公开/公告号CN1578583A
专利类型发明专利
公开/公告日2005-02-09
原文格式PDF
申请/专利权人 自适应等离子体技术株式会社;
申请/专利号CN200410062833.7
申请日2004-06-25
分类号H05H1/24;H05H1/34;
代理机构11021 中科专利商标代理有限责任公司;
代理人王新华
地址 韩国京畿道
入库时间 2023-12-17 15:47:27
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2006-12-27
授权
授权
2005-04-13
实质审查的生效
实质审查的生效
2005-02-09
公开
公开
机译: 等离子源和腔室形成均匀等离子分布的能力,使用第二个线圈部分,从晶圆比较到第一个线圈的距离相对较近
机译: 具有等离子源线圈的等离子室和使用该等离子源蚀刻晶片的方法
机译: 等离子体源线圈,用于使用相同的离子源产生等离子体和等离子体室