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一种阵列二极管激光器二维准直微透镜阵列

摘要

一种阵列二极管激光器二维准直微透镜阵列,涉及一种可批量生产的低成本阵列二极管激光器二维准直微透镜阵列的结构设计。本发明的主要技术特点是在通用的一维准直光纤基础上通过离子溅射、光刻、腐蚀、激光等微加工方法在沿光纤方向上加工出另一曲面,即微透镜曲面阵列。由于本发明所要求的是一维加工,所以能够对一排准直光纤同时进行加工,因此,每根微透镜阵列的加工成本低廉,适合于大规模批量化生产。而且只采用一个微透镜阵列就可同时对阵列二极管激光器的快轴和慢轴两个方向上的不同发散角进行高精度二维准直,不存在附加的界面损耗,因此具有准直效率较高,加工成本低,光学装调方便等特点。

著录项

  • 公开/公告号CN1641389A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2005-07-20

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 清华大学;

    申请/专利号CN200510011114.7

  • 申请日2005-01-07

  • 分类号G02B6/32;G02B6/26;G02B6/42;H01S5/00;

  • 代理机构

  • 代理人

  • 地址 100084 北京市北京100084-82信箱

  • 入库时间 2023-12-17 16:21:02

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2012-03-14

    未缴年费专利权终止 IPC(主分类):G02B3/06 授权公告日:20070207 终止日期:20110107 申请日:20050107

    专利权的终止

  • 2007-02-07

    授权

    授权

  • 2005-09-14

    实质审查的生效

    实质审查的生效

  • 2005-07-20

    公开

    公开

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