闪存阵列中的核心存储单元的软程序及软程序校验

摘要

本发明涉及一种方法(900)和系统(400)，其用于存储单元软程序和软程序校验，以调整或校正处于目标最小电压(380)和最大电压(390)间的阈值电压(350)，其可能与双位存储单元架构(50)联合使用。该方法(900)包括应用一参考电压信号(455)至过压擦除的核心单元，和一个不同单元(480)，比较分别由它们产生的两个电流(475)，选择性地校验(485，435)存储单元的一个或多个位的正确软编程，确定双位存储单元被正确地软编程(950)。该方法也可包括选择性地再校验(950，955)存储单元的正确软编程于在该单元至少一个或多个位(980)选择性地软编程(965)之后。