非挥发存储器的自校准方法和电路及非挥发存储器电路

摘要

本发明公开了一种非挥发存储器读出电路的自校准方法，将记录了基准电流的个性化数据用比特对的形式存入存储器，对灵敏放大器进行调节，当输出的个性化数据中“0”和“1”的数量相同时，依据该个性化数据得到基准电流的大小。本发明还公开了一种非挥发存储器的自校准电路，包括个性化数据存储模块、灵敏放大器模块、逻辑判断模块和扫描模块。本发明又公开了一种非挥发电可擦除的存储器电路，包括存储器单元阵列和非挥发存储器读出电路的自校准电路。本发明不需要额外的熔断器或差分单元，即能够安全可靠的解决死锁问题而不增加电路面积和测试成本，可以广泛应用于各种工艺的OTP，MTP，EEPROM或Flash EEPROM等各类非挥发存储器，有效提高存储器的可靠性。