光学信息存储介质和在光学信息存储介质上记录信息和/或从光学信息存储介质上再现信息的方法

摘要

一种光学信息存储介质包括导入区、用户数据区和导出区。数据在全部或部分导入区中被记录为凹坑摆动，并且数据在光学信息存储介质的剩余区被记录为凹坑。一种在光学信息存储介质上记录信息和/或从光学信息存储介质上再现信息的方法。

说明书

                        技术领域

本发明涉及一种光学信息存储介质和在光学信息存储介质上记录信息和/或从光学信息存储介质上再现信息的方法。更具体地讲，本发明涉及这样一种光学信息存储介质，在其中数据在导入区的全部或部分中被记录为凹坑摆动(pit Wobble)并且在光学信息存储介质的剩余区被记录为凹坑，及一种在光学信息存储介质上记录信息和/或从光学信息存储介质再现信息的方法。

                        背景技术

光盘通常被用作无需接触光盘在光盘上记录信息和/或从光盘再现信息的光学拾取设备的信息存储介质。光盘根据其信息记录容量被划分为压缩盘(CD)或数字通用光盘(DVD)。CD和DVD还包括650MB的CD-R、CD-RW，4.7GB的DVD+RW、DVD随机存取存储器(DVD-RAM)、DVD-R/可重写(DVD-RW)等等。只读盘包括650MB的CD、4.7GB的DVD-ROM等。另外，具有20GB或更大记录容量的高密度数字通用盘(HD-DVD)已经被开发。

然而，根据被兼容地用于再现设备的光学信息介质类型，上述提及的光学信息介质被标准化。因此，用户可方便地使用光学信息介质，并且购买光学信息介质的费用可被节省。将没有被标准化的存储介质标准化的尝试已经进行。具体地讲，新存储介质的格式必须被开发从而新存储介质与现存的存储介质兼容或一致。同时，现存存储介质使用将数据记录为凹坑(pit)或沟槽摆动(groove wobble)的方法。这里，凹坑是当制造盘时物理地形成在基片上的微小的划痕，和沟槽摆动是以波形形成的沟槽。另外，当沟槽摆动信号被检测为推挽式信号时，凹坑信号被检测为抖动值(jitter value)。

图1是推挽式信号和抖动关于沟槽摆动或凹坑的深度的示图。在推挽式信号最高处沟槽摆动的深度大约是1/8(λ/n)。在测量的抖动最小处凹坑的深度是1/4(λ/n)。在具有沟槽摆动和凹坑的光学信息存储介质中，优选地是鉴于推挽式信号和抖动的特性，沟槽摆动的深度与凹坑的深度不同。然而，在沟槽摆动的深度与凹坑的深度不同的情况下，需要用于形成沟槽摆动和凹坑的单独的过程。因此，制造光学信息存储介质的过程被复杂化。结果，难于大量生产光学信息存储介质。另外，如果沟槽摆动的深度与凹坑的深度一样以简化制造光学信息存储介质的过程，则推挽式信号和抖动之一或二者的特性恶化并且数据记录/再现的效率变低。

                        发明内容

本发明提供一种光学信息存储介质，其可通过简单的过程被制造，产生有效信号特性，并与不同类型的光学存储介质一致。

根据本发明的一方面，提供了一种光学信息存储介质，其包括导入区、用户数据区和导出区。数据在导入区的全部或部分中被记录为凹坑摆动，并且数据在光学信息存储介质的剩余区被记录为凹坑。

数据在其中被记录为凹坑摆动的区域可以是关于符合相同物理格式的存储介质的未被更改的信息被记录在其中的区域。

数据在其中被记录为凹坑摆动的区域可以是与光学信息存储介质相关的信息被记录在其中的区域。

用于数据在其中被记录为凹坑摆动的区域的数据记录调制方法与用于数据在其中被记录为凹坑的剩余区的数据记录调制方法不同。

用于数据在其中被记录为凹坑摆动的区域的数据记录调制方法可是双相调制方法，和用于数据在其中被记录为凹坑的剩余区的数据记录调制方法可是RLL调制方法。

凹坑摆动的模式可与用于用户数据区的模式匹配。

凹坑摆动的模式可是单一模式、随机模式、或者至少两种或更多模式的组合。

根据本发明的另一方面，提供一种在光学信息存储介质上记录信息和/或从光学信息存储介质上再现信息的方法，该介质具有导入区、用户数据区和导出区。数据在导入区的全部或部分中被记录为凹坑摆动。数据在光学信息存储介质的剩余区被记录为凹坑。

将在接下来的描述中部分阐述本发明另外的方面和/或优点，还有一部分通过描述将是清楚的，或者可以经过本发明的实施而得知。

                        附图说明

图1是示出基于根据相关的技术的沟槽摆动的深度或凹坑的深度推挽式信号和抖动的变化的示图；

图2是示出可记录高密度光学信息存储介质的物理结构的示意图；

图3是示出沟槽摆动的记录调制方法的示图；

图4是根据本发明的实施例的光学信息存储介质的整体结构的示意图；

图5是示出根据本发明的实施例在光学信息存储介质上记录数据的方法的示图；

图6A至6C是示出根据本发明的实施例的凹坑摆动的模式的示图；

图7A是示出根据本发明的实施例的连续的凹坑摆动的示图；

图7B是示出根据本发明的实施例的非连续的凹坑摆动的示图。

                        具体实施方式

图2是示出在由本发明申请人提交的公开号为2001-23747的韩国专利中公开的可记录高密度光学信息存储介质的物理结构的示意图。该可记录高密度光学信息存储介质包括导入区110、用户数据区120和导出区130，并且具有沟槽轨道123和槽脊(land)轨道125。这里，用户数据可被只记录在沟槽轨道123中或在沟槽轨道123和槽脊轨道125中。

当只读数据被记录在导入区110时，具有特定频率和波形的摆动信号105和106被顺序地记录在沟槽轨道的侧壁和/或槽脊轨道，而不是凹坑。这里，激光束L被辐射到沟槽轨道123和/或槽脊轨道125上以在沟槽轨道123和/或槽脊轨道125上记录数据或从沟槽轨道和/或槽脊轨道125再现数据。具体地讲，导入区110和导出区130的每个包括与盘相关的信息被记录在其中的只读区和可记录区。与盘相关的信息被以高频摆动105的形式记录在导入区110的可记录区中。导出区130和用户数据区120包括相对低于高频摆动105的频率摆动106。标号127表示在用户数据区120中形成的记录标记。

在具有上述结构的光学信息存储介质中，通过使用推挽式信道只读数据可被从导入区110再现，并且通过使用和信道(sum channel)用户数据可被从用户数据区120再现。另外，在导入区110中记录的数据通过使用双相调制方法被调制，并且用户数据通过使用将在后面描述的游程长度受限(RLL)调制方法被调制。双相调制方法指的是一种取决于信号是否在预定的周期P内改变的调制数据的方法。例如，如图3所示，当沟槽摆动的相位在预定的周期P内没有改变时，则0位的数据被显示。当沟槽摆动的相位在预定的周期P内改变时，则1位的数据被显示。换言之，双相调制方法是取决于预定的信号是否在预定的周期改变，例如，取决于信号的相位是否在预定的周期改变而记录数据的方法。这里，沟槽摆动的相位的调制已经描述过，但是不同模式可被调制。

鉴于上述的可记录高密度光学信息存储介质的记录调制方法与根据本发明的实施例的只读光学信息存储介质的记录调制方法一致，只读光学信息存储介质的物理数据结构可被构建为如下。

参照图4，根据本发明的实施例的光学信息存储介质包括：数据区13，用户数据被记录在其中；导入区10，其形成在数据区13内部；和导出区15，其形成在数据区13的外部。在导入区10、数据区13和导出区15中，数据被记录为凹坑。具体地讲，如图5所示，在导入区10的全部或部分中，数据被记录为凹坑摆动8。在光学信息存储介质的剩余区中，数据被记录为普通凹坑9。凹坑摆动8是以波形排列的凹坑。普通凹坑9是指以直线排列的凹坑。以下，普通凹坑9被简称作“凹坑9”。

凹坑摆动8形成在导入区10的区域中，关于符合相同的物理格式的存储介质的不被修改的信息(例如，调制方法、最小凹坑长度、轨道间距等)被记录在其中。这里，关于符合相同的物理格式的存储介质的不被修改的数据的例子是与存储介质相关的信息或复制保护信息。例如，与存储介质相关的信息包括关于存储介质的类型的信息，如可记录盘、一次性可记录盘、只读盘，关于记录层数的信息，关于记录速度的信息，关于盘的尺寸的信息等等。取决于存储介质的内容而改变的信息，例如，在其中数据被记录的部分用户数据区的最终地址的信息，被记录为凹坑9。

关于符合相同物理格式的存储介质的不被修改的数据被记录在其中的区域可是导入区10的全部或部分。例如，优选地是在关于符合相同物理格式的存储介质的不被修改的数据被记录的导入区10的与存储介质相关的信息区域中，数据被记录为凹坑摆动8，并且在光学信息存储介质的剩余区，数据被记录为凹坑9。

凹坑摆动8可具有与先前描述的可记录高密度信息存储介质的沟槽摆动相同的周期。然后，通过使用与可记录高密度信息存储介质的再现信道相同的再现信道，数据可被再现。

凹坑摆动8的模式可使用不同的方法被实现。例如，如图6A所示，凹坑摆动8的模式可是由具有相同长度的标记8a和空白区(space)8b形成的单一标记模式。在这种单一标记模式中，凹坑不具有信息，但是信息可被记录在摆动中。这里，推挽式信道可被用作凹坑摆动的再现信道。在通过使用推挽式信道再现记录在导入区10中的信息并且通过使用和信道再现记录在用户数据区13中的信息的情况下，与先前描述的可记录高密度信息存储介质的再现信道相同的再现信道可被使用，这在一致性上是有利的。

单一标记模式在简化制造记录介质的过程中是有用的。然而，根据在轨道伺服中使用的微分相位检测(DPD)方法，使用单一标记模式或执行轨道操作是困难的。DPD方法已经众所周知，并因此将不在此描述。

鉴于这点，如图6B所示，凹坑摆动8的模式可是随机模式。随机模式指的是在其中具有不同长度的标记8a和具有不同长度的空白区8b被随机排列并且在其中信息可被记录在凹坑和/或抖动中的模式。如果信息被记录在凹坑和摆动中，则通过使用和信道或推挽式信道信息可被从凹坑和摆动中再现。另外，为了增加记录容量，与存储介质相关的信息可被记录在凹坑中，并且其它信息可被记录在摆动中，或与存储介质相关的信息可被记录在摆动中，并且其它信息可被记录在凹坑中。

如图6C所示，凹坑摆动8可以通过在其中具有至少两个不同长度的标记和具有两个不同长度的空白区的序列被重复的模式被形成。例如，凹坑摆动8可以通过在其中长度为2T的标记和空白区，和长度为5T的标记和空白区被重复地排列的模式而被形成。这里，T表示最小标记长度。

信息通常被记录在凹坑摆动8的凹坑中。然而，预定的信息可被记录在凹坑摆动8的摆动中。凹坑摆动8可被重复地记录以提高这种信息的可靠性。如图7A所示，凹坑摆动20至少连续两次被形成以记录数据。这里，凹坑摆动20可具有周期P和被连续地形成的相同种类的信息。当具有不同种类的信息的第一和第二凹坑摆动被形成时，第一凹坑摆动可被记录至少连续两次，随后第二凹坑摆动可被记录至少连续两次。另外，包括不同种类信息的多个凹坑摆动可被顺序地记录至少连续两次。

如图7B所示，凹坑摆动21可被记录至少非连续的两次。这里，普通凹坑23可被重复地形成在非连续凹坑摆动21之间。换言之，当包括不同种类的信息的第一和第二凹坑摆动被形成时，第一凹坑摆动和普通凹坑可被形成，并随后第二凹坑摆动和普通凹坑可被形成。因此，当包括不同种类的信息的多个凹坑摆动被形成时，普通凹坑可被形成在多个凹坑摆动之间。这里，镜像区域(mirror area)可替代普通凹坑。

如上所述，凹坑摆动可被重复地记录以即使信息中任何一片为缺陷时也能平滑地再现所有的信息。结果，信息的可靠性可被提高。

当制造光学信息存储介质时，凹坑摆动8和凹坑9预先形成在基片上。如果数据在光学信息存储介质上的任何地方被记录为凹坑，则凹坑可形成在导入区10和用户数据区18中而无需停止形成凹坑的过程。因此，制造光学信息存储介质的过程可被简化，并且执行该过程所需的时间可被减少。另外，由于根据本发明实施例的光学信息存储介质不具有沟槽摆动，所以凹坑可以最佳深度被形成。换言之，如参照图1所描述的，凹坑可以在抖动最低的深度，例如1/4(n/λ)处被形成。

在整个导入区10或部分导入区10即与存储介质相关的信息区域10a中使用的数据记录调制方法可与在信息存储介质的剩余区域中使用的数据记录调制方法不同。例如，双相调制方法可被用于整个导入区10，或仅于导入区10的与存储介质相关的信息区域10a，而RLL调制方法被用于信息存储介质的剩余区域。

RLL调制方法表示有多少个值为“0”的位存在于两个值为“1”的位之间。这里，RLL(d，k)表示在两个值为“1”的位之间的值为“0”的位的最小数目和最大数目分别是d和k。

例如，数据可根据双相调制方法被记录在与存储介质相关的信息区域10a和根据RLL(1，7)调制方法被记录在导入区10的剩余区。

如图6A至6C所示，在双相调制方法中，如果凹坑摆动的相位在预定的时间周期内没有改变，则值为“0”(或“1”)的位的数据被记录，并且如果凹坑摆动的相位在预定的时间周期内改变，则值为“1”(或“0”)的位的数据被记录。

在RLL(1，7)调制方法中，值为“1”的位之间的值为“0”的位的最小数目和最大数目分别是1和7。根据RLL(1，7)调制方法，当d＝1时，数据1010101被记录，并且因此两个值为“1”的位之间的标记或空白区的长度是2T。另外，当d＝7时，数据10000000100000001被记录，并因此两个值为“1”的位之间的标记或空白区的长度是8T。因此，在RLL(1，7)调制方法中，数据被记录为长度为2T的标记和空白区，和长度为8T的标记和空白区。这里，根据双相调制方法被记录的数据包括长度为nT的凹坑和空白区，和长度为2nT的标记和空白区。n的值可在2≤n≤4的范围内。例如，如果n＝2，则根据双相调制方法记录的数据包括长度为2T的凹坑和空白区，和长度为4T的标记和空白区。如果n＝4，则根据双相调制方法记录的数据包括长度为4T的凹坑和空白区，和长度为8T的标记和空白区。因此，当n在2≤n≤4的范围内时，包括长度为nT的凹坑和空白区，和长度为2nT的凹坑和空白区的所有数据被包括在根据RLL(1，7)调制方法形成的标记和空白区的长度范围之内。

当根据双相调制方法形成的标记和空白区的周期被包括在形成在用户数据区中的标记和空白区的周期的范围内时，通过使用锁相回路(PLL)电路，在全部或部分导入区中的只读数据凹坑和在用户数据区13中的数据凹坑可被再现。

作为另一例子，通过使用双相调制方法，数据可被记录在全部或部分导入区10中，例如，在与存储介质相关的信息区域10a中，和通过使用RLL(2，10)调制方法，数据可被记录在信息存储介质的剩余区域中。

根据RLL(2，10)调制方法，数据被记录为长度在3T-11T范围内的标记8a和空白区8b。这里，根据双相调制方法记录的数据可包括长度为nT的标记9a和空白区9b，和长度为2nT的标记9a和空白区9b，并且n可在3≤n≤5的范围内。换句话说，当n＝3时，根据双相调制方法记录的数据可包括长度为3T的标记和空白区，和长度为6T的标记和空白区。当n＝5时，根据双相调制方法记录的数据可包括长度为5T的凹坑和空白区，和长度为10T的凹坑和空白区。根据双相调制方法记录的凹坑和空白区的长度在3T-11T的范围内，例如，根据RLL(2，10)记录的用户数据的长度的范围内。因此，如先前所述，通过使用相同的PLL电路，在用户数据区的数据凹坑和在导入区的数据可被再现。

上述在光学信息存储介质上记录数据和/或从光学信息存储介质上再现信息的方法可被应用到具有一个或多个信息层的存储介质。

尽管显示和描述本发明某些实施例，但本领域的技术人员应该理解，在不脱离本发明的原理、精神和由所附权利要求及其等同物所限定的范围的情况下，可以在实施例中做出改变。

                        产业上的可利用性

如上所述，根据光学信息存储介质和在光学信息存储介质上记录信息和/或从光学信息存储介质上再现信息的方法，凹坑被形成在整个光学信息存储介质上。因此，制造光学信息存储介质的过程可被简化。另外，凹坑可以其最佳信号被输出的深度被形成。因此，记录/再现特性可被改进。

另外，用于导入区的全部或部分的数据记录调制方法和用于光学信息存储介质的剩余区中的数据记录调制方法可与用于可记录光学信息存储介质上的记录调制方法一致。因此，只读光学信息存储介质可与其它存储介质一致。而且，大量数据可与数据被记录为沟槽摆动时比较的被记录，并且使用相同PLL电路在导入区中记录的只读数据并且用户数据被再现。