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磁光存储介质的再现方法和使用该方法的磁光存储装置

摘要

提供了一种磁光存储介质的再现方法和使用该方法的磁光存储装置。该磁光存储装置能够使用设有记录层和再现层的磁光存储介质。在该磁光存储介质中,记录层中的信息通过按用于再现的给定强度照射光并通过施加再现磁场被转移到再现层。包含在其给定区域中的信息能够得到再现。该磁光存储装置包括:光头,至少按用于再现的给定强度向所述给定区域照射光;永磁体,向所述给定区域至少施加再现磁场;以及控制单元,控制光头和永磁体以再现信息,计算与该再现相关联的再现差错率,并且基于再现差错率改变再现磁场的强度。

著录项

  • 公开/公告号CN1695189A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2005-11-09

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 富士通株式会社;

    申请/专利号CN02829894.2

  • 发明设计人 难波义幸;

    申请日2002-11-29

  • 分类号G11B11/105;

  • 代理机构北京三友知识产权代理有限公司;

  • 代理人李辉

  • 地址 日本神奈川县川崎市

  • 入库时间 2023-12-17 16:38:09

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2010-07-14

    发明专利申请公布后的视为撤回 IPC(主分类):G11B11/105 公开日:20051109 申请日:20021129

    发明专利申请公布后的视为撤回

  • 2006-01-04

    实质审查的生效

    实质审查的生效

  • 2005-11-09

    公开

    公开

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