公开/公告号CN1685474A
专利类型发明专利
公开/公告日2005-10-19
原文格式PDF
申请/专利权人 纽约市哥伦比亚大学托管会;
申请/专利号CN03822483.6
发明设计人 J·S·艾姆;
申请日2003-08-19
分类号H01L21/20;H01L21/36;H01L29/04;
代理机构31100 上海专利商标事务所有限公司;
代理人钱慰民
地址 美国纽约州
入库时间 2023-12-17 16:38:09
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2017-10-10
未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L21/20 授权公告日:20090204 终止日期:20160819 申请日:20030819
专利权的终止
2009-02-04
授权
授权
2005-12-14
实质审查的生效
实质审查的生效
2005-10-19
公开
公开
机译: 在最小化边缘区域的底物上进行薄膜区域激光晶化处理的过程和系统,以及这种薄膜区域的结构
机译: 在最小化边缘区域的底物上进行薄膜区域激光晶化处理的过程和系统,以及这种薄膜区域的结构
机译: 在最小化边缘区域的底物上进行薄膜区域激光晶化处理的过程和系统,以及这种薄膜区域的结构