半导体等离子体参数非侵入性测量和分析的方法和设备

摘要

一种用于检测和分析等离子体工艺参数的RF传感器。该RF传感器配备有一个等离子体工艺设备和一个接收从等离子体工艺设备上辐射的RF能量的天线。该天线置于等离子体工艺设备附近使得它是非侵入的。另外该RF传感器的配置可以用于宽带接收从等离子体工艺设备辐射出的RF能量的多谐波。进一步，该RF传感器可以耦合到一个高通滤波器上以及一个用于处理接收的RF能量的处理器上。另外，天线可以置于含有吸收体的外壳中，以减少由RF传感器经受的干扰。另外，一个设备控制可以耦合到处理器中，根据由接收到的RF能量提供的信息来提供调节和维护各种等离子体工艺参数。