公开/公告号CN1518770A
专利类型发明专利
公开/公告日2004-08-04
原文格式PDF
申请/专利权人 因芬尼昂技术股份公司;
申请/专利号CN02810899.X
申请日2002-05-24
分类号H01L29/36;
代理机构72001 中国专利代理(香港)有限公司;
代理人赵辛
地址 德国慕尼黑
入库时间 2023-12-17 15:26:25
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2008-04-09
授权
授权
2004-10-13
实质审查的生效
实质审查的生效
2004-08-04
公开
公开
机译: 用于改善半导体电路结构上的ESD保护的性能的方法和电路
机译: 用于改善半导体电路结构上的ESD保护的性能的方法和电路
机译: 具有改善的ESD特性的氮化物半导体器件及其制造方法