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热选择交叉点磁性随机存取内存胞元布局

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摘要

本发明乃与一电阻记忆装置(40)与其制造方法有关。该电阻记忆装置(40)所包含的磁性记忆胞元(14)具有一第二磁性层(20)，其至少包含一第一与第二材料(24/26)；该第二材料(26)的居里温度低于该第一材料(24)的居里温度。复数个非连续第二导线(22)乃配置于该磁性记忆胞元(14)之上。一电流(28)可通过于该第二导线(22)而使该第二材料(26)的温度至一高于该第二材料(26)居里温度的温度，以使该第二材料(26)丧失其铁磁性质，并提升了对内存数组(40)的写入选择性。

著录项

  • 公开/公告号CN1650369A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2005-08-03

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 因芬尼昂技术股份公司;

    申请/专利号CN03810023.1

  • 发明设计人 R·勒斯奇纳;

    申请日2003-04-01

  • 分类号G11C11/16;

  • 代理机构中国专利代理(香港)有限公司;

  • 代理人吴立明

  • 地址 德国慕尼黑

  • 入库时间 2023-12-17 16:21:02

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2009-10-21

    专利权的视为放弃

    专利权的视为放弃

  • 2005-09-28

    实质审查的生效

    实质审查的生效

  • 2005-08-03

    公开

    公开

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