为100μm厚的涂布薄膜，并且在10mW/cm2的UV强度下，曝光于来自高压汞灯的365nm的UV射线，以得到交联薄片。
以与实施例1相同的方式，在150℃、250℃和300℃加热得到的交联薄膜，确定衰变时间和样品衰变后残余物的重量。结果示于如下。
150℃ 衰变时间 500秒 重量减少93％
250℃ 衰变时间 25秒 重量减少98％
300℃ 衰变时间 15秒 重量减少98％
(实施例5)
以与实施例1相同的方式制备热衰变材料(糊料)，但是向其中加入2g的氢过化枯烯(cumene hydroxyperoxide)(过氧化物为分解促进剂)。以与实施例1相同的方式形成为热衰变薄片。
以与实施例1相同的方式，在150℃、250℃和300℃加热得到的交热衰变薄片，确定衰变时间和样品衰变后残余物的重量。结果示于如下。
150℃ 衰变时间 300秒 重量减少97％
250℃ 衰变时间 12秒 重量减少98％
300℃ 衰变时间 10秒 重量减少98％
(实施例6)
以与实施例1相同的方式制备热衰变材料(糊料)，但是向其中加入2g的AIBN(偶氮化合物为分解促进剂)。以与实施例1相同的方式形成为热衰变薄片。
以与实施例1相同的方式，在150℃、250℃和300℃加热得到的热衰变薄片，确定衰变时间和样品衰变后残余物的重量。结果示于如下。
150℃ 衰变时间 300秒 重量减少98％
250℃ 衰变时间 12秒 重量减少97％
300℃ 衰变时间 10秒 重量减少97％
(实施例7)
以与实施例1相同的方式制备热衰变材料(糊料)，但是向其中加入4g的氧化锡(分解促进剂)。以与实施例1相同的方式形成为热衰变薄片。
以与实施例1相同的方式，在150℃、250℃和300℃加热得到的热衰变薄片，确定衰变时间和样品衰变后残余物的重量。结果示于如下。
150℃ 衰变时间 350秒 重量减少98％
250℃ 衰变时间 12秒 重量减少97％
300℃ 衰变时间 10秒或更少 重量减少96％
(实施例8)
以与实施例1相同的方式制备热衰变材料(糊料)，但是向其中加入3g的十二烷硫醇(巯基化合物为分解迟滞剂)。以与实施例1相同的方式形成为热衰变薄片。
以与实施例1相同的方式，在150℃、250℃和300℃加热得到的热衰变薄片，确定衰变时间和样品衰变后残余物的重量。结果示于如下。
150℃ 衰变时间 800秒 重量减少96％
250℃ 衰变时间 30秒 重量减少97％
300℃ 衰变时间 15秒 重量减少97％
(实施例9)
以与实施例1相同的方式制备热衰变材料(糊料)，但是向其中加入2g的1，6-己二胺(胺化合物为分解迟滞剂)。以与实施例1相同的方式形成为热衰变薄片。
以与实施例1相同的方式，在150℃、250℃和300℃加热得到的热衰变薄片，确定衰变时间和样品衰变后残余物的重量。结果示于如下。
150℃ 衰变时间 750秒 重量减少95％
250℃ 衰变时间 30秒 重量减少96％
300℃ 衰变时间 15秒 重量减少97％
(实施例10)
以与实施例1相同的方式制备热衰变材料(糊料)，但是向其中加入2g的二月桂酸二丁锡(有机锡为分解迟滞剂)。以与实施例1相同的方式形成为热衰变薄片。
以与实施例1相同的方式，在150℃、250℃和300℃加热得到的热衰变薄片，确定衰变时间和样品衰变后残余物的重量。结果示于如下。
150℃ 衰变时间 800秒 重量减少95％
250℃ 衰变时间 40秒 重量减少96％
300℃ 衰变时间 20秒 重量减少98％
(实施例11)
以与实施例1相同的方式制备热衰变材料(糊料)，但是向其中加入3g的硼酸三丁基酯(有机硼为分解迟滞剂)。以与实施例1相同的方式形成为热衰变薄片。
以与实施例1相同的方式，在150℃、250℃和300℃加热得到的热衰变薄片，确定衰变时间和样品衰变后残余物的重量。结果示于如下。
150℃ 衰变时间 800秒 重量减少96％
250℃ 衰变时间 40秒 重量减少96％
300℃ 衰变时间 20秒 重量减少97％
(实施例12)
在如下表中的氮气或氧气浓度的气氛中，于150℃、250℃和300℃加热实施例1的热衰变薄片5分钟。加热后薄片的重量减少、其残余物量及其外观示于下面的表中。
250℃×5分钟
250℃×5分钟
在表中，用氧气浓度监控报警器：Gastec的OXYTEC mini-monitor，GOA-6H-S测量氧气浓度，且用百分比表示。
在表中，氧气浓度是用100减去上面所述的氧气浓度的值而得到的值。
表中的重量减少和残余物量、氧气浓度是100减去上面所述的氧气浓度的值而得到的值。
上面的结果证实当加热气氛中的氧气浓度越高时，本发明热衰变材料可以越有效地分解。
[多孔材料制备方法的实施例]
(实施例21)
在黑暗中约40℃加热80g的四乙氧基硅烷(由Shin-etsu Chemical制备)、20g的含水解甲硅烷基的聚丙二醇(Asahi Glass的Exsester ESS-3630)和3g的二酰基氧化膦衍生物(Ciba Specialty Chemical的Irgacure 819)，并且溶解以均匀。
将得到的组合物浇铸到由具有胶带的钢薄片形成的宽度10mm×长度30mm×深度0.05mm的框体中，并且曝光至高压汞灯(365nm，强度为10mW/cm2×60秒)，因此交联含水解甲硅烷基的聚丙二醇，并且控制共聚物的尺寸成为热衰变材料。在由此曝光后，然后将其原样在20℃固化48小时。得到挠性薄膜。在250℃的炉子中固化得到的薄膜10分钟。得到含有残余有机物含量至多为3％的刚性多孔板。按物体损失重量计评估残余有机物含量，所述的重量损失通过热重量减少(TGA，加热速度10℃/分钟，最高温度限制600℃)确定。
(实施例22)
在黑暗中约40℃加热80g的四乙氧基硅烷(由Shin-etsu Chemical制备)、12g的含水解甲硅烷基的聚丙二醇(Asahi Glass的Exsester ESS-3630)和8g的α，ω-二丙烯酰氧基聚丙二醇(Toa Gosei的Aronix M-270)和3g的二酰基氧化膦衍生物(Ciba Specialty Chemical的Irgacure 819)，并且溶解以均匀。
将得到的组合物浇铸到由具有胶带的钢薄片形成的宽度10mm×长度30mm×深度0.05mm的框体中，并且曝光至高压汞灯(365nm，强度为10mW/cm2×60秒)。在因此曝光后，然后将其原样在20℃固化24小时。得到挠性薄膜。在氟乙烯树脂烘焙的铁板上安置得到的薄膜，且在250℃的炉子中固化10分钟。得到残余有机物含量约为5％的刚性多孔板。在400℃进一步固化得到的刚性板30分钟。
(比较例21)
将80g的四乙氧基硅烷(由Shin-etsu Chemical制备)、在乙酸乙酯中的40g丙烯酸环己酯(数均分子量：100,000)(固体含量：50％)和2g的二月桂酸二丁基锡(由Wako Jun-yaku制备)的溶液浇铸到由具有胶带的聚乙烯薄片形成的宽度10mm×长度30mm×深度0.05mm的框体中，且在20℃固化48小时，同时在空气中干燥以蒸发乙酸乙酯。在250℃的炉子中固化得到的薄膜10分钟。得到刚性多孔板，但是它的残余有机物含量为30％。在400℃进一步固化得到的刚性板30分钟，它的残余有机物含量减少至最多为5％。
(实施例23)
包含烷氧基硅烷和热衰变材料的前体是液体复合材料，其中烷氧基硅烷已经部分水解和缩合，且该复合材料被用作SOG(spin-on-glass)涂布溶液，以在半导体器件的布线之间形成夹层绝缘薄膜。这参考图1详细描述。图1包括在将被加工的半导体衬底上形成MOSFET的工艺流程的剖视图，其中向两层布线结构体中的夹层绝缘薄膜涂布本发明的多孔材料。
如图1(a)中所示，根据槽元件分离方法，在硅衬底1上选择性地形成元件分离区域。然后，形成栅绝缘薄膜3；由包含有效杂质例如磷的多晶硅形成栅硅层4；通过离子注入，接着热处理，将杂质扩散层5a和5b形成为源区/漏区。接着，如图1(b)中所示，围绕栅硅层4的侧壁，由氧化硅薄膜等形成隔板3s。接着，根据溅射方法，在该结构体的整个表面上沉积高熔点金属例如钴(Co)，然后将其进行热处理以去除不需要的钴。如图1(c)中所示，在构成硅化物结构体的栅硅层4和杂质扩散层5a和5b上选择性地形成硅化物层6g、6a和6b。
接着，如图1(d)中所示，在该结构体的整个表面上形成第一夹层绝缘薄膜7。优选的是，通过化学气相沉积(CVD)形成由氧化硅薄膜形成的第一夹层绝缘薄膜7，且它的表面通过化学机械抛光(CMP)平面化。接着，在第一夹层绝缘薄膜7中形成第一接触孔9，且由金属例如钨(W)形成第一布线8。硅的热氧化物薄膜具有的相对介电常数为3.9，尽管取决于CVD中使用的反应气体，第一夹层绝缘薄膜7中的相对介电常数几乎为4左右。
在这之后，在1000至5000rpm的旋转速度下，根据旋涂方法，在该结构体的整个表面上涂布上面所述的SOG涂布溶液，以便它覆盖第一夹层绝缘薄膜7和第一布线层8。根据SOG涂布溶液的粘度或夹层绝缘薄膜的厚度，决定旋转速度。接着，在150℃至250℃的扩散炉中对通过旋涂由此形成的薄膜进行第一热处理10分钟左右。如此，如图1(e)中所示，形成残余有机物含量约为5％的刚性和多孔的第二夹层绝缘薄膜10。在400℃的扩散炉中，对因此形成的第二夹层绝缘薄膜10进行第二热处理30分钟。结果，第二夹层绝缘薄膜10变成多孔薄膜，其厚度为例如500nm左右和具有在薄膜中均匀分散的均匀尺寸的孔隙。最后，第二夹层绝缘薄膜10的相对介电常数可以是1.5至2.5左右。
在此，第一和第二热处理使用的气氛气体可以是氧气和氮气。如果第一热处理是在氧气气氛中进行，那么通过旋涂操作形成的涂布薄膜可以容易为多孔性的，且即使在130℃左右，也可以形成均匀的多孔层。在在氮气气氛中进行的第一热处理中，形成需要的多孔结构体的温度高于在氧气气氛中的温度。在第一热处理中，去除SOG涂布溶液的溶剂，并且将通过旋涂溶液形成的凝胶状涂布薄膜凝胶化。如果使用容易凝胶化的SOG涂布溶液，那么理想的是第一热处理在氧气气氛中进行。如果使用几乎不凝胶的SOG涂布溶液，那么理想的是第一热处理在氮气气氛中进行。
通过第一夹层绝缘薄膜7和第二夹层绝缘薄膜10形成接触孔11，且第二布线层12由金属例如铝(Al)形成。最后，形成钝化薄膜13，以覆盖该结构体的整个表面。如此，如图1(e)中所示，形成具有两层布线结构的半导体器件。虽然其中没有显示，但在硅衬底1上形成许多其它的半导体元件。
以如上所述的方式，在半导体器件中可以稳定地形成具有高均匀性的孔隙和具有低介电常数的夹层绝缘薄膜。夹层绝缘薄膜具有良好的机械强度和良好的耐吸潮性。此外，正如所计划的，可以高精确制备能够高速驱动的半导体器件，并且可以提供高可靠性的半导体器件。
在实施例23中，还可以向第一夹层绝缘薄膜7中涂布与用于第二夹层绝缘薄膜10相同的多孔材料。在这种情况下，因为以旋涂方式在该结构体的整个表面上涂布上面所述的SOG涂布溶液，使得第一夹层绝缘薄膜7的表面为平面，且它不需要CMP。但是，在这种情况下，理想的是在整个表面上形成的厚度至多为10nm的氮化硅薄膜，且在氮化硅薄膜上形成第一夹层绝缘薄膜7。
此外，在制备具有多层布线结构的半导体器件中，如实施例23中那样，容易的是：使用由上面所述的SOG涂布溶液形成的多孔材料作为在金属镶嵌结构或双金属镶嵌结构中的低介电常数夹层绝缘薄膜，金属镶嵌结构或双金属镶嵌结构使用铜为布线金属。这是因为，如上所述，夹层绝缘薄膜是在低温形成的低介电常数夹层绝缘薄膜并且能够在400℃左右进行热处理。
如上所述的实施方案是用来证实通过使用含硅氧烷骨架的缩聚化合物(具有Si-O结构作为其主骨架的含氢或有机化合物)形成多孔材料，但是，本发明不应当受到其限制。除了这些外，本发明热衰变材料还可以应用于制备具有有机聚合物主骨架的含硅有机薄薄膜的多孔材料。本发明人已经证实：可以应用本发明的述种类型的有机绝缘薄膜包括例如：BCB薄膜(由二乙烯基硅氧烷-苯并环丁烯聚合物形成的有机薄膜)和聚烯丙基醚-含Si键的有机绝缘薄膜。除了这些以外，在此还可以使用任何其它的具有有机聚合物主骨架的含硅有机薄薄膜，其通常包含有机硅氧烷或芳族和/或含烃链的有机硅氧烷。
可以以涂层上旋涂(spin om coating)方法或等离子体聚合方法的任何薄膜形成方法来形成上面所述的多孔有机薄薄膜。如果采用的是，那么首先以涂层上旋涂的方式，将主骨架材料单体沿着在其上的热衰变材料涂布衬底。然后，退火涂布的衬底，由此在衬底上的单体热聚合，以形成具有有机聚合物作为其主骨架的含硅有机薄薄膜。如果采用的是等离子体聚合，那么汽化主骨架材料单体和产生热衰变材料的单体，以引起单体蒸汽。向惰性气体中引入单体蒸汽，并且进一步聚合，以形成有机聚合物作为其主骨架的含硅有机薄薄膜。
至于含硅氧烷骨架的缩聚化合物，可以形成倍半硅氧烷(silsesquioxanes)的绝缘薄膜，或含Si-H键、Si-CH3键或Si-F键中的至少一个键的二氧化硅薄膜。在此，倍半硅氧烷的绝缘薄膜包括甲基倍半硅氧烷、氢倍半硅氧烷、甲基化的氢倍半硅氧烷或氟化的倍半硅氧烷形成的低介电常数薄膜。
上面所述的BCB薄膜具有的二氧化硅的含量可以为约20％，和在形成为多孔薄膜之前，它的相对介电常数可以为2.5左右。包括这种有机组分和二氧化硅组分或硅组分的这种类型的复合薄膜也可以是有机绝缘薄膜。此外，包括有机组分和二氧化硅组分或部分氮化的硅组分的复合薄膜还可以是有机绝缘薄膜。
[导电粒子转印薄片的实施例]
(实施例31)
将通过向100重量份的含可交联甲硅烷基的聚氧丙烯树脂(商品名，MSPolymer S303，由Kanegafuchi Chemical Industry制备)中加入3重量份的二酰基氧化膦化合物(商品名，Irgacure 819，由Ciba Specialty Chemical制备)而制备的液体树脂组合物，浇铸在薄片上，曝光于UV射线和固化，得到树脂薄片。得到的树脂薄片为具有凝胶状橡胶弹性的粘合剂薄片。
使用具有大量真空吸嘴的吸入垫，吸入导电微粒(商品名，MicropearlSOL，由Sekisui Chemical Industry制备)，然后粘附和安置在粘合剂薄片上，制备导电粒子转印薄片。
接着，以这样的方式将导电粒子转印薄片安置在其上提供有大量电极的半导体芯片组件上，以便半导体芯片组件的电极位置可以对应于导电微粒的位置并且导电微粒可以与电极直接接触。将其用焊料回流装置处理，并且导电微粒与电极熔化粘合且粘合剂薄片衰变。
[用于电路形成的转印薄片的实施例]
(实施例31)
将通过向100重量份的含可交联甲硅烷基的聚氧丙烯树脂(商品名，MSPolymer S303，由Kanegafuchi Chemical Industry制备)中加入3重量份的二酰基氧化膦化合物(商品名，Irgacure 819，由Ciba Specialty Chemical制备)而制备的液体树脂组合物，涂布在厚度为25μm的聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)薄膜的表面上，以在其上形成干燥厚度可以为10μm的涂布层。将其曝光于UV射线且固化，得到粘合剂薄片。得到的薄片是粘稠的，并且具有凝胶状橡胶弹性。接着，将厚度为12μm的电解铜箔与粘合剂薄片粘附，以制备铜箔粘附的粘合剂薄片。
将干薄膜光刻胶粘附在上面制备的铜箔粘附的粘合剂薄片的铜箔侧，且将其通过线宽为30μm和线与线之间的距离为30μm的形成电路图案的光掩模曝光，然后显影和蚀刻，且剥去和冲洗光刻胶，得到用于电路形成的转印薄片。
将因此得到的用于电路形成的转印薄片的铜箔电路图案侧安置到半固化的、由玻璃钢板形成的绝缘衬底中，且在130℃的氮气气氛中热压，由此粘合铜箔电路图案和绝缘衬底。接着，在180℃的氮气气氛中，将它放置在炉子中，因此热衰变树脂衰变，且粘合剂薄片剥离，因此，电路图案精确地转印到绝缘衬底上。
(实施例32)
以与实施例31相同的方式，制造用于电路形成的转印薄片，其在粘合剂薄片表面上形成有电路图案，但是其中电路图案的线宽为20μm。
将因此得到的用于电路形成的转印薄片的铜箔电路图案侧安置到半固化的、由玻璃钢板形成的绝缘衬底中，且在130℃的氮气气氛中热压，由此粘合铜箔电路图案和绝缘衬底。接着，在180℃的氮气气氛中，将它放置在炉子中，在此加热，直到热衰变树脂可以衰变和粘合剂薄片可以剥离。当在氮气气氛中进行热压和当该结构体放置在炉子中时，分解气体不同时产生，并且线宽为20μm的电路图案精确地转印到绝缘衬底上，因为保持氧气浓度低。
(实施例33)
以与实施例31中相同的方式，制造用于电路形成的转印薄片。将因此得到的用于电路形成的转印薄片的铜箔电路图案侧安置到陶瓷印刷电路基板上，且在130℃下热压，因此粘合铜箔电路图案和陶瓷印刷电路基板。接着，在180℃的氮气气氛中，将它放置在炉子上，因此，热衰变树脂衰变和粘合剂薄片剥离，因此电路图案精确地转印到陶瓷印刷电路基板上。
(实施例34)
通过使用包含本发明热衰变材料的用于电路形成的转印薄片，在半导体芯片上形成重新排列的布线，以形成用于高密度封装的块。该实施例是用于证实它。这参考图9描述。
如图9(a)中所示，以与实施例31中相同的方式，形成粘合剂薄片212，且在它的表面上形成用于重新排列布线的铜金属层213，以制备用于电路形成的转印薄片211。金属层213的线宽为10μm左右，且其厚度为5μm左右。将半导体器件，在130℃的氮气气氛中，以热压方式与用于电路形成的转印薄片211粘合：所述的半导体器件包含半导体芯片214、与半导体芯片214里面的布线层连接的电极极板215和在它们之间通过粘合剂层216而与半导体芯片214粘合的绝缘衬底217，且其中形成透孔，所述的透孔经过绝缘衬底217和粘合剂层216到达电极极板215，且透孔填充有导电物质218。在此，绝缘衬底217由挠性材料例如聚酰亚胺带或刚性材料例如FR-4形成。粘合剂层216由热固性或热塑性粘合剂形成。
接着，在氮气气氛中，将其在150℃的炉子中进行热处理。通过热处理，粘合剂薄片212热解和完全衰变。然后，如图9(b)中所示，将成为重新排列布线的金属层23与导电物质218连接，且转印到绝缘衬底217的表面上，因此构造半导体器件。此外，如图9(c)中所示，根据已知的方法，在190℃左右的温度下，在金属层213的重新排列布线上熔化粘合焊料块219。
如此，完成半导体器件，其包含半导体芯片214、与半导体芯片214里面的布线层连接的电极极板215和在它们之间通过粘合剂层216而与半导体芯片214粘合的绝缘衬底217，在经过绝缘衬底217和粘合剂层216到达电极极板215的透孔中填充的导电物质218，及其还包含通过导电物质218与电极极板215电连接的用于重新排列布线的金属层213，和用于连接器件与外部封装衬底的焊料块219。在因此制造的半导体器件中，重新排列布线可以容易根据外部封装布线衬底而变化，因此这种类型的半导体器件具有宽范围，以满足不同客户的不同使用条件。因此，本发明在可实际应用的封装水平中促进了定制的半导体器件的制造。此外，在如上所述本发明中重新排列布线的形成中，加热温度为200℃或更低(焊料块形成的温度)且相对低，因此，这根本没有改变半导体芯片的性能。因此，在本发明中，可以容易制备CSP(芯片尺寸组件)半导体器件中的电子结构体。
以上本发明参考它的具体实施方案进行了详细描述，但是对本领域的技术人员显而易见的是：在实施方案中可以作出各种改变和修改没有超过本发明精神和范围。
本申请基于：2002年11月29日提交的日本专利申请(专利申请号2002-349192)、2002年11月29日提交的日本专利申请(专利申请号2002-349194)、2002年11月29日提交的日本专利申请(专利申请号2002-349195)、2003年2月3日提交的日本专利申请(专利申请号2003-26330)、2003年2月26日提交的日本专利申请(专利申请号2003-49842)和2003年11月25日提交的日本专利申请(专利申请号2003-394620)，其全部内容在此作为参考引入。
工业适用性
本发明热衰变材料在通常的使用温度下几乎不恶化和分解，当在相对低温下加热时，它们可以在短时间内衰变。
根据通过使用本发明热衰变材料制备多孔材料的方法，制备前体，其包含形成骨架的可交联材料(a)和包含本发明聚氧化烯树脂作为其主要成份且加热分解和蒸发的热衰变材料(b)，且在不低于热衰变材料在加热下衰变的温度的温度加热前体，由此衰变热衰变材料以形成大量的孔隙，且可以得到具有可交联材料(a)的交联的骨架相作为其基质的多孔材料。因此，可以以相对简单的方法制备多孔材料。
此外，可以通过将热衰变材料(b)分散在形成骨架的可交联材料(a)中来制备前体，且如果热衰变材料仅均匀分散其中，那么可以容易得到具有均匀分散孔隙的多孔材料。此外，如果控制热衰变材料分散粒子的粒子尺寸，那么可以容易形成相对大的孔隙，且可以容易制备具有均匀尺寸孔隙的多孔材料。此外，因为加热时热衰变材料完全衰变，它留下很少的残余物和几乎不提高已经衰变的热衰变材料的结构体的介电常数。
因此，根据本发明的制备方法，可以容易地提供具有低介电常数同时具有介电特性很小波动的多孔材料，并且容易提供具有由多孔材料形成的夹层绝缘薄膜的电子部件。
如果使用本发明热衰变材料，那么导电微粒可以在电子部件的电极上精确地安置，而不移动或掉落。此外，多种电镀导电微粒可以同时牢固而容易与电子部件的电极连接。为此，本发明提供了满足这些要求的导电粒子转印薄片和用于连接导电微粒与电极的方法。
电子部件是指包括半导体芯片、树脂封入的半导体器件、封装衬底例如安置在这些部件上的印刷电路板。但是，当采用CSP方法时，可以在半导体晶片上形成导电微粒，因此半导体晶片也在电子部件的范围内。
导电粒子转印薄片具有安置在热衰变薄片预定位置的导电微粒。加热时，薄片本身衰减。因此，转印薄片对于在电子部件例如半导体芯片上粘合块或焊料球是有效的。
包含本发明热衰变材料的用于电路形成的转印薄片包含粘合剂薄片，所述的粘合剂薄片在其上具有包含能够在加热下分解的热衰变树脂，包含这种热衰变树脂的树脂组合物，或包含这种热衰变树脂的复合薄膜。如果电路图案由薄片转印，那么粘合剂薄片衰变或由于通过热衰变树脂的分解产生蒸汽而降低它的粘合力。因此，即使粘合剂薄片具有高粘合力，或即使它具有含非常窄的线宽的电路图案和当电路图案由它转印时，电路图案也可以很好地转印到绝缘衬底上或陶瓷印刷电路基板上，而没有图案扰动。因此，本发明可以高精确地且在高生产能力下制备具有进一步提高的布线密度和能够更高密度封装的电路板。
通过使用本发明的用于电路形成的转印薄片，甚至可以向用于液晶显示板、等离子体显示板的衬底上转印电路图案。
根据使用本发明热衰变材料达到的形成图案的方法，与常规光刻相比，可以极大简化图案形成。因此，本发明可以进一步提高各种材料的形成图案技术的精确性和进一步减少形成图像的成本。结果，可以因此极大减少半导体器件的生产成本。
机译： 热消失材料，使用相同材料的转印纸以及形成图案的方法
机译： 热消失材料，使用相同材料的转印纸以及形成图案的方法
机译： 热消失材料，使用相同材料的转印纸以及形成图案的方法
