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对基片上薄膜区域作激光结晶处理以最小化边缘区域的过程和系统,及如此薄膜区域的结构

摘要

本发明提供处理薄膜样本(170)的处理和系统。更特别地,可以控制光束发生器(110)发射至少一个光束脉冲(111)。然后掩模所述光束脉冲(111)来产生至少一个经掩模的光束脉冲(164),再用它来照射薄膜样本(170)的至少一个部分(510)。用至少一个经掩模的光束脉冲(164)以足够使这样的部分(510)结晶的强度照射薄膜样本(170)的部分(510)。允许薄膜样本(170)的此部分(510)结晶,它在结晶后由第一个区域(518)和第二个区域(515)组成。在结晶后,第一个区域(518)包括第一组晶粒,第二个区域(515)包括第二组晶粒,第一组晶粒的至少一个特性不同于第二组晶粒的至少一个特性。第一个区域(518)包围第二个区域(515),并配置为允许在与其间隔一段距离处提供薄膜晶体管(TFT)(610)的活跃区域(618)。

著录项

  • 公开/公告号CN1685474A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2005-10-19

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 纽约市哥伦比亚大学托管会;

    申请/专利号CN03822483.6

  • 发明设计人 J·S·艾姆;

    申请日2003-08-19

  • 分类号H01L21/20;H01L21/36;H01L29/04;

  • 代理机构31100 上海专利商标事务所有限公司;

  • 代理人钱慰民

  • 地址 美国纽约州

  • 入库时间 2023-12-17 16:38:09

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2017-10-10

    未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L21/20 授权公告日:20090204 终止日期:20160819 申请日:20030819

    专利权的终止

  • 2009-02-04

    授权

    授权

  • 2005-12-14

    实质审查的生效

    实质审查的生效

  • 2005-10-19

    公开

    公开

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