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带位线预先充电、反转数据写入、保存数据输出的低功耗动态随机存取存储器

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摘要

有DRAM的集成电路的各个方面被揭示出来。在一个实施方案中，集成电路包括DRAM，后者(1)预先将位线充电到朝两种存储单元逻辑状态中较弱的状态偏置的电压，(2)有选择地以减少刷新数据所需要的功率的反转形式储存这样的数据(在至少一个实施方案中)，(3)将数据保持在感觉/锁存电路中并且把这样的电路用作减少存储单元的存取频率并借此减少存储器存取时间的超高速缓存形式，和(4)由使用较低功率的交替操作模式的电路提供基准(例如，V

著录项

公开/公告号CN1518742A

专利类型发明专利
公开/公告日2004-08-04

原文格式PDF
申请/专利权人模拟装置公司;
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申请/专利号CN02812567.3
发明设计人罗伯特·A·潘丘克;
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申请日2002-06-03
分类号G11C7/10;G11C7/12;G11C5/14;
代理机构永新专利商标代理有限公司;
代理人过晓东
地址美国马萨诸塞州
入库时间 2023-12-17 15:26:25

法律信息

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2008-05-07

授权

授权
2004-10-13

实质审查的生效

实质审查的生效
2004-08-04

公开

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