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具有薄膜腔声谐振器的双工滤波器及其半导体封装

摘要

本发明所公开的是一种薄膜腔声谐振器,具有该薄膜腔声谐振器的双工滤波器,及其半导体封装。该薄膜腔声谐振器包括:半导体底层;在半导体底层上表面形成的两层以上的下面的电极;在下面的电极上表面沉积的具有一定厚度的压电层;在压电层上表面形成的两层以上的上面的电极。该薄膜腔声谐振器具有良好的粘接特性。将通过若干薄膜腔声谐振器串联和并联连接而形成的薄膜腔声滤波器和薄膜腔声谐振器外围无源元件集成到一个半导体芯片中可以使得双工滤波器微型化。以及,半导体封装适合于双工滤波器。

著录项

  • 公开/公告号CN1523754A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2004-08-25

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 LG电子有限公司;

    申请/专利号CN200410006309.8

  • 发明设计人 朴宰永;

    申请日2004-02-23

  • 分类号H03H3/02;H03H9/15;

  • 代理机构北京金信联合知识产权代理有限公司;

  • 代理人张金海

  • 地址 韩国汉城

  • 入库时间 2023-12-17 15:30:37

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2007-09-05

    发明专利申请公布后的视为撤回

    发明专利申请公布后的视为撤回

  • 2004-10-27

    实质审查的生效

    实质审查的生效

  • 2004-08-25

    公开

    公开

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