一种用于双金属氧化物－氮化物－氧化物半导体存储器且具有二位清除能力的控制栅极解码器

摘要

本发明是一种用于一双MONOS闪存阵列的控制栅极线的解码器。连接到存储器的每个控制栅极线的解码器单元被控制以提供选择、越控及未选择电压，以执行读取、编程和清除操作。解码器单元被划分成奇数及偶数寻址，其中个别的电压可施加于邻近的存储器单元的控制栅极。越控电压(其防止一已选择单元操作免于受到相邻存储器单元储存区影响)可施加于紧邻已选择单元的控制栅极上，未选择电压可施加超出紧邻单元上，以进一步防止远端单元中的扰乱情形。