一种输入级晶体管EB间带有电阻的达林顿开关晶体管

摘要

本发明属半导体晶体管技术领域，具体为一种在输入级晶体管的EB间接有电阻的达林顿晶体管。该晶体管是对现有由三极管T1和T2组成的复合管的改进，即在输入级晶体管T1的基极与发射集之间连接有一个电阻R。该电阻R可用于释放T1管的贮存电荷，起到快速衰减信号的作用，同时，可控制管的开关时间在预设的范围内，并且使整个晶体管起到高压开关的作用。本发明可用于高压开关线路，如点火装置等。