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公开/公告号CN1523754A
专利类型发明专利
公开/公告日2004-08-25
原文格式PDF
申请/专利权人 LG电子有限公司;
申请/专利号CN200410006309.8
发明设计人 朴宰永;
申请日2004-02-23
分类号H03H3/02;H03H9/15;
代理机构北京金信联合知识产权代理有限公司;
代理人张金海
地址 韩国汉城
入库时间 2023-12-17 15:30:37
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2007-09-05
发明专利申请公布后的视为撤回
2004-10-27
实质审查的生效
2004-08-25
公开
机译: 具有薄膜体声谐振器的双工滤波器及其半导体封装
机译: 具有相同功能的薄膜大体积声谐振器和双工滤波器,以及相同的半导体封装
机译:具有连接和边沿耦合机制的具有各种谐振器的微带通滤波器及其在双频滤波器和双工器中的应用
机译:具有最佳边缘形状的薄膜体声谐振器和滤波器,可进行批量生产
机译:压电薄膜谐振器双工器,用于第四代手机的超宽带接收滤波器
机译:具有碳纳米管(CNT)电极的高Q薄膜体声谐振器(FBAR)滤波器的制造
机译:声微流PZT换能器和温度补偿薄膜体声谐振器。
机译:基于β相聚偏二氟乙烯聚合物的柔性薄膜体声谐振器
机译:用于射频应用的薄膜体声谐振器(FBAR)滤波器的设计与分析
机译:用于多极滤波器应用的蚀刻腔saW(表面声波)谐振器元件。