法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2014-04-16
未缴年费专利权终止 IPC(主分类):C04B35/462 授权公告日:20081231 终止日期:20130224 申请日:20050224
专利权的终止
2008-12-31
授权
授权
2005-11-23
实质审查的生效
实质审查的生效
2005-09-21
公开
公开
机译: 一种在金属导电层中,涉及金属促进剂的生产(001)-由光敏层晶格制成的-织构化晶体层-半导体的方法
机译: 产生正常晶粒长大的方法(110){8 001 {9 {0织构化的铁钴合金
机译: 织构化催化剂和制备织构化催化剂的方法