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晶圆上的校正符号的清洁方法以及化学机械研磨制程后续再清洁制程的方法

摘要

本发明揭示一种晶圆上的校正符号的清洁方法以及化学机械研磨制程后续再清洁制程的方法,包括将晶圆与一强酸试液或氧电浆接触,移除晶圆上的附着物质。上述的晶圆主要是指经过化学机械研磨处理后残留有机物质附着于校正符号的芯片,能够使得校正符号的位置更清楚且容易判断,使后续制程的对准不致发生错误,有效解决有机残留物覆盖住校正符号的问题,并降低黄光再加工的频率。

著录项

  • 公开/公告号CN1492484A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2004-04-28

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 矽统科技股份有限公司;

    申请/专利号CN02146352.2

  • 发明设计人 陈志容;

    申请日2002-10-24

  • 分类号H01L21/306;

  • 代理机构北京三友知识产权代理有限公司;

  • 代理人刘朝华

  • 地址 台湾省新竹科学工业园区

  • 入库时间 2023-12-17 15:18:03

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2006-01-25

    发明专利申请公布后的视为撤回

    发明专利申请公布后的视为撤回

  • 2004-06-30

    实质审查的生效

    实质审查的生效

  • 2004-04-28

    公开

    公开

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