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公开/公告号CN1544896A
专利类型发明专利
公开/公告日2004-11-10
原文格式PDF
申请/专利权人 同济大学;
申请/专利号CN200310108590.1
发明设计人 吴坚;梁骏吾;胡正飞;闻瑞梅;
申请日2003-11-12
分类号G01J3/28;G08B17/00;
代理机构上海德昭专利事务所;
代理人陈龙梅
地址 200092 上海市四平路1239号
入库时间 2023-12-17 15:39:00
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2008-12-10
发明专利申请公布后的视为撤回
2006-04-05
实质审查的生效
2004-11-10
公开
机译: 一种适于检测具有宽带隙的半导体部件的温度的半导体装置。
机译: 基于宽带隙半导体材料的半导体器件
机译: 基于宽带隙材料层和背面照明的光电二极管器件BSI CMOS图像传感器以及包括该光电二极管器件的太阳能电池
机译:基于宽带隙半导体的恶劣环境压力传感器的最新进展
机译:基于宽带隙半导体的紫外线传感器的最新发展
机译:W波段基于宽带隙和窄带隙半导体的冲击二极管的动态特性
机译:一种新型的基于宽带隙半导体的微电子气体传感器
机译:基于宽/超宽带隙半导体的先进电子设备
机译:宽带隙半导体纳米棒和薄膜气体传感器
机译:用于电子,光子和传感器件的宽带隙半导体纳米线。