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反铁磁非晶基体纳米晶高密度存储材料的制备方法

摘要

本发明公开了一种反铁磁非晶基体纳米晶高密度存储材料的制备方法,它利用铁基非晶良好的玻璃形成能力、宽的过冷液相区,通过成分搀杂及控制冷却速率直接析出铁磁性纳米颗粒,并且使这些纳米颗粒均匀分布在具有反铁磁性能的非晶基体上,通过铁磁性与反铁磁性的相互耦合而产生的额外的各向异性能来提高纳米铁磁颗粒的热稳定性,从而来制备出具有较高热稳定性的磁性纳米颗粒来实现存储功能,提高了磁性存储材料的存储密度。

著录项

  • 公开/公告号CN1581384A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2005-02-16

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 中国科学院物理研究所;

    申请/专利号CN200410038273.1

  • 发明设计人 赵言辉;赵德乾;潘明祥;汪卫华;

    申请日2004-05-20

  • 分类号H01F41/02;C22C38/00;C22C1/00;

  • 代理机构北京中创阳光知识产权代理有限责任公司;

  • 代理人尹振启

  • 地址 100080 北京市海淀区中关村南三街8号

  • 入库时间 2023-12-17 15:51:36

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2009-07-22

    专利权的终止(未缴年费专利权终止)

    专利权的终止(未缴年费专利权终止)

  • 2006-08-23

    授权

    授权

  • 2005-04-20

    实质审查的生效

    实质审查的生效

  • 2005-02-16

    公开

    公开

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